【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于封裝材料，具體涉及一種光致抗蝕劑組合物及其制備方法和應用。
技術介紹
1、集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當連接技術形成電氣連接，安裝外殼，構成有效組件的整個過程，封裝主要起著安放、固定、密封、保護芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。先進封裝技術通過采用更緊湊、更高級設計和制程技術，可提供更高集成度、更小尺寸、更高性能及更低能耗芯片。通過將多個芯片堆疊，在顯著提高集成度及性能時，降低空間需求。在性能與能耗上，先進封裝通過優化設計與制程，可大幅提高信號傳輸速度，降低功耗。在制程技術上，先進封裝采用如微細化焊球、超低k材料等創新技術，使得封裝電氣性能及散熱性能有顯著提升。未來封裝各類間距將會進一步下降，bump?i/0間距將會縮小至50-40μm之間，重布層線寬間距將至2μm，高密度封裝時代漸行漸近。
2、這就對封裝領域材料提出的更高的要求，尤其是對封裝刻蝕劑提出以下要求：(1)抗蝕劑形成具有均勻厚度的薄膜；(2)所述抗蝕劑作為具有幾乎垂直側壁的模板形成圖案，并且該圖案對掩模的孔徑尺寸具有高保真度；(3)靈敏度高，顯影性好，提高生產效率；(4)該抗蝕劑與鍍液具有良好的潤濕性；(5)該抗蝕劑在電鍍過程中不溶解于鍍液中，且不使鍍液變質；(6)所述抗蝕劑對所述基材具有高附著力，以防止所述鍍液在所述基材和所述抗蝕劑之間泄漏；(7)電鍍后，抗蝕劑很容易用釋放液釋放；(8)刻蝕劑具有很高的刻蝕能力，特別對o2很高的抗刻蝕性能。
3、然后，現有技術提供的抗蝕劑無法完全滿足上述要求，
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種光致抗蝕劑組合物及其制備方法和應用。本專利技術通過對光致抗蝕劑組合物的具體組成進行設計，進一步通過至少一種具有特定結構的多功能單體的使用，制備得到了性能優異的光致抗蝕劑組合物，適用于集成電路封裝。
2、為達此目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、第一方面，本專利技術提供一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包括如下組分：
4、(a)多功能單體；
5、所述多功能單體包括化合物a1-化合物a6中的至少一種：
6、
7、
8、其中，化合物a1-化合物a6中，a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k、l、m、n、o、p、q、r各自獨立地為1、2、3或4；
9、r1、r2、r3、r4、r5、r6各自獨立地選自如下基團中的任意一種，虛線表示取代位點：
10、
11、其中，r1、r2中，上述基團中n1-n13為2；
12、r3、r4中，上述基團中n1-n13為3；
13、r5、r6中，上述基團中n1-n13為4。
14、本專利技術通過對光致抗蝕劑組合物的具體組成進行設計，進一步通過至少一種具有特定結構的多功能單體的使用，制備得到了性能優異的光致抗蝕劑組合物，適用于集成電路封裝。
15、本專利技術中，r1、r2中，上述基團中n1-n13為2，表示r1、r2為二取代基，且對取代位點沒有特定的限制；同理r3、r4中，上述基團中n1-n13為3，表示r3、r4為三取代基，且對取代位點沒有特定的限制；r5、r6中，上述基團中n1-n13為4，表示r5、r6為四取代基，且對取代位點沒有特定的限制。
16、本專利技術中，對于化合物a1-化合物a6的制備方法沒有任何特殊的限制，本領域常用的制備方法均適用，示例性地：
17、化合物a1、化合物a3、化合物a5的制備方法包括如下步驟：
18、
19、其中，x1表示2、3或4，y1表示1、2、3或4；
20、r具有與r1、r3或r5相同的定義；
21、上述制備方法包括如下步驟：
22、(1)將化合物a、至少一種化合物b混合，向其中加入naoh水溶液中，回流加熱反應攪拌18-30h(例如可以是18h、20h、22h、24h、26h、28h或30h等)，反應結束后降溫至常溫，加入hcl中和后，使用乙酸乙酯萃取，得到上清液，將上清液加水洗滌后，旋蒸得到中間產物c；
23、其中，化合物a和化合物b的摩爾比為1：(5-10)，例如可以是1:5、1:6、1:7、1:8、1:9或1:10等；
24、(2)將中間產物c和反應溶劑1混合，得到溶液1；將化合物d、三乙胺和反應溶劑2混合，得到溶液2；在0℃下，將溶液2緩慢滴加溶液1中，滴加時間為20-40min(例如可以是20min、22min、25min、27min、30min、33min、36min、38min或40min等)，滴加完成中，升溫至20-30℃(例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃或30℃等)，反應5-8h(例如可以是5h、6h、7h、或8h等)后，減壓蒸餾除去多余的反應溶劑1和反應溶劑2后，進行柱層析分離提純，洗脫液采用乙酸乙酯和石油醚的混合物(乙酸乙酯和石油醚的體積比為1:2)，柱層析結束后，減壓蒸餾得到多功能單體；
25、其中，中間產物c和化合物d的摩爾比為1：(5-10)，例如可以是1:5、1:6、1:7、1:8、1:9或1:10等；
26、反應溶劑1和反應溶劑2各自獨立地包括無水丙酮。
27、需要說明的是，若多功能單體為化合物a1，則r具有與r1相同的定義，x表示2，y表示1、2、3或4(具有與a或b相同的定義)；同理，多功能單體為化合物a3，則r具有與r3相同的定義，x表示3，y表示1、2、3或4(具有與e、f或g相同的定義)；多功能單體為化合物a5，則r具有與r5相同的定義，x表示4，y表示1、2、3或4(具有與k、l、m、n相同的定義)。
28、化合物a2、化合物a4、化合物a6的制備方法包括如下步驟：
29、
30、其中，y2表示2、3或4,重復單元y2中，每一個x2各自獨立地表示1、2、3或4；
31、r′具有與r2、r4或r6相同的定義；
32、上述制備方法包括如下步驟：
33、將化合物e和反應溶劑3混合，得到溶液3；將化合物d、三乙胺和反應溶劑2混合，得到溶液2；在0℃下，將溶液2緩慢滴加溶液3中，滴加時間為20-40min(例如可以是20min、22min、25min、27min、30min、33min、36min、38min或40min等)，滴加完成中，升溫至20-30℃(例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃或30℃等)，反應5-8h(例如可以是5h、6h、7h、或8h等)后，減壓蒸餾除去多余的反應溶劑3和反應溶劑2后，進行柱層析分離提純，洗脫液采用乙酸乙酯和石油醚的混合物(乙酸乙酯和石油醚的體積比為1:2)，柱層析結束后本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物包括如下組分：
2.根據權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，化合物A1-化合物A2中，所述a、b、c、d為1；
3.根據權利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物中包括至少兩種多功能單體，優選為兩種；
4.根據權利要求1-3任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，以所述光致抗蝕劑組合物的質量百分含量為100％計，所述多功能單體的質量百分含量為15-25％。
5.根據權利要求1-4任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物中還包括組分(b)樹脂聚合物；
6.根據權利要求1-5任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物中還包括組分(c)助劑；
7.根據權利要求1-6任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物中還包括組分(d)引發劑；
8.根據權利要求1-7任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物的固含量為55-70％。>
9.一種如權利要求1-8任一項所述的光致抗蝕劑組合物的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
10.一種如權利要求1-8任一項所述的光致抗蝕劑組合物的應用，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物用于集成電路封裝。
...【技術特征摘要】
1.一種光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物包括如下組分：
2.根據權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，化合物a1-化合物a2中，所述a、b、c、d為1；
3.根據權利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物中包括至少兩種多功能單體，優選為兩種；
4.根據權利要求1-3任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，以所述光致抗蝕劑組合物的質量百分含量為100％計，所述多功能單體的質量百分含量為15-25％。
5.根據權利要求1-4任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑組合物中還包括組分(b)樹脂聚合...
【專利技術屬性】
技術研發人員：宋紅波，王雪嵐，
申請(專利權)人：阜陽欣奕華新材料科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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