【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及半導體加工，更具體地，涉及一種電化學刻蝕方法及電化學刻蝕裝置。
技術介紹
1、電化學刻蝕由于其可以精確地控制刻蝕速率，在半導體加工中具有巨大的應用潛力。電化學刻蝕要求刻蝕對象具有良好的導電性，當刻蝕對象的導電性較差時，在電化學刻蝕時刻蝕對象會產生嚴重的邊緣效應。具體而言，刻蝕對象中部區(qū)域的電壓與邊緣區(qū)域的電壓相差太大，無法準確地控制刻蝕對象表面各處的電勢。因此電化學刻蝕對于導電性較差的刻蝕對象刻蝕的均勻性較差，無法在半導體加工中得到廣泛的應用。
技術實現(xiàn)思路
1、為了解決現(xiàn)有技術中存在的上述問題，本專利技術提供了一種電化學刻蝕方法及電化學刻蝕裝置。
2、本專利技術是通過以下技術方案來解決上述技術問題的：
3、一種電化學刻蝕方法，包括：
4、對刻蝕對象無需刻蝕的背面進行金屬化處理，在所述刻蝕對象的背面形成金屬層；
5、對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理。
6、較佳地，在對刻蝕對象無需刻蝕的背面進行金屬化處理之前還包括對所述刻蝕對象的背面沉積阻擋層。
7、較佳地，在對所述刻蝕對象的背面沉積阻擋層之前還包括對所述刻蝕對象的背面進行清洗。
8、較佳地，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理之后還包括：
9、清除所述刻蝕對象的背面的金屬層；
10、清除所述刻蝕對象的背面的阻擋層。
11、較佳地，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕
12、較佳地，所述金屬層的厚度大于等于10nm。
13、較佳地，所述阻擋層的材料為氧化鉭、氮化鉭、鉭、鈦、氮化鈦、鈷中的任意一種。
14、較佳地，所述阻擋層的厚度小于等于1nm。
15、較佳地，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理的步驟中，采用面接觸的方式向所述金屬層供電。
16、較佳地，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理的步驟中，電化學刻蝕采用的刻蝕溶液為koh、hf和tmah中的任意一種。
17、較佳地，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理的步驟中，通過邊緣夾持的方式將所述刻蝕對象放置于電化學刻蝕裝置的夾盤上。
18、一種電化學刻蝕裝置，所述裝置包括：
19、鍍層模塊，用于對所述刻蝕對象的背面進行金屬化處理，以在所述刻蝕對象的背面形成金屬層；
20、電化學刻蝕模塊，用于對所述刻蝕對象的正面進行電化學刻蝕處理；
21、控制模塊，包括：
22、傳動機構，用于將所述刻蝕對象傳送至鍍層模塊，以及將所述刻蝕對象從鍍層模塊轉移至電化學刻蝕模塊；
23、控制器，用于向所述傳動機構、所述鍍層模塊和所述電化學刻蝕模塊發(fā)送工作指令；
24、所述控制器控制所述傳動機構先將所述刻蝕對象傳送至所述鍍層模塊，當所述刻蝕對象到達所述鍍層模塊時，所述控制器向所述鍍層模塊發(fā)送工作指令，所述鍍層模塊對所述刻蝕對象的背面進行金屬化處理；
25、所述鍍層模塊結束工作后，所述控制器控制所述傳動機構將所述刻蝕對象從所述鍍層模塊轉移至所述電化學刻蝕模塊；
26、當所述刻蝕對象到達所述電化學刻蝕模塊時，所述控制器向所述電化學模塊發(fā)送工作指令，控制所述電化學刻蝕模塊對所述刻蝕對象的正面進行電化學刻蝕處理。
27、本專利技術的積極進步效果在于：在本專利技術中，在電化學刻蝕處理之前，首先對刻蝕對象的背面進行金屬化處理，能夠極大地降低刻蝕對象的電阻，從而可以有效地規(guī)避刻蝕對象邊緣效應；在電化學處理時，通過向刻蝕對象的背面的金屬層通電，能夠準確地控制刻蝕對象表面各處的電勢，使刻蝕對象各處的電勢保持一致，避免刻蝕過程中電流密度分布不均勻，進而可以準確地控制刻蝕對象的刻蝕速率，極大地降低了導電性較差的刻蝕對象的電化學刻蝕的難度。
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1.一種電化學刻蝕方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對刻蝕對象無需刻蝕的背面進行金屬化處理之前還包括對所述刻蝕對象的背面沉積阻擋層。
3.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象的背面沉積阻擋層之前還包括對所述刻蝕對象的背面進行清洗。
4.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理之后還包括：
5.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理之后還包括清除刻蝕對象的背面的金屬層。
6.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，所述金屬層的厚度大于等于10nm。
7.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化鉭、氮化鉭、鉭、鈦、氮化鈦、鈷中的任意一種。
8.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度小于等于1nm。
9.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述
10.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理的步驟中，電化學刻蝕采用的刻蝕溶液為KOH、HF和TMAH中的任意一種。
11.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理的步驟中，通過邊緣夾持的方式將所述刻蝕對象放置于電化學刻蝕裝置的夾盤上。
12.一種電化學刻蝕裝置，其特征在于，所述裝置包括：
...【技術特征摘要】
1.一種電化學刻蝕方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對刻蝕對象無需刻蝕的背面進行金屬化處理之前還包括對所述刻蝕對象的背面沉積阻擋層。
3.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象的背面沉積阻擋層之前還包括對所述刻蝕對象的背面進行清洗。
4.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理之后還包括：
5.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，在對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理之后還包括清除刻蝕對象的背面的金屬層。
6.如權利要求1所述的電化學刻蝕方法，其特征在于，所述金屬層的厚度大于等于10nm。
7.如權利要求2所述的電化學刻蝕方法，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：任正博，金一諾，
申請(專利權)人：盛美半導體設備上海股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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