【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及封裝，具體涉及一種水質敏感芯片的封裝結構及方法。
技術介紹
1、水質傳感器的敏感單元，可以采用mems技術與半導體工藝加工制作，即為水質敏感芯片。水質敏感芯片上有敏感結構，敏感結構通過化學或物理反應，將待測水質信號轉換為電信號。由于水質敏感芯片的敏感結構需要與待測水體接觸，現有的水質敏感芯片一般都是裸露的結構，不僅不便于配套使用，且芯片結構本身極易損壞，電信號通路也容易受到影響，很難長期穩定地應用到實際的水質監測中。
技術實現思路
1、為了克服現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種水質敏感芯片的封裝結構，能夠同時實現對水質敏感芯片的支撐保護、水密封、電連接以及耐水壓，有利于水質敏感芯片在水質監測領域的推廣應用。
2、為解決上述問題，本專利技術所采用的技術方案如下：所述水質敏感芯片包括敏感結構，所述封裝結構包括封裝外殼、隔離層和電連接結構，所述封裝外殼開設有水體通道，所述水質敏感芯片、所述隔離層與所述電連接結構均設于所述封裝外殼內，且所述隔離層位于所述水質敏感芯片與所述電連接結構之間，用于隔離外界水體與內部結構，所述敏感結構能夠與所述電連接結構電性連接，且所述敏感結構還能夠通過所述水體通道與外界水體接觸，并將電信號通過所述電連接結構向內界傳輸。
3、相比現有技術，本專利技術的有益效果在于：本封裝結構可以將水質敏感芯片封裝在封裝外殼內，既能夠對水質敏感芯片進行支撐保護，避免水質敏感芯片受到外界損壞，又能夠通過水體通道實現外界水體與敏感結構的接
4、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述敏感結構包括敏感電極和連接電極，所述敏感電極和所述連接電極電連接，所述連接電極能夠與所述電連接結構電連接，所述敏感電極用于感知外界水體，并通過所述連接電極與所述電連接結構將電信號向內界傳輸。
5、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述電連接結構與所述隔離層的內側電連接，所述連接電極與所述隔離層的外側電連接，所述隔離層的內側與外側電連接，其中，所述隔離層的內側為遠離于所述水體通道的一側。
6、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述隔離層的內側與外側通過隔離層電結構電連接，所述電連接結構與所述隔離層電結構的內側焊接固定，所述連接電極與所述隔離層電結構的外側焊接固定。
7、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述連接電極與所述隔離層電結構的焊接固定處覆蓋有防水膠，且所述防水膠不覆蓋所述敏感電極。
8、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述封裝外殼包括安裝殼和保護罩，所述保護罩連接于所述安裝殼的第一端，所述水質敏感芯片安裝于所述安裝殼內，且所述敏感結構相比所述電連接結構更加靠近于所述安裝殼的第一端，所述水體通道開設于所述保護罩。
9、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述安裝殼內開設有呈階梯分布的第一安裝腔和第二安裝腔，所述隔離層安裝于所述第一安裝腔與所述第二安裝腔之間的臺階處，所述電連接結構位于所述第一安裝腔內，所述水質敏感芯片位于所述第二安裝腔內，且所述第二安裝腔與所述水體通道連通。
10、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述水體通道與外界水體的連通口開設于所述保護罩的側部。
11、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述水體通道的中部寬度大于所述連通口的寬度。
12、上述的水質敏感芯片的封裝結構，所述封裝外殼的遠離于所述水體通道的一端內部填充有密封膠，所述密封膠覆蓋所述隔離層或者覆蓋所述隔離層與部分電連接結構。
13、本專利技術還提供了一種水質敏感芯片的封裝方法，采用上述的水質敏感芯片的封裝結構，包括如下步驟：
14、s1、提供水質敏感芯片、安裝殼、保護罩和隔離層；
15、s2、將連接電極與隔離層電結構的外側焊接固定；
16、s3、采用防水膠膠封連接電極與隔離層電結構的焊接固定處，并確保防水膠不覆蓋敏感電極；
17、s4、將電連接結構與隔離層電結構的內側電連接固定，電連接固定方法可以為焊接，導電膠固定等；
18、s5、將組合好的水質敏感芯片與隔離層安裝至安裝殼內；
19、s6、采用密封膠從內側覆蓋隔離層，或者是覆蓋隔離層與部分電連接結構，實現隔離層與安裝殼的連接固定；
20、s7、將保護罩固定連接至安裝殼的第一端。
21、本封裝方法可以完成水質敏感芯片的封裝，封裝操作方便，可以同時實現對水質敏感芯片的支撐保護、水密封、電連接以及耐水壓，能夠長期穩定地應用于水體測量，有利于水質敏感芯片在水質監測領域的推廣應用。
22、下面結合附圖和具體實施方式對本專利技術作進一步詳細說明。
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1.一種水質敏感芯片的封裝結構，所述水質敏感芯片(100)包括敏感結構(110)，其特征在于，所述封裝結構包括封裝外殼(200)、隔離層(300)和電連接結構(600)，所述封裝外殼(200)開設有水體通道(221)，所述水質敏感芯片(100)、所述隔離層(300)與所述電連接結構(600)均設于所述封裝外殼(200)內，且所述隔離層(300)位于所述水質敏感芯片(100)與所述電連接結構(600)之間，用于隔離外界水體與內部結構，所述敏感結構(110)能夠與所述電連接結構(600)電性連接，且所述敏感結構(110)還能夠通過所述水體通道(221)與外界水體接觸，并將電信號通過所述電連接結構(600)向內界傳輸。
2.根據權利要求1所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述敏感結構(110)包括敏感電極和連接電極，所述敏感電極和所述連接電極電連接，所述連接電極能夠與所述電連接結構(600)電連接，所述敏感電極用于感知外界水體，并通過所述連接電極與所述電連接結構(600)將電信號向內界傳輸。
3.根據權利要求2所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所
4.根據權利要求3所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述隔離層(300)的內側與外側通過隔離層電結構(310)電連接，所述電連接結構(600)與所述隔離層電結構(310)的內側焊接固定，所述連接電極與所述隔離層電結構(310)的外側焊接固定。
5.根據權利要求4所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述連接電極、所述隔離層電結構(310)的外側、以及所述連接電極與所述隔離層電結構(310)的焊接固定處均覆蓋有防水膠(400)，且所述防水膠(400)不覆蓋所述敏感電極。
6.根據權利要求1所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝外殼(200)包括安裝殼(210)和保護罩(220)，所述保護罩(220)連接于所述安裝殼(210)的第一端，所述水質敏感芯片(100)安裝于所述安裝殼(210)內，且所述敏感結構(110)相比所述電連接結構(600)更加靠近于所述安裝殼(210)的第一端，所述水體通道(221)開設于所述保護罩(220)。
7.根據權利要求6所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述安裝殼(210)內開設有呈階梯分布的第一安裝腔(211)和第二安裝腔(212)，所述隔離層(300)安裝于所述第一安裝腔(211)與所述第二安裝腔(212)之間的臺階(213)處，所述電連接結構(600)位于所述第一安裝腔(211)內，所述水質敏感芯片(100)位于所述第二安裝腔(212)內，且所述第二安裝腔(212)與所述水體通道(221)連通。
8.根據權利要求6所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述水體通道(221)與外界水體的連通口(222)開設于所述保護罩(220)的側部。
9.根據權利要求1所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝外殼(200)的遠離于所述水體通道(221)的一端內部填充有密封膠(500)，所述密封膠(500)覆蓋所述隔離層(300)或者覆蓋所述隔離層(300)與部分電連接結構(600)。
10.一種水質敏感芯片的封裝方法，其特征在于，采用如權利要求1-9任一項所述的水質敏感芯片的封裝結構，包括如下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種水質敏感芯片的封裝結構，所述水質敏感芯片(100)包括敏感結構(110)，其特征在于，所述封裝結構包括封裝外殼(200)、隔離層(300)和電連接結構(600)，所述封裝外殼(200)開設有水體通道(221)，所述水質敏感芯片(100)、所述隔離層(300)與所述電連接結構(600)均設于所述封裝外殼(200)內，且所述隔離層(300)位于所述水質敏感芯片(100)與所述電連接結構(600)之間，用于隔離外界水體與內部結構，所述敏感結構(110)能夠與所述電連接結構(600)電性連接，且所述敏感結構(110)還能夠通過所述水體通道(221)與外界水體接觸，并將電信號通過所述電連接結構(600)向內界傳輸。
2.根據權利要求1所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述敏感結構(110)包括敏感電極和連接電極，所述敏感電極和所述連接電極電連接，所述連接電極能夠與所述電連接結構(600)電連接，所述敏感電極用于感知外界水體，并通過所述連接電極與所述電連接結構(600)將電信號向內界傳輸。
3.根據權利要求2所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述電連接結構(600)與所述隔離層(300)的內側電連接，所述連接電極與所述隔離層(300)的外側電連接，所述隔離層(300)的內側與外側電連接，其中，所述隔離層(300)的內側為遠離于所述水體通道(221)的一側。
4.根據權利要求3所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在于，所述隔離層(300)的內側與外側通過隔離層電結構(310)電連接，所述電連接結構(600)與所述隔離層電結構(310)的內側焊接固定，所述連接電極與所述隔離層電結構(310)的外側焊接固定。
5.根據權利要求4所述的水質敏感芯片的封裝結構，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫銘銳，金建東，
申請(專利權)人：廣東芯閱科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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