【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種芯片混光方法以及一種芯片配置結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種發(fā)光二極管芯片混光方法以及一種使用發(fā)光二極管芯片混光方法的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管芯片需要通過”芯片預(yù)先分類（預(yù)先挑選光波長(zhǎng)相近的led芯片）”或者”多個(gè)芯片混光（將光波長(zhǎng)可以互補(bǔ)的多個(gè)led芯片彼此鄰近設(shè)置以進(jìn)行混光）”的方式以降低發(fā)光二極管顯示器容易產(chǎn)生亮度不均或者顏色不均等缺陷（mura），然而不管是”芯片預(yù)先分類”或者”多個(gè)芯片混光”的方式都會(huì)增加生產(chǎn)成本，并且降低生產(chǎn)效率與良率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)所要改善或者解決的問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種發(fā)光二極管芯片混光方法以及一種使用發(fā)光二極管芯片混光方法的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)。
2、為了改善或者解決上述的問題，本專利技術(shù)所采用的其中一技術(shù)手段是提供一種發(fā)光二極管芯片混光方法，其包括：提供多個(gè)發(fā)光二極管芯片，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片具有一預(yù)定工作電流范圍或者一預(yù)定工作電壓范圍；將每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒切分成n個(gè)連續(xù)的時(shí)間區(qū)段，以使得每一個(gè)時(shí)間區(qū)段具有t/n秒；以及，在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)，漸進(jìn)式調(diào)整提供給每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的一驅(qū)動(dòng)電源，借此以使得每一個(gè)發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的一預(yù)定發(fā)光波長(zhǎng)允許在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)持續(xù)產(chǎn)生改變。其中，當(dāng)提供給每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的驅(qū)動(dòng)電源為一預(yù)定工作電流時(shí)，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的預(yù)定工作電流允許在預(yù)定工作電流范
3、為了改善或者解決上述的問題，本專利技術(shù)所采用的另外一技術(shù)手段是提供一種發(fā)光二極管芯片混光方法，其包括：提供多個(gè)發(fā)光二極管芯片，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片具有一預(yù)定工作電流范圍或者一預(yù)定工作電壓范圍；將每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒切分成n個(gè)連續(xù)的時(shí)間區(qū)段，以使得每一個(gè)時(shí)間區(qū)段具有t/n秒；以及，在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)，漸進(jìn)式調(diào)整提供給每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的一預(yù)定工作電流或者一預(yù)定工作電壓，借此以使得每一個(gè)發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的一預(yù)定發(fā)光波長(zhǎng)允許在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)持續(xù)產(chǎn)生改變。
4、為了改善或者解決上述的問題，本專利技術(shù)所采用的另外再一技術(shù)手段是提供一種使用發(fā)光二極管芯片混光方法的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其包括：一第一發(fā)光芯片、一第二發(fā)光芯片以及一第三發(fā)光芯片。第一發(fā)光芯片具有一第一頂端出光面、一第一底部非焊墊區(qū)、一第一正極焊墊以及一第一負(fù)極焊墊。第二發(fā)光芯片具有一第二頂端出光面、一第二底部非焊墊區(qū)、一第二正極焊墊以及一第二負(fù)極焊墊。第三發(fā)光芯片具有一第三頂端出光面、一第三底部非焊墊區(qū)、一第三正極焊墊以及一第三負(fù)極焊墊。其中，第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片以及第三發(fā)光芯片由下而上依次堆疊設(shè)置，且第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片以及第三發(fā)光芯片在水平方向上彼此錯(cuò)位；其中，第二發(fā)光芯片的第二底部非焊墊區(qū)的垂直投影部分地落在第一發(fā)光芯片的第一頂端出光面上，且第三發(fā)光芯片的第三底部非焊墊區(qū)的垂直投影部分地落在第一發(fā)光芯片的第一頂端出光面上以及第二發(fā)光芯片的第二頂端出光面上；其中，第二發(fā)光芯片的第二正極焊墊的垂直投影以及第二負(fù)極焊墊的垂直投影完全不會(huì)落在第一發(fā)光芯片的第一頂端出光面上，且第三發(fā)光芯片的第三正極焊墊的垂直投影以及第三負(fù)極焊墊的垂直投影完全不會(huì)落在第一發(fā)光芯片的第一頂端出光面上以及第二發(fā)光芯片的第二頂端出光面上。
5、本專利技術(shù)的其中一有益效果在于，本專利技術(shù)所提供的一種發(fā)光二極管芯片混光方法以及一種發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其能通過”提供多個(gè)發(fā)光二極管芯片，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片具有一預(yù)定工作電流范圍或者一預(yù)定工作電壓范圍”、”將每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒切分成n個(gè)連續(xù)的時(shí)間區(qū)段，以使得每一個(gè)時(shí)間區(qū)段具有t/n秒”以及”在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)，漸進(jìn)式調(diào)整提供給每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的一驅(qū)動(dòng)電源”的技術(shù)方案，借此以使得每一個(gè)發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的一預(yù)定發(fā)光波長(zhǎng)允許在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)持續(xù)產(chǎn)生改變。更進(jìn)一步來(lái)說，當(dāng)提供給每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的驅(qū)動(dòng)電源為一預(yù)定工作電流時(shí)，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的預(yù)定工作電流允許在預(yù)定工作電流范圍內(nèi)漸漸增加或者減少。當(dāng)提供給每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的驅(qū)動(dòng)電源為一預(yù)定工作電壓時(shí)，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的預(yù)定工作電壓允許在預(yù)定工作電壓范圍內(nèi)漸漸增加或者減少。當(dāng)每一個(gè)發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的預(yù)定發(fā)光波長(zhǎng)允許在每一個(gè)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度t秒的每一個(gè)時(shí)間區(qū)段t/n秒內(nèi)持續(xù)產(chǎn)生漸近式改變時(shí)，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片被配置以用于提供波長(zhǎng)持續(xù)被改變的一投射光源。
6、為使能進(jìn)一步了解本專利技術(shù)的特征及
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本專利技術(shù)的詳細(xì)說明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說明，并非用來(lái)對(duì)本專利技術(shù)加以限制。
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片混光方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，
3.一種發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其特征在于，
7.一種發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片混光方法包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，
9.一種發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，使用根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其特征在于，
【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片混光方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，
3.一種發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片混光方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片配置結(jié)構(gòu)，其特征在于，
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：廖建碩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：臺(tái)灣愛司帝科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。