【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種制作半導體元件的方法，尤其是涉及一種形成不對稱柵極介電層的方法。
技術介紹
1、在現有半導體產業中，多晶硅系廣泛地應用于半導體元件如金屬氧化物半導體(metal-oxide-semiconductor,mos)晶體管中，作為標準的柵極填充材料選擇。然而，隨著mos晶體管尺寸持續地微縮，傳統多晶硅柵極因硼穿透(boron?penetration)效應導致元件效能降低，及其難以避免的空乏效應(depletion?effect)等問題，使得等效的柵極介電層厚度增加、柵極電容值下降，進而導致元件驅動能力的衰退等困境。因此，半導體業界更嘗試以新的柵極填充材料，例如利用功函數(work?function)金屬來取代傳統的多晶硅柵極，用以作為匹配高介電常數(high-k)柵極介電層的控制電極。
2、然而在現今金屬柵極晶體管制作過程中，特別是制備中壓元件時由于柵極結構與兩側的摻雜區例如輕摻雜漏極或源極/漏極區域過于接近而引發所謂柵極引發漏極漏電流(gate-induced-drain-leakage,gidl)等問題。因此如何改良現行金屬柵極制作工藝以解決此問題即為現今一重要課題。
技術實現思路
1、本專利技術一實施例揭露一種制作半導體元件的方法，其主要先形成一柵極結構于基底上，然后形成一第一間隙壁于該柵極結構上，形成一圖案化掩模于該柵極結構上以及該柵極結構一側，去除該柵極結構另一側的部分該第一間隙壁，再形成一源極/漏極區域于該柵極結構兩側。
2、本專利技
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1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的方法，還包含：
3.如權利要求2所述的方法，還包含在形成該第三間隙壁之前完全去除該犧牲層。
4.如權利要求2所述的方法，還包含同時去除該犧牲層、該第二間隙壁、該第一間隙壁以及該柵極介電層。
5.如權利要求2所述的方法，其中該柵極結構一側的該柵極介電層以及該柵極結構另一側的該柵極介電層不對稱。
6.如權利要求2所述的方法，其中該柵極結構一側的該柵極介電層寬度不同于該柵極結構另一側的該柵極介電層寬度。
7.如權利要求2所述的方法，其中該柵極結構一側的該第二間隙壁寬度不同于該柵極結構另一側的該第二間隙壁寬度。
8.如權利要求1所述的方法，還包含：
9.一種半導體元件，其特征在于，包含：
10.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極結構一側的該柵極介電層寬度不同于該柵極結構另一側的該柵極介電層寬度。
11.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極結構一側的該第一間隙壁以及該柵極結構另一側的該第一間
12.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極結構一側的該第一間隙壁寬度不同于該柵極結構另一側的該第一間隙壁寬度。
13.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極結構一側的該第二間隙壁以及該柵極結構另一側的該第二間隙壁不對稱。
14.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極結構一側的該第二間隙壁寬度不同于該柵極結構另一側的該第二間隙壁寬度。
15.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極電極包含金屬柵極。
16.如權利要求9所述的半導體元件，其中該柵極電極包含：
...【技術特征摘要】
1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的方法，還包含：
3.如權利要求2所述的方法，還包含在形成該第三間隙壁之前完全去除該犧牲層。
4.如權利要求2所述的方法，還包含同時去除該犧牲層、該第二間隙壁、該第一間隙壁以及該柵極介電層。
5.如權利要求2所述的方法，其中該柵極結構一側的該柵極介電層以及該柵極結構另一側的該柵極介電層不對稱。
6.如權利要求2所述的方法，其中該柵極結構一側的該柵極介電層寬度不同于該柵極結構另一側的該柵極介電層寬度。
7.如權利要求2所述的方法，其中該柵極結構一側的該第二間隙壁寬度不同于該柵極結構另一側的該第二間隙壁寬度。
8.如權利要求1所述的方法，還包含：
9.一種半導體元件，其特征在于，包含：
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【專利技術屬性】
技術研發人員：陳長義，陳翊文，孫家禎，孫偉鈞，李婉靖，
申請(專利權)人：聯華電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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