【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及磁流變阻尼器，特別涉及一種采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器。
技術介紹
1、磁流變阻尼器是以磁流變液為工作介質的一種新型智能阻尼器件。基于磁流變效應研發的磁流變阻尼器具有結構簡單、體積小、能耗低、響應快等優點。因其阻尼可調的特性，被廣泛用于汽車減振、假肢等振動控制領域。
2、傳統的磁流變阻尼器通常將活塞設計為工字型結構，將單組或多組勵磁線圈纏繞于活塞中間區域的線圈槽上，活塞與阻尼器筒壁之間設有液流通道。勵磁線圈中通入電流時，在液流通道處形成垂直于液流方向的磁場，流經此通道的磁流變液產生磁流變效應。通過改變勵磁線圈電流的大小進而改變磁感應強度,實現阻尼的可變調節。由于線圈槽占據活塞大部分的軸向長度，使活塞的有效工作長度較小，影響阻尼力的輸出。為增長有效工作長度，常用的方式是在線圈槽上增設導磁環和隔磁環。此方式雖然可以讓更多的液流通道受到磁場的作用，但會導致磁場分布不均勻。靠近勵磁線圈的液流通道會產生較強的磁場，而遠離線圈的液流通道磁場較弱，導致整體工作效率的下降，并且容易發生局部磁飽和。此外，這種設計增加了結構的復雜性，難以滿足不同工況下的實際應用需求。
3、綜上，現有技術當中，線圈槽占據了活塞大部分的軸向長度，使得活塞的有效工作長度較小，影響阻尼力的輸出，而通過增設導磁環和隔磁環會導致磁場分布不均勻，從而導致整體工作效率的下降，并且容易發生局部磁飽和。
技術實現思路
1、基于此，本專利技術的目的是提供一種采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器
2、本專利技術提供一種采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，包括：
3、內筒，所述內筒的兩端分別固定連接有左端蓋、右端蓋，所述內筒的外壁上設有若干通槽，所述通槽為軸向液流通道；
4、外筒，套設在所述內筒的外壁上；
5、左活塞桿以及右活塞桿，均設置在所述內筒的內部，所述左活塞桿的一端貫穿所述左端蓋，所述右活塞桿的一端貫穿所述右端蓋；
6、繞線架，設置在所述內筒的內部，所述繞線架的兩端分別套設在所述左活塞桿上、所述右活塞桿上；
7、若干勵磁線圈，均勻的布設在所述繞線架上，若干所述勵磁線圈與若干所述軸向液流通道交錯設置；
8、其中，若干所述勵磁線圈用于產生磁場，所述磁場穿過若干所述軸向液流通道，并在所述軸向液流通道形成閉合磁場回路，以擴大磁場沿軸向的覆蓋范圍，增長阻尼器的工作長度。
9、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：在內筒上設置若干軸向液流通道，并采用多勵磁線圈，能夠引導磁場在軸向液流通道處形成閉合磁場回路，增加有效工作長度，從而能夠在外形尺寸不變的情況下，有效提高阻尼器的輸出阻尼力，并且磁場由繞線架出發通過內筒上的軸向液流通道回到繞線架，可以引導形成閉合磁場回路，使得軸向液流通道內的磁力線均勻分布，避免出現整體工作效率下降以及局部磁飽和的問題。
10、進一步的，所述左端蓋、所述右端蓋分別通過螺釘固接在所述內筒的兩端。
11、進一步的，所述左端蓋與所述內筒的一端之間以及所述右端蓋與所述內筒的另一端之間均設有密封圈。
12、進一步的，所述左端蓋上設有用于穿過所述左活塞桿一端的第一通孔，所述右端蓋上設有用于穿過所述右活塞桿一端的第二通孔。
13、進一步的，所述繞線架的兩端分別設有活塞頭左端蓋以及活塞頭右端蓋，所述活塞頭左端蓋與所述左活塞桿對應設置，所述活塞頭右端蓋與所述右活塞桿對應設置。
14、進一步的，所述繞線架的上均勻設有若干擋流板，若干所述擋流板與若干所述勵磁線圈交錯設置。
15、進一步的，所述外筒靠近所述右活塞桿的一端設有端罩。
16、進一步的，所述左活塞桿以及所述右活塞桿為階梯狀結構。
17、進一步的，所述內筒以及所述繞線架均為導磁材料制成。
18、進一步的，若干所述勵磁線圈一一對應繞設在若干所述磁極結構上，若干所述勵磁線圈的數量為偶數個。
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1.一種采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左端蓋、所述右端蓋分別通過螺釘固接在所述內筒的兩端。
3.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左端蓋與所述內筒的一端之間以及所述右端蓋與所述內筒的另一端之間均設有密封圈。
4.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左端蓋上設有用于穿過所述左活塞桿一端的第一通孔，所述右端蓋上設有用于穿過所述右活塞桿一端的第二通孔。
5.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述繞線架的兩端分別設有活塞頭左端蓋以及活塞頭右端蓋，所述活塞頭左端蓋與所述左活塞桿對應設置，所述活塞頭右端蓋與所述右活塞桿對應設置。
6.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述繞線架的上均勻設有若干擋流板，若干所述擋流板與若干所述勵磁線圈交錯設置。
7.根據權利要求1所述的采
8.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左活塞桿以及所述右活塞桿為階梯狀結構。
9.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述內筒以及所述繞線架均為導磁材料制成。
10.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，若干所述勵磁線圈一一對應繞設在若干所述磁極結構上，若干所述勵磁線圈的數量為偶數個。
...【技術特征摘要】
1.一種采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左端蓋、所述右端蓋分別通過螺釘固接在所述內筒的兩端。
3.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左端蓋與所述內筒的一端之間以及所述右端蓋與所述內筒的另一端之間均設有密封圈。
4.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述左端蓋上設有用于穿過所述左活塞桿一端的第一通孔，所述右端蓋上設有用于穿過所述右活塞桿一端的第二通孔。
5.根據權利要求1所述的采用多磁極激勵的內外筒式磁流變阻尼器，其特征在于，所述繞線架的兩端分別設有活塞頭左端蓋以及活塞頭右端蓋，所述活塞頭左端蓋與所述左活塞桿對應設置，所述活...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡國良，蔡升龍，喻理梵，張佳偉，劉俊輝，朱文才，吳益根，余九，
申請(專利權)人：華東交通大學，
類型：發明
國別省市：
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