【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電力電子，具體而言，涉及一種sic?mos管驅動電路及電力電子變換器。
技術介紹
1、近年來，由于以sic?mos管為代表的寬禁帶半導體具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已經成為高頻、高效、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。而隨著sicmos管開關速度的加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象越來越嚴重，由于sic?mos管正向與負向安全電壓較小，串擾問題引起的電壓尖峰容易造成sic?mos管的柵源極擊穿。
2、針對上述的問題，目前尚未提出有效的解決方案。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種sic?mos管驅動電路及電力電子變換器，以至少解決驅動電路中串擾問題引起的電壓尖峰易造成sic?mos管柵源極擊穿的技術問題。
2、根據本申請實施例的一個方面，提供了一種sic?mos管驅動電路，包括：供電電源、脈寬調制器、圖騰驅動模塊、負壓模塊、對地鉗位模塊和sic?mos管，其中，圖騰驅動模塊的第一端與供電電源的正極連接，圖騰驅動模塊的第二端與脈寬調制器的第一端連接，圖騰驅動模塊的第三端與脈寬調制器的第二端連接，圖騰驅動模塊的第四端與sic?mos管的柵極連接；負壓模塊的第一端與供電電源的正極連接，負壓模塊的第二端與脈寬調制器的第二端連接，負壓模塊的第三端與sic?mos管的源極連接；對地鉗位模塊的第一端與脈寬調制器的第一端連接，對地鉗位模塊的第二端與sic?mos管的柵極連接，對地鉗位模塊的第三端與供電電源的正極連接；供電電源的負極接
3、可選地，圖騰驅動模塊中包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管和第二三極管，其中，第一電阻的第一端與脈寬調制器的第一端連接；第二電阻的第一端與供電電源的正極連接；第一三極管的基極與第一電阻的第二端連接，第一三極管的集電極與第二電阻的第二端連接，第一三極管的發射極與sic?mos管的柵極連接；第二三極管的基極與第一電阻的第二端連接，第二三極管的發射極與sic?mos管的柵極連接，第二三極管的集電極與第三電阻的第一端連接；第三電阻的第二端與脈寬調制器的第二端連接。
4、可選地，第一三極管為npn型三極管，第二三極管為pnp型三極管。
5、可選地，負壓模塊中包括：第四電阻、第一穩壓管和第一電容，其中，第四電阻的第一端與供電電源的正極連接，第四電阻的第二端與sic?mos管的源極連接；第一穩壓管的正極與脈寬調制器的第二端連接，第一穩壓管的負極與sic?mos管的源極連接；第一電容的第一端與脈寬調制器的第二端連接，第一電容的第二端與sic?mos管的源極連接。
6、可選地，對地鉗位模塊中包括：第五電阻、第六電阻、第一二極管、第二電容、第一開關和第二開關，其中，第五電阻的第一端與供電電源的正極連接，第五電阻的第二端與第二開關的第一控制端連接；第六電阻的第一端與脈寬調制器的第一端連接，第六電阻的第二端與第一開關的第一控制端連接；第一二極管的正極與脈寬調制器的第一端連接，第一二極管的負極與第一開關的第一控制端連接；第二電容的第一端與第一開關的第一控制端連接，第二電容的第二端接地；第一開關的第一接線端與第五電阻的第二端連接，第一開關的第二接線端和第二控制端接地；第二開關的第一接線端與sic?mos管的柵極連接，第二開關的第二接線端和第二控制端接地。
7、可選地，第一開關僅在其第一控制端的輸入為正壓時導通，第二開關僅在其第一控制端的輸入為正壓時導通。
8、可選地，第六電阻為可調電阻，第二電容為可調電容。
9、可選地，電路中還包括：第七電阻，其中，第七電阻的第一端與sic?mos管的柵極連接，第七電阻的第二端與sic?mos管的源極連接。
10、可選地，電路中還包括：第三電容，其中，第三電容的第一端與sic?mos管的柵極連接，第三電容的第二端與sic?mos管的源極連接。
11、根據本申請實施例的另一方面，還提供了一種電力電子變換器，包括上述sic?mos管驅動電路。
12、本申請實施例的sic?mos管驅動電路中包括：供電電源、脈寬調制器、圖騰驅動模塊、負壓模塊、對地鉗位模塊和sic?mos管，其中，通過在對地鉗位模塊中設置第一開關、第二開關、以及可調的第六電阻和第二電容，以應對高電平和低電平兩種情況，在低電平時，通過閉合第二開關使得sic?mos管被鉗到地，并通過更改第六電阻和第二電容的值來控制第二開關的導通時間，可以有效抑制sic?mos管柵源極的電壓尖峰，進而解決了驅動電路中串擾問題引起的電壓尖峰易造成sic?mos管柵源極擊穿的技術問題。
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1.一種SiC?MOS管驅動電路，其特征在于，包括：供電電源、脈寬調制器、圖騰驅動模塊、負壓模塊、對地鉗位模塊和SiC?MOS管，其中，
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述圖騰驅動模塊中包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管和第二三極管，其中，
3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述負壓模塊中包括：第四電阻、第一穩壓管和第一電容，其中，
5.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述對地鉗位模塊中包括：第五電阻、第六電阻、第一二極管、第二電容、第一開關和第二開關，其中，
6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，
7.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路中還包括：第七電阻，其中，
9.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路中還包括：第三電容，其中，
10.一種電力電子變換器，其特征在于，包括：權利要求1至9中任意一項所述的SiC?MOS管驅動
...【技術特征摘要】
1.一種sic?mos管驅動電路，其特征在于，包括：供電電源、脈寬調制器、圖騰驅動模塊、負壓模塊、對地鉗位模塊和sic?mos管，其中，
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述圖騰驅動模塊中包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管和第二三極管，其中，
3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述負壓模塊中包括：第四電阻、第一穩壓管和第一電容，其中，
5.根據權利要求1所述的電路，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李銳，朱益波，孫濤，包凱，
申請(專利權)人：杭州中恒電氣股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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