【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體涉及一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲器控制器及存儲系統。
技術介紹
1、存儲器中的存儲單元包括存儲1比特信息的單級單元和存儲至少2比特信息的多級單元。具有單級單元的存儲器的雖然寫入速度更快、可靠性更高，但存儲容量小、成本高；具有多級單元的存儲器雖然寫入速度相對更慢、可靠性相對更低，但存儲容量大、成本低。
2、存儲器同時兼具單級單元的寫入速度快、可靠性高以及多級單元的存儲容量大、成本低。因此，如何靈活配置存儲器，使其實現縮短數據的讀取時長，成為亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本申請提供一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲器控制器及存儲系統，可以縮短數據的讀取時長，提高存儲器的響應速率。
2、本申請提供一種存儲器的操作方法，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述操作方法包括：
3、接收讀取命令，對應于接收的所述讀取命令包括前綴命令；
4、依據所述前綴命令，確定讀取第一至第n組邏輯頁數據中各有效數據態的特用讀取電壓；
5、其中，所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓個數小于所述第n組邏輯頁數據的預設讀取電壓個數。
6、在本申請
7、在本申請的一實施方案中，所述預設數據態包括預設數據，所述接收讀取命令之后的步驟包括：
8、接收讀取命令行，并在地址周期內根據接收的地址信號獲取待讀取的第n組邏輯頁數據所在的邏輯地址；
9、在接收到開始執行讀取命令行后，根據所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓讀取對應的預設數據；
10、確定所述特用讀取電壓之后的步驟包括：
11、采用所述前綴命令對應的運算式，對讀取到的所述有效數據態對應的所述預設數據進行邏輯運算得到所述邏輯頁數據。
12、在本申請的一實施方案中，還包括：
13、當n與m的差值為1時，所述前綴命令包括第一子前綴命令；其中，所述第一子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的2n個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算；
14、根據所述第n組邏輯頁數據的n個特用讀取電壓和所述第一子前綴命令，從所述存儲單元陣列中讀取2n個所述有效數據態對應的預設數據，并對所述2n個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算生成第n組邏輯頁數據。
15、在本申請的一實施方案中，還包括：
16、當n與m的差值為2時，所述前綴命令包括第二子前綴命令；其中，所述第二子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的2n個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算，
17、根據所述第n組邏輯頁數據的n個特用讀取電壓和所述第二子前綴命令，從所述存儲單元陣列中讀取2n個所述有效數據態對應的預設數據，并對所述2n個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算生成所述第n組邏輯頁數據。
18、在本申請的一實施方案中，還包括：
19、當n與m的差值為3時，所述前綴命令包括第三子前綴命令c；其中，所述第三子前綴命令指示第n+1組邏輯頁數據等于第n組邏輯頁數據；
20、根據所述第三子前綴命令從存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據，對所述第n組邏輯頁數據執行復制操作生成第n+1組邏輯頁數據。
21、在本申請的一實施方案中，還包括：
22、對應于接收到的所述讀取命令不包括所述前綴命令，根據所述第n組邏輯頁數據的預設讀取電壓，從所述存儲單元陣列中讀取m組邏輯頁數據。
23、第二方面，本申請還提供一種存儲器控制器，所述存儲器控制器耦合到存儲器，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述存儲器控制器被配置為：
24、發送包括前綴命令的取讀命令至所述存儲器，以使得所述存儲器依據所述前綴命令，確定讀取第一至第n邏輯頁數據中各有效數據態的特用讀取電壓；
25、其中，所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓個數小于所述第n組邏輯頁數據的預設讀取電壓個數。
26、在本申請的一實施方案中，發送所述讀取命令之后，所述存儲器控制器被配置為：
27、發送讀取命令行至所述存儲器，并在地址周期內發送地址信號至所述存儲器，以使得所述存儲器根據所述地址信號獲取待讀取的第n組邏輯頁數據所在的邏輯地址；
28、發送開始執行讀取命令行至所述存儲器，以使得所述存儲器根據所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓讀取對應的預設數據，并使得所述存儲器采用所述前綴命令對應的運算式，對讀取到的所述有效數據態對應的所述預設數據進行邏輯運算得到所述邏輯頁數據。
29、在本申請的一實施方案中，所述預設數據態包括預設數據，所述前綴命令包括第一子前綴命令，所述第一子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的三個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算，n與m的差值為1，所述存儲器控制器被配置為：
30、將所述第一子前綴命令發送至所述存儲器，以使得所述存儲器根據所述第n組邏輯頁數據的n個特用讀取電壓和所述第一子前綴命令，從所述存儲單元陣列中讀取2n個所述有效數據態對應的預設數據，并對所述2n個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算生成第n組邏輯頁數據。
31、在本申請的一實施方案中，所述前綴命令包括第二子前綴命令，所述第二子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的兩個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算，n與m的差值為2；所述存儲器控制器還被配置為：
32、將所述第二子前綴命令發送至所述存儲器，以使得所述存儲器根據所述第n組邏輯頁數據的n個特用讀取電壓和所述第二子前綴命令，從所述存儲單元陣列中讀取2n個所述有效數據態對應的預設數據，并對所述2n個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算生成所述第n組邏輯頁數據。
33、在本申請的一實施方案中，所述前綴命令包括第三子前綴命令c；其中，所述第三子前綴命令指示第n+1組邏輯頁數據等于第n組邏輯頁數據，n與m的差值為3；
34、所述存儲器控制器具體被配置為：將所述第三子前綴命令發送至所述存儲器，以使得所述存儲器根本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種存儲器的操作方法，其特征在于，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述操作方法包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓包括：所述第n組邏輯頁數據的各相鄰有效數據態中所述比特信息的邏輯狀態不同時所對應的第n頁預設讀取電壓。
3.根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，所述預設數據態包括預設數據，所述接收讀取命令之后的步驟包括：
4.根據權利要求3所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求3所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求3所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求1至6任一項所述的存儲器的操作方法，其特征在
8.一種存儲器控制器，所述存儲器控制器耦合到存儲器，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述存儲器控制器被配置為：
9.根據權利要求8所述的存儲器控制器，其特征在于，發送所述讀取命令之后，所述存儲器控制器被配置為：
10.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，所述預設數據態包括預設數據，所述前綴命令包括第一子前綴命令，所述第一子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的三個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算，n與m的差值為1，所述存儲器控制器被配置為：
11.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，所述前綴命令包括第二子前綴命令，所述第二子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的兩個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運算，n與m的差值為2；所述存儲器控制器還被配置為：
12.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，所述前綴命令包括第三子前綴命令；其中，所述第三子前綴命令指示第n+1組邏輯頁數據等于第n組邏輯頁數據，n與m的差值為3；
13.一種存儲器，其特征在于，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述存儲器被配置為：
14.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓包括：所述第n組邏輯頁數據的各相鄰有效數據態中所述比特信息的邏輯狀態不同時所對應的第n頁預設讀取電壓。
15.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述預設數據態包括預設數據，接收所述讀取命令之后，所述存儲器還被配置為：
16.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還被配置為：
17.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還被配置為：
18.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還被配置為：
19.根據權利要求13至18任一項所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還被配置為：
20.一種存儲系統，其特征在于，包括一個或多個如權利要求13至19任一項所述的存儲器，以及如權利要求8至12任一項所述的存儲器控制器，所述存儲器控制器耦合到所述存儲器并且被配置為控制所述存儲器。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器的操作方法，其特征在于，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述操作方法包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，所述第n組邏輯頁數據的特用讀取電壓包括：所述第n組邏輯頁數據的各相鄰有效數據態中所述比特信息的邏輯狀態不同時所對應的第n頁預設讀取電壓。
3.根據權利要求1所述的存儲器的操作方法，其特征在于，所述預設數據態包括預設數據，所述接收讀取命令之后的步驟包括：
4.根據權利要求3所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求3所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求3所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求1至6任一項所述的存儲器的操作方法，其特征在于，還包括：
8.一種存儲器控制器，所述存儲器控制器耦合到存儲器，所述存儲器包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述存儲單元用于存儲m個比特信息，所述存儲單元通過m組邏輯頁數據對應2m個預設數據態中的2n個有效數據態來存儲n個有效比特信息，且對應于各組邏輯頁數據設有對應于各預設數據態的預設讀取電壓，其中，m為大于1的正整數，n為大于1且小于m的正整數；所述存儲器控制器被配置為：
9.根據權利要求8所述的存儲器控制器，其特征在于，發送所述讀取命令之后，所述存儲器控制器被配置為：
10.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于，所述預設數據態包括預設數據，所述前綴命令包括第一子前綴命令，所述第一子前綴命令指示從所述存儲單元陣列中讀取第n組邏輯頁數據的三個所述有效數據態對應的預設數據進行邏輯運...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮宇飛，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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