【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及功率器件領(lǐng)域，特別是涉及一種mos管的eoss參數(shù)測量方法、裝置及系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、功率芯片在出廠前需要對其二十多項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行在線測試，確認(rèn)是否良好，每項(xiàng)參數(shù)測量的所用時(shí)間直接關(guān)系到整個(gè)測試線的效率。其中，eoss參數(shù)是指在功率半導(dǎo)體器件工作時(shí)，存儲(chǔ)在寄生電容coss中的能量。
2、傳統(tǒng)的eoss參數(shù)測量方法使用線性電流校正電路（linear?current?correction，lcr）表結(jié)合高壓電源，控制高壓電源在不同的充電電壓下進(jìn)行充電，并多次取點(diǎn)讀取coss參數(shù)，再計(jì)算等效電容co(er)參數(shù)，最后利用電容儲(chǔ)能公式：eoss=(co(er))2*vds/2計(jì)算出eoss參數(shù)。其中，eoss表示存儲(chǔ)在寄生電容coss中的能量，co(er)表示等效電容容值，vds表示充電電壓值。
3、由于需要多次取點(diǎn)測量coss，以及需考慮lcr表所需的測量響應(yīng)時(shí)間問題，這種方法存在測量時(shí)間長、精度不高和難以繪制準(zhǔn)確eoss/vds曲線圖的問題。
4、由此可見，如何解決eoss參數(shù)測量效率低的問題，是本領(lǐng)域人員亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請的目的是提供一種mos管的eoss參數(shù)測量方法、裝置及系統(tǒng)，解決通過lcr表結(jié)合高壓電源測量eoss參數(shù)效率低的問題。
2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环Nmos管的eoss參數(shù)測量方法，包括：
3、控制恒流源向待測mos管輸出目標(biāo)恒流信號，為所述待測mos管的寄生電容
4、基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測mos管的n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓，n≥2；
5、控制恒壓源向所述待測mos管輸出目標(biāo)恒壓信號，為所述待測mos管的寄生電容充電；
6、采集對應(yīng)于n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓中的每一個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓的目標(biāo)漏電電流；
7、基于所述目標(biāo)恒流信號、n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓、n個(gè)所述目標(biāo)漏電電流得到對應(yīng)于所述待測mos管的eoss參數(shù)。
8、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量方法中，所述基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測mos管的n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓，包括：
9、獲取預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔；
10、基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測mos管的n+1個(gè)漏-源電壓；
11、基于任意相鄰的第一漏-源電壓與第二漏-源電壓得到對應(yīng)掃描時(shí)間間隔的目標(biāo)漏-源電壓。
12、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量方法中，所述采集對應(yīng)于n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓中的每一個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓的目標(biāo)漏電電流，包括：
13、獲取n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓；
14、根據(jù)任一所述目標(biāo)漏-源電壓控制恒壓源為所述待測mos管施加相應(yīng)的漏-源電壓；
15、采集各所述目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的所述待測mos管的目標(biāo)漏電電流。
16、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量方法中，所述控制恒流源向待測mos管輸出目標(biāo)恒流信號，為所述待測mos管的寄生電容充電，包括：
17、獲取與所述待測mos管匹配的目標(biāo)恒流信號，其中，所述目標(biāo)恒流信號大于預(yù)設(shè)漏電電流；
18、控制恒流源根據(jù)目標(biāo)恒流信號輸出電流至待測mos管，并控制所述恒流源的電壓鉗位在預(yù)設(shè)漏-源電壓值。
19、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量方法中，所述基于所述目標(biāo)恒流信號、所述漏-源電壓、所述漏電電流得到對應(yīng)于所述待測mos管的eoss參數(shù)，包括：
20、根據(jù)第一公式得到每一段掃描時(shí)間間隔的能量變化：
21、所述第一公式為：δen=（i-idss?）*uc*(δt)/2；
22、其中，δen為當(dāng)前段掃描時(shí)間間隔的能量變化值；i表示所述目標(biāo)恒流信號；uc表示當(dāng)前段掃描時(shí)間間隔對應(yīng)的目標(biāo)漏-源電壓；idss表示當(dāng)前目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的漏電電流；δt表示所述預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔；
23、根據(jù)所述能量變化、所述第二公式得到每個(gè)目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的eoss參數(shù)；
24、所述第二公式為：eossn?=∑δen；
25、其中，eossn表示第n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的eoss參數(shù)；∑δen表示當(dāng)前目標(biāo)漏-源電壓之前所有掃描時(shí)間間隔對應(yīng)的能量變化之和。
26、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量方法中，所述控制恒壓源向所述待測mos管輸出目標(biāo)恒壓信號，為所述待測mos管的寄生電容充電，包括：
27、根據(jù)各所述目標(biāo)漏-源電壓，控制恒壓源為所述待測mos管施加恒壓，并控制電流鉗位在1ma。
28、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量方法中，還包括：
29、根據(jù)每個(gè)目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的eoss參數(shù)生成eoss-vds曲線圖。
30、為解決上述技術(shù)問題，本申請還提供一種mos管的eoss參數(shù)測量裝置，其特征在于，包括：
31、恒流充電模塊，用于控制恒流源向待測mos管輸出目標(biāo)恒流信號，為所述待測mos管的寄生電容充電；
32、目標(biāo)漏-源電壓掃描模塊，用于基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測mos管的n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓，n≥2；
33、恒壓充電模塊，用于控制恒壓源向所述待測mos管輸出目標(biāo)恒壓信號，為所述待測mos管的寄生電容充電；
34、目標(biāo)漏電電流采集模塊，用于采集對應(yīng)于n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓中的每一個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓的目標(biāo)漏電電流；
35、eoss參數(shù)確定模塊，用于基于所述目標(biāo)恒流信號、n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓、n個(gè)所述目標(biāo)漏電電流得到對應(yīng)于所述待測mos管的eoss參數(shù)。
36、為解決上述技術(shù)問題，本申請還提供一種mos管的eoss參數(shù)測量裝置，包括：上位機(jī)、高壓源表、裝載有待測測試功率芯片的功率半導(dǎo)體測試機(jī)；所述待測測試功率芯片包括至少一個(gè)待測mos管；所述上位機(jī)與所述高壓源表連接，所述高壓源表通過所述功率半導(dǎo)體測試機(jī)與所述待測mos管連接；
37、所述上位機(jī)控制所述高壓源表作為恒流源向待測mos管輸出目標(biāo)恒流信號，為所述待測mos管的寄生電容充電，并控制所述高壓源表基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測mos管的n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓，n≥2；
38、所述上位機(jī)控制所述高壓源表作為恒壓源向所述待測mos管輸出目標(biāo)恒壓信號，為所述待測mos管的寄生電容充電，并采集對應(yīng)于n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓中的每一個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓的目標(biāo)漏電電流；并基于所述目標(biāo)恒流信號、n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓、n個(gè)所述目標(biāo)漏電電流得到對應(yīng)于所述待測mos管的eoss參數(shù)。
39、作為一種可選實(shí)施方案，上述mos管的eoss參數(shù)測量系統(tǒng)中，所述上位機(jī)通過所述高壓源表采集各所述目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的所述待測mos管的漏電電本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種MOS管的Eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測MOS管的n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述采集對應(yīng)于n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓中的每一個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓的目標(biāo)漏電電流，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述控制恒流源向待測MOS管輸出目標(biāo)恒流信號，為所述待測MOS管的寄生電容充電，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述基于所述目標(biāo)恒流信號、n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓、n個(gè)所述目標(biāo)漏電電流得到對應(yīng)于所述待測MOS管的Eoss參數(shù)，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述控制恒壓源向所述待測MOS管輸出目標(biāo)恒壓信號，為所述待測MOS管的寄生電容充電，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量方
8.一種MOS管的Eoss參數(shù)測量裝置，其特征在于，包括：
9.一種MOS管的Eoss參數(shù)測量系統(tǒng)，其特征在于，包括：上位機(jī)、高壓源表、裝載有待測測試功率芯片的功率半導(dǎo)體測試機(jī)；所述待測測試功率芯片包括至少一個(gè)待測MOS管；所述上位機(jī)與所述高壓源表連接，所述高壓源表通過所述功率半導(dǎo)體測試機(jī)與所述待測MOS管連接；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MOS管的Eoss參數(shù)測量系統(tǒng)，其特征在于，所述上位機(jī)通過所述高壓源表采集各所述目標(biāo)漏-源電壓對應(yīng)的所述待測MOS管的漏電電流。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種mos管的eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mos管的eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述基于預(yù)設(shè)電壓掃描時(shí)間間隔掃描獲取所述待測mos管的n個(gè)目標(biāo)漏-源電壓，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mos管的eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述采集對應(yīng)于n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓中的每一個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓的目標(biāo)漏電電流，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mos管的eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述控制恒流源向待測mos管輸出目標(biāo)恒流信號，為所述待測mos管的寄生電容充電，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mos管的eoss參數(shù)測量方法，其特征在于，所述基于所述目標(biāo)恒流信號、n個(gè)所述目標(biāo)漏-源電壓、n個(gè)所述目標(biāo)漏電電流得到對應(yīng)于所述待測mos管的eoss參數(shù)，包括：
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳家培，潘朝松，華強(qiáng)，胡靜波，
申請(專利權(quán))人：蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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