【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件領域，特別是涉及一種智能功率模塊的封裝結構、驅動電路及電子產品。
技術介紹
1、智能功率模塊(intelligent?power?modules，ipm)是將功率器件和驅動ic封裝在一起，還集成欠壓、過流、過熱保護功能。即使在過載、過溫或其他使用不當的情況下，ipm也不會受損，且整個系統方案可靠性、散熱能力和抗干擾能力較強、外圍電路結構簡單，與傳統分立器件相比優勢更明顯。功率場效應晶體管(power?mosfet)因輸入阻抗高、驅動功率小、無二次擊穿問題、開關頻率高、具有良好的熱穩定性和較強抗輻射能力等優點，常被用作ipm的功率開關器件，且逐漸走進消費、工業及汽車領域。橋式電路在電機控制領域應用中非常廣泛，如半橋電路、全橋電路和三相驅動電路等，而小功率ipm通常采用兩只互補導通的開關組成半橋電路。
2、隨著當今小型化電器的普及，對ipm尺寸要求也越來越高，如何進一步縮減ipm的尺寸，進而適于風扇、風筒和空氣凈化器等小型家電應用，已成為本領域技術人員亟待解決的問題之一。
3、應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的
技術介紹
部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種智能功率模塊的封裝結構、驅動電路及電子產品，用于解決現有技術中ipm尺寸大、不適
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種智能功率模塊的封裝結構，所述智能功率模塊的封裝結構至少包括：
3、封裝體，設置于所述封裝體內的第一基島、第二基島、第三基島、驅動芯片、第一功率管及第二功率管；
4、所述驅動芯片設置于所述第一基島上，所述第一功率管設置于所述第二基島上，所述第二功率管設置于所述第三基島上，所述驅動芯片、所述第一功率管及所述第二功率管構成半橋驅動結構，各信號端連接對應的芯片管腳；
5、其中，所述第一基島及所述第二基島設置于所述第三基島的同一側，且沿著所述第三基島的側邊依次排布，所述第一基島與所述第三基島在側邊上的投影部分或全部重疊，所述第二基島與所述第三基島在側邊上的投影部分或全部重疊。
6、可選地，所述第三基島與所述第二基島的一端對齊，所述第三基島的另一端位于所述第一基島的一側。
7、更可選地，所述第一基島、所述第二基島及所述第三基島之間的間距設置為0.15mm-0.2mm。
8、可選地，所述第一功率管為上橋臂功率管，所述第二功率管為下橋臂功率管；或者所述第一功率管為下橋臂功率管，所述第二功率管為上橋臂功率管；
9、所述驅動芯片的電源端、驅動信號輸入端、公共地端、保護端分別通過引線連接對應的芯片管腳；
10、所述上橋臂功率管底部的漏極與對應基島及芯片的直流正端管腳電連接；所述上橋臂功率管的柵極通過引線連接所述驅動芯片的高側驅動信號輸出端；所述上橋臂功率管的源極通過引線連接所述驅動芯片的高側浮地端，還通過引線連接所述下橋臂功率管的源極或芯片的高側浮地管腳；
11、所述下橋臂功率管底部的漏極與對應基島及芯片的高側浮地管腳電連接；所述下橋臂功率管的柵極通過引線連接所述驅動芯片的低側驅動信號輸出端，所述下橋臂功率管的源極通過引線連接芯片的直流負端管腳。
12、更可選地，所述第一基島與芯片的公共地管腳電連接。
13、更可選地，所述驅動芯片的電源端包括高側浮動電源端及低側電源端，所述驅動芯片的驅動信號輸入端包括高側驅動信號輸入端及低側驅動信號輸入端，所述驅動芯片的保護端為溫度輸出端。
14、更可選地，所述驅動芯片的底部通過不導電膜貼設于所述第一基島上。
15、更可選地，所述第一基島的上表面鍍銀，且為粗糙表面。
16、更可選地，芯片的各低壓管腳的間距分別設定為0.25mm-0.3mm；芯片的低壓管腳與高壓管腳之間的間距不小于1mm。
17、更可選地，所述智能功率模塊的封裝結構采用qfn封裝形式。
18、更可選地，所述智能功率模塊的封裝結構的尺寸小于7mm*7mm。
19、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術還提供一種驅動電路，所述驅動電路包括：兩組或三組上述智能功率模塊的封裝結構。
20、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術還提供一種電子產品，所述電子產品至少包括：上述智能功率模塊的封裝結構。
21、如上所述，本專利技術的智能功率模塊的封裝結構、驅動電路及電子產品，具有以下有益效果：
22、1、本專利技術的智能功率模塊的封裝結構為半橋電路結構，而半橋電路結構是逆變、驅動等電路中應用最廣泛的電路結構之一，因此，本專利技術的智能功率模塊的封裝結構的電路結構簡單，體積小，開發成本低，適合集成一體化，且能實現收益最大化。
23、2、本專利技術的智能功率模塊的封裝結構、驅動電路及電子產品對封裝體內部結構進行優化，封裝腔體內部芯片分布更緊湊，縮減了開發成本。
24、3、本專利技術的智能功率模塊的封裝結構、驅動電路及電子產品改進驅動芯片的貼片方式，掉片率大大減小，產品可靠性大大提升。
25、4、專利技術的智能功率模塊的封裝結構、驅動電路及電子產品不僅保留了原有的管腳功能，還集成溫度監測和欠壓保護功能，在正常工作情況下監測工作環境溫度和工作電壓，在溫度或電壓異常的情況下能自動斷電和報警，從而保證家用電器使用安全。
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1.一種智能功率模塊的封裝結構，其特征在于，所述智能功率模塊的封裝結構至少包括：
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第三基島與所述第二基島的一端對齊，所述第三基島的另一端位于所述第一基島的一側。
3.根據權利要求1或2所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一基島、所述第二基島及所述第三基島之間的間距設置為0.15mm-0.2mm。
4.根據權利要求1所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一功率管為上橋臂功率管，所述第二功率管為下橋臂功率管；或者所述第一功率管為下橋臂功率管，所述第二功率管為上橋臂功率管；
5.根據權利要求4所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一基島與芯片的公共地管腳電連接。
6.根據權利要求4所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述驅動芯片的電源端包括高側浮動電源端及低側電源端，所述驅動芯片的驅動信號輸入端包括高側驅動信號輸入端及低側驅動信號輸入端，所述驅動芯片的保護端為溫度輸出端。
7.根據權利要求1所述的智能功率模塊的封裝
8.根據權利要求7所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一基島的上表面鍍銀，且為粗糙表面。
9.根據權利要求1所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：芯片的各低壓管腳的間距分別設定為0.25mm-0.3mm；芯片的低壓管腳與高壓管腳之間的間距不小于1mm。
10.根據權利要求1-9任意一項所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述智能功率模塊的封裝結構采用QFN封裝形式。
11.根據權利要求10所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述智能功率模塊的封裝結構的尺寸小于7mm*7mm。
12.一種驅動電路，其特征在于，所述驅動電路包括：兩組或三組如權利要求1-11任意一項所述的智能功率模塊的封裝結構。
13.一種電子產品，其特征在于，所述電子產品至少包括：如權利要求1-11任意一項所述的智能功率模塊的封裝結構。
...【技術特征摘要】
1.一種智能功率模塊的封裝結構，其特征在于，所述智能功率模塊的封裝結構至少包括：
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第三基島與所述第二基島的一端對齊，所述第三基島的另一端位于所述第一基島的一側。
3.根據權利要求1或2所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一基島、所述第二基島及所述第三基島之間的間距設置為0.15mm-0.2mm。
4.根據權利要求1所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一功率管為上橋臂功率管，所述第二功率管為下橋臂功率管；或者所述第一功率管為下橋臂功率管，所述第二功率管為上橋臂功率管；
5.根據權利要求4所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第一基島與芯片的公共地管腳電連接。
6.根據權利要求4所述的智能功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述驅動芯片的電源端包括高側浮動電源端及低側電源端，所述驅動芯片的驅動信號輸入端包括高側驅動信號輸入端及低側驅動信號輸入端，所述驅動芯片的保護端為溫度輸出端。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王雯潔，于今，何劍，張雨婷，
申請(專利權)人：華潤微電子重慶有限公司，
類型：發明
國別省市：
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