【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電源電路，具體是共模降噪電平位移電路。
技術(shù)介紹
1、在集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中，往往通過(guò)采用電平位移技術(shù)將低壓信號(hào)轉(zhuǎn)換到高壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)低壓邏輯對(duì)高壓輸出級(jí)的控制。
2、作為集成電路的一種電路結(jié)構(gòu)，脈沖產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)包括反相器x1、第一脈沖單元xa、第二脈沖單元xb，電平位移電路包括第一高壓管hn1、第二高壓管hn2、電阻r1、電阻r2、濾波電路。反相器x1的輸入端連接的第一脈沖單元xa的輸入端，反相器x1的輸出端連接第二脈沖單元xb的輸入端，第一脈沖單元xa和第二脈沖單元xb分別產(chǎn)生脈沖信號(hào)xa、脈沖信號(hào)xb，兩個(gè)脈沖信號(hào)xa和xb，分別控制高壓信號(hào)hn1和hn2。兩個(gè)高壓管與其所連接的負(fù)載電阻r1、r2，共同組成電平位移電路進(jìn)行電平位移轉(zhuǎn)換，然后經(jīng)過(guò)濾波電路連接到電路的輸出端。但傳統(tǒng)的電平位移電路存在兩方面不足：
3、一方面，傳統(tǒng)的電平位移電路對(duì)dv/dt噪聲的抑制能力較弱，濾波電路連接的vs電壓從低壓到高壓快速跳變時(shí)噪聲會(huì)耦合到內(nèi)部電路，導(dǎo)致內(nèi)部邏輯出現(xiàn)錯(cuò)誤。
4、另一方面，傳統(tǒng)的電平位移電路由于存在濾波電路，導(dǎo)致傳輸延時(shí)較長(zhǎng)、電路中信號(hào)的轉(zhuǎn)換速度較慢，限制了工作頻率，使得電平位移電路的使用場(chǎng)合受限。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供共模降噪電平位移電路，通過(guò)設(shè)置高瞬態(tài)電壓下的共模電平位移電路對(duì)dv/dt噪聲進(jìn)行有效抑制，能夠有效降低噪聲，有效解決高邊地vs從低壓到高壓快速跳變時(shí)噪聲耦合導(dǎo)致的邏輯錯(cuò)誤問(wèn)題。
3、第一方面，本專利技術(shù)提供一種共模降噪電平位移電路，所述共模降噪電平位移電路用于抑制高瞬態(tài)電壓噪聲，所述共模降噪電平位移電路包括共模電路模塊、穩(wěn)壓模塊、rc延時(shí)模塊、門電路模塊、觸發(fā)器和反相器模塊；
4、所述共模電路模塊用于過(guò)濾共模信號(hào)，通過(guò)過(guò)濾共模信號(hào)能夠減少所述降低所述電平位移電路的電磁干擾；所述共模電路模塊的輸入端電連接所述穩(wěn)壓模塊的輸出端，所述穩(wěn)壓模塊用于穩(wěn)定共模電路模塊的輸入端電壓，有利于提升輸入共模電路模塊的電壓的穩(wěn)定性；所述共模電路模塊的輸出端電連接所述rc延時(shí)模塊的輸入端，所述rc延時(shí)模塊用于延時(shí)信號(hào)及濾波；所述rc延時(shí)模塊的輸出端電連接所述門電路模塊的輸入端，所述門電路模塊的輸出端電連接所述觸發(fā)器的輸入端，所述觸發(fā)器的輸出端與反相器模塊的輸入端電連接，所述反相器的輸出端作為高壓輸出信號(hào)端out，所述觸發(fā)器通過(guò)接收觸發(fā)信號(hào)翻轉(zhuǎn)所述共模降噪電平位移電路的穩(wěn)定狀態(tài)。
5、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述共模電路模塊包括第一共模單元m1和第二共模單元m2，所述第一共模單元m1包括第一電流源i1和第二電流源i2，第一電流源i1的輸出端電連接第二電流源i2的輸入端，所述第二共模單元m2包括第三電流源i3和第四電流源i4，第三電流源i3的輸出端電連接第四電流源i4的輸入端，第四電流源i4的輸出端形成高邊地vs。
6、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述穩(wěn)壓模塊包括第一開(kāi)關(guān)單元、第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧⒌诙_(kāi)關(guān)單元和第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧谝婚_(kāi)關(guān)單元的一端電連接第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮斎攵耍谝环€(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆穗娺B接第一共模單元m1的輸入端，第二開(kāi)關(guān)單元的一端電連接第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮斎攵耍诙€(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆穗娺B接第二共模單元m2的輸入端。
7、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述第一開(kāi)關(guān)單元為第一nmos管hn1，第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧獮榈谝环€(wěn)壓二極管d1，第二開(kāi)關(guān)單元為第二nmos管hn2，第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧獮榈诙€(wěn)壓二極管d2，第一nmos管hn1的柵極接收脈沖信號(hào)pulse_f,第一nmos管hn1的源極接地，第一nmos管hn1的漏極電連接第一穩(wěn)壓二極管d1的陽(yáng)極、第一共模單元m1和第二共模單元m2的一個(gè)連接端并在三者的連接交匯點(diǎn)形成fa電位點(diǎn)，第一穩(wěn)壓二極管d1的陰極形成高邊電源點(diǎn)vb，fa電位點(diǎn)用于控制第一共模單元m1中第二電流源i2處的電流以及第二共模單元m2中第三電流源i3處的電流；
8、第一穩(wěn)壓二極管d1的陰極電連接第一電流源i1的輸入端，第二nmos管hn2的柵極用于接收脈沖信號(hào)pulse_r，第二nmos管hn2的源極接地，第二nmos管hn2的漏極電連接第二穩(wěn)壓二極管d2的陽(yáng)極、第一共模單元m1和第二共模單元m2的一個(gè)連接端并在三者的連接交匯點(diǎn)形成ra電位點(diǎn)，ra電位點(diǎn)用于控制第一共模單元m1中第一電流源i1處的電流以及第二共模單元m2中第四電流源i4處的電流。
9、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：第一穩(wěn)壓二極管d1和/或第二穩(wěn)壓二極管d2為齊納管，第一穩(wěn)壓二極管d1和第二穩(wěn)壓二極管d2具有箝位保護(hù)作用。
10、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述rc延時(shí)模塊包括第一rc延時(shí)模塊、第二rc延時(shí)模塊、第一檢流單元、第二檢流單元、第三開(kāi)關(guān)單元和第四開(kāi)關(guān)單元，所述第一rc延時(shí)模塊與第三開(kāi)關(guān)單元分別并聯(lián)連接在所述第一共模單元m1的兩端，第三開(kāi)關(guān)單元與第一共模單元m1的輸入端連接有第一檢流單元，所述第二rc延時(shí)模塊與第四開(kāi)關(guān)單元分別并聯(lián)連接在所述第二共模單元m2的兩端，第四開(kāi)關(guān)單元的一端與第二共模單元m2的輸入端之間連接有第二檢流單元。
11、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述第一rc延時(shí)模塊包括第一電阻r1以及與第一電阻r1兩端并聯(lián)的第一電容c1，第三開(kāi)關(guān)單元為第一中壓/低壓nmos管n1，第一中壓/低壓nmos管n1的柵極電連接第一電容c1的一端，第一中壓/低壓nmos管n1的源極電連接第二電流源i2的輸出端，第一中壓/低壓nmos管n1的漏極電連接第一檢流單元的輸出端，第一檢流單元為第五電流源i5；
12、所述第二rc延時(shí)模塊包括第二電阻r2以及與第二電阻r2兩端并聯(lián)的第二電容c2，第四開(kāi)關(guān)單元為第二中壓/低壓nmos管n2，第二中壓/低壓nmos管n2的柵極電連接第二電容c2的一端，第二中壓/低壓nmos管n2的源極電連接第四電流源i4的輸出端，第二中壓/低壓nmos管n2的漏極電連接第二檢流單元的輸出端，第二檢流單元為第六電流源i6。
13、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述門電路模塊包括第二數(shù)字單元反相器x2、第三數(shù)字單元反相器x3、第四數(shù)字單元與非門x4和第五數(shù)字單元與非門x5，第二數(shù)字單元反相器x2的輸入端電連接第五數(shù)字單元與非門x5的第一輸入端；
14、第二數(shù)字單元反相器x2的輸出端電連接第四數(shù)字單元與非門x4的第一輸入端，第四數(shù)字單元與非門x4的第二輸入端電連接第三數(shù)字單元反相器x3的輸入端，第三數(shù)字單元反相器x3的輸出端電連接第五數(shù)字單元與非門x5的第二輸入端；
15、第二數(shù)字單元反相器x2的輸入端電連接所述第一中壓/低壓nmos管n1的漏極，第三數(shù)字單元反相器x3的輸入端電連接第二中壓/低壓nmos管n2的漏極。
16、作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述觸發(fā)器為rs觸發(fā)器，所述觸發(fā)器包括第六數(shù)字單元與非門x6和第七數(shù)字單元與非門x7，第六數(shù)字單元與非門x6的第一輸入端電連接第四數(shù)字單元與本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種共模降噪電平位移電路，其特征在于，所述共模降噪電平位移電路用于抑制高瞬態(tài)電壓噪聲，所述共模降噪電平位移電路包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述共模電路模塊包括第一共模單元和第二共模單元，所述第一共模單元包括第一電流源和第二電流源，第一電流源的輸出端電連接第二電流源的輸入端，所述第二共模單元包括第三電流源和第四電流源，第三電流源的輸出端電連接第四電流源的輸入端，第四電流源的輸出端形成高邊地VS。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓模塊包括第一開(kāi)關(guān)單元、第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧⒌诙_(kāi)關(guān)單元和第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧谝婚_(kāi)關(guān)單元的一端電連接第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮斎攵耍谝环€(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆穗娺B接第一共模單元的輸入端，第二開(kāi)關(guān)單元的一端電連接第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮斎攵耍诙€(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆穗娺B接第二共模單元的輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述第一開(kāi)關(guān)單元為第一NMOS管，第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧獮榈谝环€(wěn)壓二極管，第二開(kāi)關(guān)單元為第二NMOS管，第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧獮榈诙€(wěn)壓二極管，第一NMOS管的
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：第一穩(wěn)壓二極管和/或第二穩(wěn)壓二極管為齊納管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述RC延時(shí)電路模塊包括第一RC延時(shí)模塊、第二RC延時(shí)模塊、第一檢流單元、第二檢流單元、第三開(kāi)關(guān)單元和第四開(kāi)關(guān)單元，所述第一RC延時(shí)模塊與第三開(kāi)關(guān)單元分別并聯(lián)連接在所述第一共模單元的兩端，第三開(kāi)關(guān)單元與第一共模單元的輸入端連接有第一檢流單元，所述第二RC延時(shí)模塊與第四開(kāi)關(guān)單元分別并聯(lián)連接在所述第二共模單元的兩端，第四開(kāi)關(guān)單元的一端與第二共模單元的輸入端之間連接有第二檢流單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述第一RC延時(shí)模塊包括第一電阻以及與第一電阻兩端并聯(lián)的第一電容，第三開(kāi)關(guān)單元為第一中壓/低壓NMOS管，第一中壓/低壓NMOS管的柵極電連接第一電容的一端，第一中壓/低壓NMOS管的源極電連接第二電流源的輸出端，第一中壓/低壓NMOS管的漏極電連接第一檢流單元的輸出端，第一檢流單元為第五電流源；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述門電路模塊包括第二數(shù)字單元反相器、第三數(shù)字單元反相器、第四數(shù)字單元與非門和第五數(shù)字單元與非門，第二數(shù)字單元反相器的輸入端電連接第五數(shù)字單元與非門的第一輸入端；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述觸發(fā)器為RS觸發(fā)器，所述觸發(fā)器包括第六數(shù)字單元與非門和第七數(shù)字單元與非門，第六數(shù)字單元與非門的第一輸入端電連接第四數(shù)字單元與非門的輸出端，第六數(shù)字單元與非門的第二輸入端電連接第七數(shù)字單元與非門的輸出端，第六數(shù)字單元與非門的輸出端電連接第七數(shù)字單元與非門的第一輸入端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述反相器模塊為第八數(shù)字單元反相器，第八數(shù)字單元反相器的輸入端電連接第七數(shù)字單元與非門的輸出端，第八數(shù)字單元反相器的輸出端作為所述共模降噪電平位移電路的信號(hào)輸出端。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種共模降噪電平位移電路，其特征在于，所述共模降噪電平位移電路用于抑制高瞬態(tài)電壓噪聲，所述共模降噪電平位移電路包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述共模電路模塊包括第一共模單元和第二共模單元，所述第一共模單元包括第一電流源和第二電流源，第一電流源的輸出端電連接第二電流源的輸入端，所述第二共模單元包括第三電流源和第四電流源，第三電流源的輸出端電連接第四電流源的輸入端，第四電流源的輸出端形成高邊地vs。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓模塊包括第一開(kāi)關(guān)單元、第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧⒌诙_(kāi)關(guān)單元和第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧谝婚_(kāi)關(guān)單元的一端電連接第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮斎攵耍谝环€(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆穗娺B接第一共模單元的輸入端，第二開(kāi)關(guān)單元的一端電連接第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮斎攵耍诙€(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆穗娺B接第二共模單元的輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述第一開(kāi)關(guān)單元為第一nmos管，第一穩(wěn)壓?jiǎn)卧獮榈谝环€(wěn)壓二極管，第二開(kāi)關(guān)單元為第二nmos管，第二穩(wěn)壓?jiǎn)卧獮榈诙€(wěn)壓二極管，第一nmos管的柵極接收脈沖信號(hào)pulse_f,第一nmos管的源極接地，第一nmos管的漏極電連接第一穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極、第一共模單元m1和第二共模單元m2的一個(gè)連接端并在三者的連接交匯點(diǎn)形成fa電位點(diǎn)，第一穩(wěn)壓二極管的陰極形成高邊電源點(diǎn)vb；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：第一穩(wěn)壓二極管和/或第二穩(wěn)壓二極管為齊納管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的共模降噪電平位移電路，其特征在于：所述rc延時(shí)電路模塊包括第一rc延時(shí)模塊、第二rc延時(shí)模塊、第一檢流單元、第...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：譚在超，劉建國(guó)，羅寅，丁國(guó)華，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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