【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及材料成型，特別涉及一種鋁基碳化硅制品及其成型方法、電子設備。
技術介紹
1、鋁基碳化硅是一種金屬基復合材料，具有密度小、強度高、剛度高、熱導率大、熱脹系數小等優良物理特性，對于ar(augmented?reality，增強現實)、vr(virtual?reality，虛擬現實)眼鏡等對輕量化、小型化有較高需求的電子設備是一種較好的用于制作結構件的材料，也能滿足具有承載精密光學儀器任務的結構件的性能需求。
2、相關技術中，鋁基碳化硅制品通常采用無壓浸滲或攪拌鑄造工藝、粉末冶金工藝制成，而ar(augmented?reality，增強現實)、vr(virtual?reality，虛擬現實)眼鏡等電子設備中，為了滿足小型化需求，其結構件的壁厚較薄且結構較為復雜，若利用無壓浸滲或攪拌鑄造工藝雖可成形較為復雜的結構，但因成型方法的限制導致其力學性能降低；而利用粉末冶金的工藝能保證其優良的力學特性，但不可一次成形較為復雜的結構，僅可通過數控加工切削出復雜構型，再者由于鋁基碳化硅又硬又脆，在切削加工時需用金剛石刀具，加工難度較大且生產良率較低。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的是提供一種鋁基碳化硅制品及其成型方法、電子設備，旨在既可成型復雜結構又可以使鋁基碳化硅制品具有優良的力學特性。
2、為實現上述目的，本專利技術提出的一種鋁基碳化硅制品的成型方法，包括如下步驟：
3、將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料，以使至少部分碳化硅顆粒嵌入鋁合金基
4、熔煉混合料得到漿料；
5、對漿料擠壓鑄造成型得到鋁基碳化硅。
6、在本申請的一實施例中，所述鋁合金粉為4系鋁合金或6系鋁合金；
7、和/或，所述鋁合金粉的粒徑為50μm～200μm。
8、在本申請的一實施例中，所述碳化硅顆粒粒徑為2～8μm，所述碳化硅粉所占體積百分比為8％～20％。
9、在本申請的一實施例中，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
10、將鋁合金粉、碳化硅粉以及銅粉混料形成混合料。
11、在本申請的一實施例中，所述銅粉于所述混合料中的質量比為3％～6％。
12、在本申請的一實施例中，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
13、所述將鋁合金粉和碳化硅粉進行球磨混料形成混合料。
14、在本申請的一實施例中，所述將鋁合金粉和碳化硅粉進行球磨混料形成混合料的步驟包括：
15、將鋁合金粉和碳化硅粉置于以陶瓷球作為磨球的球磨機中進行混料形成混合料，其中，陶瓷球的直徑為5mm～300mm，陶瓷球與混合料的球料質量比的比值為0.8～1.2。
16、在本申請的一實施例中，所述將鋁合金粉和碳化硅粉置于以陶瓷球作為磨球的球磨機中進行混料的步驟包括：
17、在球磨機中加入不同直徑的陶瓷球；
18、將鋁合金粉和碳化硅粉置于球磨機中進行混料形成混合料。
19、在本申請的一實施例中，所述熔煉混合料得到漿料的步驟中還包括：
20、將混合料重熔，并輔以超聲處理得到漿料。
21、在本申請的一實施例中，所述將混合料重熔，并輔以超聲處理得到漿料的步驟中，控制超聲處理的時間1min～5min，超聲頻率23khz～30khz。
22、在本申請的一實施例中，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
23、將鋁合金粉和碳化硅粉置于惰性氣體環境中混料形成混合料；
24、和/或，所述熔煉得到漿料的步驟包括：
25、將混合料置于真空或惰性氣體環境中熔煉得到漿料。
26、本申請還提出一種鋁基碳化硅制品，所述鋁基碳化硅制品由如前述任一實施例中所述的鋁基碳化硅制品的成型方法制得，所述鋁基碳化硅制品的成型方法包括如下步驟：
27、將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料，以使至少部分碳化硅顆粒嵌入鋁合金基體中；
28、熔煉混合料得到漿料；
29、對漿料擠壓鑄造成型得到鋁基碳化硅制品。
30、本申請還提出一種電子設備，所述電子設備中具有由如前述實施例所述的鋁基碳化硅制品。
31、本專利技術的技術方案，對碳化硅粉和鋁合金粉進行混料處理，使得至少部分碳化硅顆粒在混料過程中嵌入鋁合金基體中，充分混合后得到混合料；如此設置，當對混合料進行熔煉處理時，鋁合金可以包覆在嵌合于其中的碳化硅顆粒上，減少碳化硅顆粒的聚集，使得碳化硅在漿料中分布均勻，且提高了碳化硅顆粒與鋁合金基體的結合強度；熔煉后的漿料進行擠壓鑄造處理，此過程中，便可以依據所需的碳化硅制品的結構將漿料注入對應結構的型腔，漿料充型完成后便可得到所需結構，可以成形較為復雜的結構；另外，漿液在壓力作用下充型并發生高壓凝固，組織致密均勻，減少了鋁基碳化硅制品內部缺陷，晶粒之間具有較高的結合強度，提高了鋁基碳化硅制品的強度和剛度，使得鋁基碳化硅具備良好的力學特性。
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1.一種鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述鋁合金粉為4系鋁合金或6系鋁合金；
3.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述碳化硅顆粒粒徑為2～8μm，所述碳化硅粉所占體積百分比為8％～20％。
4.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
5.如權利要求4所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述銅粉于所述混合料中的質量比為3％～6％。
6.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
7.如權利要求6所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉進行球磨混料形成混合料的步驟包括：
8.如權利要求7所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉置于以陶瓷球作為磨球的球磨機中進行混料的步驟包括：
9.如權利要求
10.如權利要求9所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將混合料重熔，并輔以超聲處理得到漿料的步驟中，控制超聲處理的時間1min～5min，超聲頻率23kHZ～30kHZ。
11.如權利要求1至10任一項中所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
12.一種鋁基碳化硅制品，其特征在于，所述鋁基碳化硅制品由如權利要求1至11任一項中所述的鋁基碳化硅制品的成型方法制得。
13.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備中具有由如權利要求12所述的鋁基碳化硅制品。
...【技術特征摘要】
1.一種鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述鋁合金粉為4系鋁合金或6系鋁合金；
3.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述碳化硅顆粒粒徑為2～8μm，所述碳化硅粉所占體積百分比為8％～20％。
4.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
5.如權利要求4所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述銅粉于所述混合料中的質量比為3％～6％。
6.如權利要求1所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉混料形成混合料的步驟包括：
7.如權利要求6所述的鋁基碳化硅制品的成型方法，其特征在于，所述將鋁合金粉和碳化硅粉進行球磨混料形成混合料的步驟包括：
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