【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于太陽能電池，具體涉及一種hjt太陽能電池及其制備方法。
技術介紹
1、hjt電池是一種可以低成本實現的高效晶體硅太陽能電池。該電池是利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池，即，以高壽命的n型硅為襯底，在p型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜。然后在摻雜的非晶硅薄膜的兩側沉積透明導電氧化物(tco)薄膜，最后通過絲網印刷技術在兩側形成金屬電極，形成具有對稱結構的hjt太陽能電池。
2、hjt電池是在硅片的前后表面沉積較薄的本征非晶硅薄膜進行鈍化，然后在前后本征層上分別沉積摻雜的p與n非晶硅層，形成異質結電池結構(p-asi\i-asi\c-si\i-asi\n-asi)。相關技術中，由于hjt電池中非晶硅主要有本征非晶硅和摻雜非晶硅，本征非晶硅對c-si界面的鈍化效果至關重要，優質的鈍化層可減少界面復合，從而提高少子壽命和開路電壓。受光面摻雜非晶硅層由于要保證良好的導電性，摻有雜質原子，缺陷密度較多，對太陽光寄生吸收較多，影響光的利用率，導致hjt電池短路電流較低，從而限制了hjt電池充分發揮高開壓的優勢，是影響hjt電池在光伏行業的競爭力及量產規模的關鍵因素。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本專利技術的實施例提出一種hjt太陽能電池，該hjt電池在增加透光性能的同時降低摻雜層電阻，并最終能夠提高電流密度。
2、本專利技術實施例的hjt太陽
3、n型硅層襯底，
4、所述n型硅層襯底的正面一側，由內到外依次疊層設置的第一本征非晶硅層、摻氫p型微晶氧化硅層、p型摻雜微晶硅層、第一tco層和第一集電極；
5、所述n型硅層襯底的背面一側，由內到外依次疊層設置的第二本征非晶硅層、摻氫n型微晶氧化硅層、n型摻雜微晶硅層、第二tco層和第二集電極。
6、本專利技術實施例的hjt太陽能電池帶來的優點和技術效果,在增加透光性能的同時降低摻雜層電阻，并最終能夠提高電流密度。
7、在一些實施例中，所述n型硅層襯底的厚度為60～170μm。
8、在一些實施例中，所述第一本征非晶硅層和/或所述第二本征非晶硅層的厚度為5～15nm。
9、在一些實施例中，所述摻氫p型微晶氧化硅層和/或所述摻氫n型微晶氧化硅層的厚度為10～20nm。
10、在一些實施例中，所述摻氫p型微晶氧化硅層和/或所述摻氫n型微晶氧化硅層的厚度為14～18nm。
11、在一些實施例中，所述p型摻雜微晶硅層和/或所述n型摻雜微晶硅層的厚度為8～30nm。
12、在一些實施例中，所述p型摻雜微晶硅層和/或所述n型摻雜微晶硅層的厚度為15～25nm。
13、在一些實施例中，所述第一tco層和/或所述第二tco層的厚度為70～100nm。
14、本專利技術實施例還提供了一種hjt太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：
15、(1)將硅片清洗后進行制絨，使硅片的正面和背面形成絨面層；
16、(2)在硅片的正面依次沉積第一本征非晶硅層、摻氫p型微晶氧化硅層和p型摻雜微晶硅層；
17、(3)在硅片的背面依次沉積第二本征非晶硅層、摻氫n型微晶氧化硅層和n型摻雜微晶硅層；
18、(4)在硅片的正面和背面分別沉積第一tco層和第二tco層；
19、(5)利用絲網印刷技術或電鍍技術進行金屬化，制備第一集電極和第二集電極，得到hjt電池。
20、在一些實施例中，所述步驟(2)和/或所述步驟(3)中，所述沉積的方法為射頻等離子體化學氣相沉積、甚高頻化學氣相沉積或熱絲氣相沉積。
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1.一種HJT太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述N型硅層襯底的厚度為60～170μm。
3.根據權利要求1所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅層和/或所述第二本征非晶硅層的厚度為5～15nm。
4.根據權利要求1所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述摻氫P型微晶氧化硅層和/或所述摻氫N型微晶氧化硅層的厚度為10～20nm。
5.根據權利要求4所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述摻氫P型微晶氧化硅層和/或所述摻氫N型微晶氧化硅層的厚度為14～18nm。
6.根據權利要求1所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述P型摻雜微晶硅層和/或所述N型摻雜微晶硅層的厚度為8～30nm。
7.根據權利要求6所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述P型摻雜微晶硅層和/或所述N型摻雜微晶硅層的厚度為15～25nm。
8.根據權利要求1所述的HJT太陽能電池，其特征在于，所述第一TCO層和/或所述第二TCO層的厚度為70～100nm。>
9.根據權利要求1～8任一項所述的HJT太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據權利要求9所述的HJT太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)和/或所述步驟(3)中，所述沉積的方法為射頻等離子體化學氣相沉積、甚高頻化學氣相沉積或熱絲氣相沉積。
...【技術特征摘要】
1.一種hjt太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的hjt太陽能電池，其特征在于，所述n型硅層襯底的厚度為60～170μm。
3.根據權利要求1所述的hjt太陽能電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅層和/或所述第二本征非晶硅層的厚度為5～15nm。
4.根據權利要求1所述的hjt太陽能電池，其特征在于，所述摻氫p型微晶氧化硅層和/或所述摻氫n型微晶氧化硅層的厚度為10～20nm。
5.根據權利要求4所述的hjt太陽能電池，其特征在于，所述摻氫p型微晶氧化硅層和/或所述摻氫n型微晶氧化硅層的厚度為14～18nm。
6.根據權利要求1所述的hjt太陽能電池，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：虞祥瑞，肖平，趙東明，田鴻翔，王瑋，汪海軍，
申請(專利權)人：中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司，
類型：發明
國別省市：
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