【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種高性能的聲表面波濾波器及其成型方法，屬于聲表面波濾波器。
技術(shù)介紹
1、近年來，隨著移動通信技術(shù)的快速發(fā)展，電子產(chǎn)品中，如手機(jī)、基站等需要的聲表面波濾波器(surface?acoustic?wave)數(shù)量也快速增加，這對saw濾波器的性能提出了新的需求與挑戰(zhàn)。目前，saw濾波的耐受功率和插入損耗還存在不足，其主要由于濾波器的尺寸比較小，其散熱性能不足，并且由于體波的原因?qū)е履芰肯蛞r底泄露。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)所要解決的第一個技術(shù)問題是：提供一種高性能的聲表面波濾波器，該聲表面波濾波器能夠阻隔體波的傳輸同時提高耐受功率。
2、本專利技術(shù)所要解決的第二個技術(shù)問題是：提供一種高性能的聲表面波濾波器的成型方法，該成型方法成型的聲表面波濾波器能夠阻隔體波的傳輸同時提高耐受功率。
3、為解決上述第一個技術(shù)問題，本專利技術(shù)的技術(shù)方案是：一種高性能的聲表面波濾波器，包括襯底層、壓電層和諧振器金屬層，所述壓電層設(shè)置于所述襯底層的上方，所述諧振器金屬層設(shè)置于所述壓電層的上方，所述諧振器金屬層中的電極連接區(qū)域的上表面還覆蓋有覆蓋金屬層，所述襯底層上位于諧振器金屬層的下方還設(shè)置有通道空腔，所述通道空腔的范圍覆蓋所述諧振器金屬層的叉指換能器。
4、作為一種優(yōu)選的方案，所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊。
5、作為一種優(yōu)選的方案，所述通
6、作為一種優(yōu)選的方案，所述上導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層的厚度相同且大于或者等于側(cè)導(dǎo)熱金屬層。
7、作為一種優(yōu)選的方案，所述上導(dǎo)熱金屬層、下導(dǎo)熱金屬層和側(cè)導(dǎo)熱金屬層的材質(zhì)相同且選用金、銀、銅、鋁、鉻、鈦中的單質(zhì)或者上述單質(zhì)的合金或復(fù)合層。
8、作為一種優(yōu)選的方案，所述通道空腔的橫截面為倒置的梯形。
9、作為一種優(yōu)選的方案，所述襯底層包括位于下方的第一襯底層和位于上方的第二襯底層，所述通道空腔設(shè)置在第二襯底層上。
10、作為一種優(yōu)選的方案，所述第一襯底層為高阻硅層，所述第二襯底層為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或者幾種。
11、采用了上述技術(shù)方案后，本專利技術(shù)的效果是：由于所述諧振器金屬層中的電極連接區(qū)域的上表面還覆蓋有覆蓋金屬層，而由于覆蓋金屬層不需要考慮壓電轉(zhuǎn)換作用，電極連接區(qū)域整體的橫截面積比較大，信號傳輸能量在該區(qū)域中的損失就比較小，從而可以減少電阻率，而所述襯底層上位于諧振器金屬層的下方還設(shè)置有通道空腔，所述通道空腔的范圍覆蓋所述諧振器金屬層的叉指換能器，通道空腔的存在可以阻擋體波的向下傳遞，從而提高濾波器的品質(zhì)因數(shù)。
12、又由于所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊，因此，當(dāng)諧振器金屬層通過大功率信號時候會產(chǎn)生大量的熱量，這些熱量會向周圍傳遞，當(dāng)熱量傳遞通過壓電層后會傳遞到上導(dǎo)熱金屬層，上導(dǎo)熱金屬層可以提供了良好的散熱，以此增加了諧振器的耐受功率。
13、又由于所述通道空腔的側(cè)壁和底壁還分別覆蓋有側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層，所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊，所述上導(dǎo)熱金屬層與側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層相連，同樣，諧振器金屬層產(chǎn)生的熱量可以更好的通過上導(dǎo)熱金屬層傳遞到側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層，最終傳遞到襯底層，從而提高了導(dǎo)熱性能，這種結(jié)構(gòu)具有良好的散熱性能，諧振器金屬層的耐受功率有很大的提高
14、又由于所述通道空腔的橫截面為倒置的梯形，這樣通道空腔的上部寬下部窄，可以使上導(dǎo)熱金屬層的寬度足夠覆蓋諧振器金屬層的同時通道空腔不會過大。從而整體結(jié)構(gòu)的支撐比較可靠。
15、為解決上述第二個技術(shù)問題，本專利技術(shù)的技術(shù)方案是：提供一種高性能的聲表面波濾波器的成型方法，該成型方法用于成型上述的高性能的聲表面波濾波器，包括以下步驟：
16、s1、提供襯底層，并通過氣相沉積或濺射工藝形成通道空腔；
17、s2、在通道空腔內(nèi)填充犧牲層；
18、s3、通過氣相沉積或者濺射工藝在犧牲層的上表面成型一層金屬形成上導(dǎo)熱金屬層，上導(dǎo)熱金屬層的表面與襯底層的上表面平齊；
19、s4、在上導(dǎo)熱金屬層制作一個通孔，并將通孔空腔內(nèi)的犧牲層導(dǎo)出；
20、s5、通過晶體離子注入剝離技術(shù)將壓電晶圓鍵合在襯底層和上導(dǎo)熱金屬層的表面形成壓電層；
21、s6、在壓電層的表面通過光刻工藝生成諧振器金屬層和覆蓋金屬層。
22、其中優(yōu)選的，所述步驟s1和步驟s2之間還增加步驟s1-2，所述步驟s1-2為，通過氣相沉積或者濺射工藝在通道空腔表面生成下導(dǎo)熱金屬層和側(cè)導(dǎo)熱金屬層。
23、采用了上述技術(shù)方案后，本專利技術(shù)的效果是：該成型方法成型濾波器能夠阻隔體波的傳輸同時提高耐受功率。
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1.一種高性能的聲表面波濾波器，包括襯底層、壓電層和諧振器金屬層，所述壓電層設(shè)置于所述襯底層的上方，所述諧振器金屬層設(shè)置于所述壓電層的上方，其特征在于：所述諧振器金屬層中的電極連接區(qū)域的上表面還覆蓋有覆蓋金屬層，所述襯底層上位于諧振器金屬層的下方還設(shè)置有通道空腔，所述通道空腔的范圍覆蓋所述諧振器金屬層的叉指換能器。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊。
3.如權(quán)利要求1所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述通道空腔的側(cè)壁和底壁還分別覆蓋有側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層，所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊，所述上導(dǎo)熱金屬層與側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層相連。
4.如權(quán)利要求3所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述上導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層的厚度相同且大于或者等于側(cè)導(dǎo)熱金屬
5.如權(quán)利要求4所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述上導(dǎo)熱金屬層、下導(dǎo)熱金屬層和側(cè)導(dǎo)熱金屬層的材質(zhì)相同且選用金、銀、銅、鋁、鉻、鈦中的單質(zhì)或者上述單質(zhì)的合金或復(fù)合層。
6.如權(quán)利要求1所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述通道空腔的橫截面為倒置的梯形。
7.如權(quán)利要求1所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述襯底層包括位于下方的第一襯底層和位于上方的第二襯底層，所述通道空腔設(shè)置在第二襯底層上。
8.如權(quán)利要求7所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述第一襯底層為高阻硅層，所述第二襯底層為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或者幾種。
9.一種高性能的聲表面波濾波器的成型方法，其特征在于：該成型方法用于成型權(quán)利要求1中的高性能的聲表面波濾波器，包括以下步驟：
10.如權(quán)利要求9所述的一種高性能的聲表面波濾波器的成型方法，其特征在于：所述步驟S1和步驟S2之間還增加步驟S1-2，所述步驟S1-2為，通過氣相沉積或者濺射工藝在通道空腔表面生成下導(dǎo)熱金屬層和側(cè)導(dǎo)熱金屬層。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種高性能的聲表面波濾波器，包括襯底層、壓電層和諧振器金屬層，所述壓電層設(shè)置于所述襯底層的上方，所述諧振器金屬層設(shè)置于所述壓電層的上方，其特征在于：所述諧振器金屬層中的電極連接區(qū)域的上表面還覆蓋有覆蓋金屬層，所述襯底層上位于諧振器金屬層的下方還設(shè)置有通道空腔，所述通道空腔的范圍覆蓋所述諧振器金屬層的叉指換能器。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊。
3.如權(quán)利要求1所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述通道空腔的側(cè)壁和底壁還分別覆蓋有側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層，所述壓電層位于通道空腔范圍內(nèi)的底部設(shè)置有上導(dǎo)熱金屬層，所述上導(dǎo)熱金屬層的兩側(cè)由壓電層支撐，所述上導(dǎo)熱金屬層的上表面與壓電層的上表面平齊，所述上導(dǎo)熱金屬層與側(cè)導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層相連。
4.如權(quán)利要求3所述的一種高性能的聲表面波濾波器，其特征在于：所述上導(dǎo)熱金屬層和下導(dǎo)熱金屬層的厚度相同且大于或者等于側(cè)導(dǎo)熱金屬層...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊斐，劉國慶，
申請(專利權(quán))人：蘇州聲芯電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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