【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種諧振器及其制備方法、濾波器及電子設備。
技術介紹
1、目前，傳統的諧振器單元包括頂電極層、壓電層和底電極層。基于現有的圍堰結構空腔釋放型諧振器而言，不可避免的會有如下設計，即兩個諧振器單元會通過頂電極層或者底電極層相連。通過底電極層連接的兩個諧振器單元在制備完成后，會共用截止邊界層，此時會存在底電極層和截止邊界層直接接觸的現象。其中，該截止邊界層主要用于限定諧振器單元的空腔的部分邊界位置。
2、由于截止邊界層通常為非金屬材料，底電極層通常為金屬材料。因此截止邊界層和底電極層直接接觸的區域的粘附力較差，在空腔釋放工藝后，會存在底電極層與截止邊界層分層的現象，進而影響諧振器的結構穩定性及性能。
技術實現思路
1、鑒于上述問題，本申請提供了一種諧振器及其制備方法、濾波器及電子設備，諧振器中共用截止邊界層的區域，截止邊界層與底電極層接觸，且通過貫穿底電極層的凹槽與壓電層接觸，提高了諧振器的結構穩定性及其性能。具體方案如下：
2、本申請第一方面提供一種諧振器，所述諧振器包括：
3、襯底；
4、位于所述襯底一側的截止邊界層、底電極層和壓電層，所述底電極層位于所述截止邊界層和所述壓電層之間；
5、所述截止邊界層和所述壓電層形成相互獨立的多個空腔；
6、位于相鄰兩個所述空腔之間的底電極層具有貫穿所述底電極層的凹槽；
7、位于相鄰兩個所述空腔之間的截止邊界層與所述底電極層接觸，且通過所述
8、優選的，在上述諧振器中，所述凹槽在第一方向上的尺寸逐漸增大；所述第一方向垂直于所述襯底所在平面，且由所述襯底指向所述壓電層。
9、優選的，在上述諧振器中，所述凹槽的排布方式為陣列排布方式。
10、優選的，在上述諧振器中，一部分所述凹槽的形狀與另一部分所述凹槽的形狀不同。
11、優選的，在上述諧振器中，所述凹槽為條形凹槽或環形凹槽。
12、優選的，在上述諧振器中，一部分所述凹槽與另一部分所述凹槽存在交疊區域。
13、優選的，在上述諧振器中，所述諧振器還包括：
14、位于所述壓電層背離所述襯底一側的多個頂電極層；
15、相鄰兩個所述頂電極層之間存在間隔；所述多個頂電極層與所述多個空腔一一對應設置。
16、本申請第二方面提供一種諧振器的制備方法，所述諧振器的制備方法包括：
17、在形成壓電層以及底電極層之后，對所述底電極層的部分區域進行處理形成貫穿所述底電極層的凹槽；
18、形成截止邊界層，所述截止邊界層與所述底電極層接觸，且通過所述凹槽與所述壓電層接觸。
19、優選的，在上述諧振器的制備方法中，所述在形成壓電層以及底電極層之后，對所述底電極層的部分區域進行處理形成貫穿所述底電極層的凹槽，包括：
20、提供一臨時襯底；
21、在所述臨時襯底上依次形成頂電極層、所述壓電層以及所述底電極層；
22、對所述底電極層的部分區域進行處理形成貫穿所述底電極層的凹槽。
23、優選的，在上述諧振器的制備方法中，在形成所述截止邊界層之前，所述諧振器的制備方法還包括：
24、形成犧牲層，并基于空腔位置對所述犧牲層進行圖案化處理。
25、優選的，在上述諧振器的制備方法中，在形成所述截止邊界層之后，所述諧振器的制備方法還包括：
26、在所述截止邊界層背離所述臨時襯底的一側形成鍵合接觸層；
27、在所述鍵合接觸層背離所述臨時襯底的一側鍵合襯底；
28、去除所述臨時襯底，對所述頂電極層進行圖案化處理，執行空腔釋放工藝。
29、本申請第三方面提供一種濾波器，所述濾波器包括上述任一項所述的諧振器。
30、本申請第四方面提供一種電子設備，所述電子設備包括上述任一項所述的諧振器；
31、或，所述電子設備包括上述所述的濾波器。
32、借由上述技術方案，本申請提供了一種諧振器及其制備方法、濾波器及電子設備。位于相鄰兩個所述空腔之間的底電極層說明兩個諧振器單元之間是通過底電極層相連的，該位于相鄰兩個所述空腔之間的底電極層具有貫穿自身的凹槽，該凹槽會暴露出壓電層的表面。在此結構下位于相鄰兩個空腔之間的截止邊界層會與底電極層接觸，且還會通過凹槽與壓電層接觸。由于壓電層的材料與截止邊界層的材料均為非金屬材料，顯然截止邊界層與壓電層之間的粘附力會大于截止邊界層與底電極層之間的粘附力。通過截止邊界層基于底電極層上凹槽與壓電層接觸的方式，相當于是截止邊界層與壓電層接觸的這一部分會將截止邊界層與底電極層緊緊的壓合在一起，極大程度的解決在空腔釋放工藝后底電極層與截止邊界層會出現分層的問題，進而提高了諧振器的結構穩定性及其性能。
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1.一種諧振器，其特征在于，所述諧振器包括：
2.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽在第一方向上的尺寸逐漸增大；所述第一方向垂直于所述襯底所在平面，且由所述襯底指向所述壓電層。
3.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽的排布方式為陣列排布方式。
4.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，一部分所述凹槽的形狀與另一部分所述凹槽的形狀不同。
5.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽為條形凹槽或環形凹槽。
6.根據權利要求5所述的諧振器，其特征在于，一部分所述凹槽與另一部分所述凹槽存在交疊區域。
7.根據權利要求1-6任一項所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括：
8.一種諧振器的制備方法，其特征在于，所述諧振器的制備方法包括：
9.根據權利要求8所述的諧振器的制備方法，其特征在于，所述在形成壓電層以及底電極層之后，對所述底電極層的部分區域進行處理形成貫穿所述底電極層的凹槽，包括：
10.根據權利要求9所述的諧振器的制備方法，其特征在于
11.根據權利要求10所述的諧振器的制備方法，其特征在于，在形成所述截止邊界層之后，所述諧振器的制備方法還包括：
12.一種濾波器，其特征在于，所述濾波器包括權利要求1-7任一項所述的諧振器。
13.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括權利要求1-7任一項所述的諧振器；
...【技術特征摘要】
1.一種諧振器，其特征在于，所述諧振器包括：
2.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽在第一方向上的尺寸逐漸增大；所述第一方向垂直于所述襯底所在平面，且由所述襯底指向所述壓電層。
3.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽的排布方式為陣列排布方式。
4.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，一部分所述凹槽的形狀與另一部分所述凹槽的形狀不同。
5.根據權利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽為條形凹槽或環形凹槽。
6.根據權利要求5所述的諧振器，其特征在于，一部分所述凹槽與另一部分所述凹槽存在交疊區域。
7.根據權利要求1-6任一項所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括：<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡威威，張琪，馮端，
申請(專利權)人：深圳新聲半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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