【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種多孔膜層的制造方法、封裝基板以及芯片。
技術(shù)介紹
1、電子束蒸發(fā)(electron?beam?evaporation)是物理氣相沉積的一種形式，利用加速電子轟擊坩堝中的靶材，電子的動(dòng)能轉(zhuǎn)換成熱能使靶材加熱蒸發(fā)，在高真空室中，蒸發(fā)的靶材隨后沉積在基板上形成膜層。在一些情況下電子束蒸發(fā)流與基板呈垂直關(guān)系，在基板表面沉積致密且均勻性一致的膜層。在另一些情形下，需要增加膜層的比表面積，增強(qiáng)膜層的電子、離子傳輸及其他表面效應(yīng)，從而提升膜層的表界面性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種多孔膜層的制造方法、封裝基板以及芯片。
2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種多孔膜層的制造方法，該制造方法包括：提供行星架；行星架包括多個(gè)行星盤和固定在行星盤上的基座；行星盤繞行星架的法線公轉(zhuǎn)并繞行星盤所在平面的法線自轉(zhuǎn)；基座包括相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面；第一面貼合行星盤所在平面；第一面和第二面之間具有第一夾角；將基板固定在第二面上；調(diào)整第一夾角，使得基板的待沉積平面與待沉積材料的沉積方向之間具有第二夾角；第二夾角大于0度且小于90度；控制包括行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制待沉積材料的沉積速率；將待沉積材料沿沉積方向沉積在基板的待沉積平面上，以形成多孔膜層。
3、在一些實(shí)施例中，多孔膜層的孔隙率范圍為大于零且小于或者等于1.2。
4、在一些實(shí)施例中，控制包括行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制待沉積材料的沉積速率，包括：控制
5、在一些實(shí)施例中，控制包括行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制待沉積材料的沉積速率，包括：控制自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式；間歇模式包括自轉(zhuǎn)的持續(xù)時(shí)長(zhǎng)、間隔時(shí)長(zhǎng)；持續(xù)時(shí)長(zhǎng)小于所示間隔時(shí)長(zhǎng)。
6、在一些實(shí)施例中，控制自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式，包括：自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速范圍為0.5rpm～2rpm，持續(xù)時(shí)長(zhǎng)范圍為1s～5s，間隔時(shí)長(zhǎng)范圍為6s～24s；控制待沉積材料的沉積速率，包括：控制沉積速率范圍為調(diào)整第一夾角，包括：使得第二夾角的范圍為大于或者等于70度且小于90度。
7、在一些實(shí)施例中，螺旋結(jié)構(gòu)包括螺旋升角；所述螺旋升角的范圍為15度至75度圍。
8、在一些實(shí)施例中，控制包括行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制待沉積材料的沉積速率，包括：控制自轉(zhuǎn)的模式為連續(xù)模式。
9、在一些實(shí)施例中，控制自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式，包括：自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速范圍為大于或者等于15rpm；控制待沉積材料的沉積速率，包括：控制沉積速率范圍為4nm/min～8nm/min；調(diào)整第一夾角，包括：使得第二夾角的范圍為大于或者等于55度且小于90度。
10、在一些實(shí)施例中，梯度徑向結(jié)構(gòu)包括沿軸向方向延伸的多個(gè)梯度徑向體和相鄰兩個(gè)所述梯度徑向體之間的連接部；相鄰兩個(gè)所述梯度徑向體的徑向尺寸大于所述連接部的徑向尺寸。
11、在一些實(shí)施例中，將基板固定在第二面上，包括：將基板繞行星盤所在平面的法線轉(zhuǎn)動(dòng)，使得第二面的法線繞行星架的法線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
12、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種封裝基板，該封裝基板采用第一方面提供的任一種的制造方法得到。
13、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片，該芯片的封裝基板采用第一方面提供的任一種的制造方法得到。
14、本申請(qǐng)各實(shí)施例中，通過(guò)引入具有可調(diào)第一角度的基座，用于固定基板；調(diào)整基座的第一夾角，使得電子束蒸發(fā)流與基板的待沉積面之間具有的夾角范圍大于0度且小于90度的第二夾角；通過(guò)控制包括行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制待沉積材料的沉積速率，將待沉積材料沿沉積方向沉積在基板的待沉積平面上，以獲得多孔膜層；多孔膜層用于增強(qiáng)離子、電子傳輸效率，從而提升多孔膜層材料的表界面性能。
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1.一種多孔膜層的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多孔膜層的孔隙率范圍為大于零且小于或者等于1.2％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述控制包括所述行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制所述待沉積材料的沉積速率，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述控制包括所述行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制所述待沉積材料的沉積速率，包括：控制所述自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式；所述間歇模式包括所述自轉(zhuǎn)的持續(xù)時(shí)長(zhǎng)、間隔時(shí)長(zhǎng)；所述持續(xù)時(shí)長(zhǎng)小于所示間隔時(shí)長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述控制所述自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式，包括：所述自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速范圍為0.5rpm～2rpm，所述持續(xù)時(shí)長(zhǎng)范圍為1s～5s，所述間隔時(shí)長(zhǎng)范圍為6s～24s；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述螺旋升角；所述螺旋結(jié)構(gòu)的螺旋升角的范圍為15度至75度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述控制包括所述行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制所述待沉
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述控制所述自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式，包括：所述自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速范圍為大于或者等于15rpm；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述梯度徑向結(jié)構(gòu)包括沿軸向方向延伸的多個(gè)梯度徑向體和相鄰兩個(gè)所述梯度徑向體之間的連接部；相鄰兩個(gè)所述梯度徑向體的徑向尺寸大于所述連接部的徑向尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述將基板固定在所述第二面上，包括：將所述基板繞所述行星盤所在平面的法線轉(zhuǎn)動(dòng)，使得所述第二面的法線繞所述行星架的法線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
11.一種封裝基板，其特征在于，包括多孔膜層，所述多孔膜層采用如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的制造方法得到。
12.一種芯片，其特征在于，所述芯片的封裝基板包括多孔膜層；所述多孔膜層采用如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的制造方法得到。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種多孔膜層的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多孔膜層的孔隙率范圍為大于零且小于或者等于1.2％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述控制包括所述行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制所述待沉積材料的沉積速率，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述控制包括所述行星盤的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速以及控制所述待沉積材料的沉積速率，包括：控制所述自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式；所述間歇模式包括所述自轉(zhuǎn)的持續(xù)時(shí)長(zhǎng)、間隔時(shí)長(zhǎng)；所述持續(xù)時(shí)長(zhǎng)小于所示間隔時(shí)長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述控制所述自轉(zhuǎn)的模式為間歇模式，包括：所述自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速范圍為0.5rpm～2rpm，所述持續(xù)時(shí)長(zhǎng)范圍為1s～5s，所述間隔時(shí)長(zhǎng)范圍為6s～24s；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述螺旋升角；所述螺旋結(jié)構(gòu)的螺旋升角的范圍為15度至75度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：任小寧，吳潔，夏凱睿，劉淑娟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：湖北星辰技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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