【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路領域，尤其涉及運用于鎖相環的一種雙復位路徑的鑒頻鑒相器。
技術介紹
1、在通信系統中，鎖相環用于產生高精度時鐘或者本振信號。其中，鑒頻鑒相器(phase?frequency?detector，pfd)作為鎖相環的核心模塊，它的主要功能是檢測出參考時鐘和分頻器輸出的反饋時鐘之間的頻率差和相位差。鑒頻鑒相器的鑒相死區和鑒相盲區決定著鎖相環的頻率捕獲范圍、鎖定時間、鑒相精度、頻率跟蹤性能等指標。鑒相死區是由于鑒頻鑒相器輸出具有相位差信息的輸出信號(up和dn)不足以讓鎖相環中的電荷泵模塊正常工作，導致鎖相環的頻率跟蹤性能、鑒相精度等性能下降情況。鑒相盲區是由于鑒頻鑒相器在復位過程中不能響應時鐘信號上升沿，隨后輸出具有錯誤相位差信息的輸出信號，導致鎖相環的頻率捕獲范圍、鎖定時間等性能下降情況。
2、隨著通信系統的數據傳輸速率不斷提高，對鎖相環提出了更高的性能要求，包括更寬的頻率捕獲范圍、更快的頻率鎖定速度、更佳的頻率跟蹤性能等，因此，設計高性能的鑒頻鑒相器顯得尤為重要。
技術實現思路
1、鑒于以上現有技術存在的問題，本專利技術提出一種雙復位路徑的鑒頻鑒相器，主要解決現有鑒頻鑒相器存在鑒相死區和鑒相盲區，難以滿足實際應用需求的問題。
2、為了實現上述目的及其他目的，本專利技術采用的技術方案如下。
3、本申請提供一種雙復位路徑的鑒頻鑒相器，包括：觸發電路，其對接收到的參考時鐘和反饋時鐘進行鑒頻鑒相，輸出具有相位差信息的輸出信號，并根據兩
4、在本申請一實施例中，所述觸發電路包括兩條并行的觸發子電路，其中一條觸發子電路接所述反饋時鐘，并在所述反饋時鐘對應的第一復位信號和所述第一路第二復位信號作用下產生放電信號；另一路觸發子電路接所述參考時鐘，并在所述參考時鐘對應的第一復位信號和所述第二路第二復位信號作用下產生充電信號，所述放電信號和所述充電信號組成所述輸出信號。
5、在本申請一實施例中，產生所述放電信號的觸發子電路包括第一nmos管、第二nmos管、第六nmos管、第一pmos管、第四pmos管；所述第一nmos管的柵極連接所述反饋時鐘，所述第一nmos管的漏極分別與所述第一pmos管的漏極、所述第四pmos管的柵極、所述第六nmos管的柵極、所述第一路第二復位信號連接，所述第一nmos管的源極與所述第二nmos管的漏極連接，所述第二nmos管的源極和所述第六nmos管的源極連接并接地，所述第二nmos管的柵極分別與所述第一pmos管的柵極、所述反饋時鐘對應的第一復位信號連接，所述第一pmos管的源極與第四pmos管的源極連接并接至電源電壓，所述第四pmos管的漏極與所述第六nmos管的漏極連接作為輸出端，以輸出所述放電信號。
6、在一實施例中，產生所述充電信號的觸發子電路包括第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第二pmos管、第三pmos管；所述第三nmos管的柵極連接所述參考時鐘，所述第三nmos管的漏極分別與所述第二pmos管的漏極、所述第三pmos管的柵極、所述第五nmos管的柵極、所述第二路第二復位信號連接，所述第三nmos管的源極與所述第四nmos管的漏極連接，所述第四nmos管的源極和所述第五nmos管的源極連接并接地，所述第四nmos管的柵極分別與所述第二pmos管的柵極、所述參考時鐘對應的第一復位信號連接，所述第二pmos管的源極與第三pmos管的源極連接并接至電源電壓，所述第三pmos管的漏極與所述第五nmos管的漏極連接作為輸出端，以輸出所述充電信號。
7、在本申請一實施例中，所述第一復位電路，包括第九pmos管、第十pmos管、第十一pmos管、第十二pmos管、第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管、第十一nmos管、第十二nmos管、第一反相器、第二反相器、第一延時器以及第二延時器；
8、所述第九pmos管的柵極分別與所述反饋時鐘、所述第一反相器的輸入端連接，所述第九pmos管的漏極與所述第十pmos管的源極連接，所述第九pmos管的源極與第十一pmos管的源極連接并接至電源電壓，所述第十pmos管的柵極、所述第七nmos管的柵極、所述第十二nmos管的柵極、所述第二延時器的輸出端相互連接；所述第十pmos管的漏極與所述第七nmos管的漏極連接以輸出所述反饋時鐘對應的第一復位信號；所述第七nmos管的源極分別與所述第八nmos管的漏極、所述第九nmos管的漏極連接，所述第八nmos管的柵極與所述第二反相器的輸出端連接以接入所述反相參考時鐘；所述第八nmos管的源極分別與所述第九nmos管的源極、所述第十一nmos管的源極、所述第十二nmos管的源極連接并接地；所述第九nmos管的柵極、所述第一延時器輸出端、所述第十二pmos管的柵極、所述第十nmos管的柵極相互連接；所述第一反相器輸出端輸出所述反相反饋時鐘；所述第一延時器的輸入端接所述放電信號；
9、所述第十一pmos管的柵極分別與所述參考時鐘、所述第二反相器的輸入端連接，所述第十一pmos管的漏極與所述第十二pmos管的源極連接，所述十二pmos管的漏極與所述第十nmos管的漏極、所述參考時鐘對應的第一復位信號連接，所述第十nmos管的源極分別與所述第十一nmos管的漏極、所述第十二nmos管的漏極連接，所述第十一nmos管的柵極與所述反相反饋時鐘連接，所述第二反相器的輸出端與所述反相參考時鐘連接，所述第二延時器的輸入端與所述充電信號連接。
10、在本申請一實施例中，所述第二復位電路包括兩路并行的復位子電路，其中一路所述復位子電路在所述反饋時鐘和所述反相參考時鐘的作用下產生所述第一路第二復位信號；另一路所述復位子電路在所述參考時鐘和所述反相反饋時鐘的作用下產生所述第二路第二復位信號。
11、在本申請一實施例中，所述第二復位電路包括第五pmos管、第六pmos管、第七pmos管和第八pmos管，其中，所述第五pmos管和所述第六pmos管組成其中一路復位子電路，所述第七pmos管和所述第八pmos管組成另一路復位子電路；所述第五pmos管的柵極與所述反相參考時鐘連接，所述第五pmos管的漏極與所述第一路第二復位信號連接，所述第五pmos管的源極與所述第六pmos管的漏極連接，所述第六pmos管的柵極與所述反饋時鐘連接，所述第六pmos管的源極與所述第七pmos管的源極連接并接電源電壓，所述第七pmos管的柵極與所述參考時鐘連接，所述第七pmos管的漏極與所述第八pmos管的源極連接本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述觸發電路包括兩條并行的觸發子電路，其中一條觸發子電路接所述反饋時鐘，并在反饋時鐘對應的第一復位信號和所述第一路第二復位信號作用下產生放電信號；另一路觸發子電路接所述參考時鐘，并在所述參考時鐘對應的第一復位信號和所述第二路第二復位信號作用下產生充電信號，所述放電信號和所述充電信號組成所述輸出信號。
3.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，產生所述放電信號的觸發子電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第四PMOS管；
4.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，產生所述充電信號的觸發子電路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管；
5.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第一復位電路包括第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九
6.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第二復位電路包括兩路并行的復位子電路，其中一路所述復位子電路在所述反饋時鐘和所述反相參考時鐘的作用下產生所述第一路第二復位信號；另一路所述復位子電路在所述參考時鐘和所述反相反饋時鐘的作用下產生所述第二路第二復位信號。
7.根據權利要求6所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第二復位電路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，其中，所述第五PMOS管和所述第六PMOS管組成其中一路復位子電路，所述第七PMOS管和所述第八PMOS管組成另一路復位子電路；
8.根據權利要求5所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第一反相器與所述第二反相器的電路結構相同，所述第一反相器包括第一晶體管和第二晶體管，其中所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的漏極連接作為所述第一反相器的輸出端，所述第一晶體管的源極接電源電壓，所述第二晶體管的源極接地；所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極連接作為所述第一反相器的輸入端，其中所述第一晶體管為PMOS晶體管，所述第二晶體管為NMOS晶體管。
9.根據權利要求5所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第一延時器與所述第二延時器的電路結構相同，所述第一延時器包括：至少兩個依次串聯的反相器。
10.根據權利要求1所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述鑒頻鑒相器的鑒相范圍包括[-2π，2π]。
...【技術特征摘要】
1.一種雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述觸發電路包括兩條并行的觸發子電路，其中一條觸發子電路接所述反饋時鐘，并在反饋時鐘對應的第一復位信號和所述第一路第二復位信號作用下產生放電信號；另一路觸發子電路接所述參考時鐘，并在所述參考時鐘對應的第一復位信號和所述第二路第二復位信號作用下產生充電信號，所述放電信號和所述充電信號組成所述輸出信號。
3.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，產生所述放電信號的觸發子電路包括第一nmos管、第二nmos管、第六nmos管、第一pmos管、第四pmos管；
4.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，產生所述充電信號的觸發子電路包括第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第二pmos管、第三pmos管；
5.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第一復位電路包括第九pmos管、第十pmos管、第十一pmos管、第十二pmos管、第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管、第十一nmos管、第十二nmos管、第一反相器、第二反相器、第一延時器以及第二延時器；
6.根據權利要求2所述的雙復位路徑的鑒頻鑒相器，其特征在于，所述第二復位電路包括兩路并...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊瀟雨，郭才運，王妍，吳昊，付曉君，袁軍，李佳偉，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第二十四研究所，
類型：發明
國別省市：
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