【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種結構構件。
技術介紹
1、在基材的表面上具有保護膜的結構構件，在半導體制造裝置等的各種領域中被使用。例如下述專利文獻1所記載，在半導體制造裝置中，在構成腔的內壁的基材的表面上，形成有用于從等離子體保護基材的保護膜。
2、專利文獻
3、專利文獻1：日本國特開2007-321183號公報
技術實現思路
1、例如采用氣溶膠沉積法等成膜方法，在基材的表面上形成保護膜。之后，對保護膜的表面進行研磨，對其平面度進行調整。此時，在保護膜的表層部分中，有時會殘留因研磨而產生的應力。這樣的殘余應力有可能成為保護膜的耐久性降低的原因或顆粒產生的原因。從而，在對保護膜的表面實施研磨之后，優選對該表面的表層部分實施細研磨而事先釋放殘余應力。在此所講的“細研磨”是指，例如使用研磨布等較柔軟的構件或者實施化學蝕刻，在盡可能不產生殘余應力的情況下對保護膜的表面進行研磨。
2、通過細研磨應除去的表層部分的厚度非常薄，最大也就100nm左右。如果這以上的厚度被除去，則會白白降低保護膜的耐久性，因此不應優選。因此，當進行細研磨時，每次都需要在確認從保護膜的表面除去多少程度的厚度的同時進行研磨。
3、作為確認被除去的厚度的方法，例如可考慮使用反射分光膜厚儀每次都測定保護膜的整體的厚度并算出其變化量的方法。但是，難以使用反射分光膜厚儀高精度地測定出100nm左右或者其以下的微小的變化。因此，當進行細研磨時，不得不超過應除去的必要最低限度的厚度而更多地除去保
4、本專利技術是鑒于這樣的問題而進行的，所要解決的技術問題是提供一種結構構件，其在制造時能夠防止對保護膜的表面必要以上進行研磨。
5、為了解決上述問題，本專利技術所涉及的結構構件具備：基材；及保護膜，覆蓋基材的表面。在保護膜的內部，分散配置有硬度高于保護膜的高硬度粒子。
6、如果對這樣構成的保護膜進行細研磨，則在保護膜的表面上露出的高硬度粒子幾乎不會被除去，而是會殘留，因此成為高硬度粒子從保護膜的表面突出的狀態。此時，保護膜的除去量與高硬度粒子的突出量大致相等。
7、如果例如使用電動測微儀等測定裝置，則能夠比較容易且高精度地測定出高硬度粒子的突出量。因此，通過在每次都測定突出量即除去量的同時進行細研磨，從而能夠除去必要份的表層部分。換言之，能夠防止對保護膜的表面必要以上進行研磨。
8、在結構構件被安裝于蝕刻裝置等并保護膜的表面一定期間暴露于等離子體而發生老化之后，為了再利用結構構件，對表面進行再研磨而除去發生老化的部分即可。也就是說，對發生老化的保護膜的表面進行翻新即可。在上述構成的結構構件中，高硬度粒子不僅分散配置于保護膜的表面，而且還分散配置在內部整體中。因此，當進行翻新時，也與上述內容同樣，在測定高硬度粒子的突出量的同時進行細研磨，由此能夠再次僅除去適當厚度的保護膜。
9、根據本專利技術，提供一種結構構件，其在制造時能夠防止對保護膜的表面必要以上進行研磨。
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1.一種結構構件，其特征為，
2.根據權利要求1所述的結構構件，其特征為，從所述保護膜的表面突出著多個所述高硬度粒子。
3.根據權利要求2所述的結構構件，其特征為，從所述保護膜的表面開始的各自所述高硬度粒子的突出量均等。
4.根據權利要求3所述的結構構件，其特征為，相對于所述保護膜的表面，從所述保護膜的表面突出著的各自所述高硬度粒子的頂端成為平行的平坦面。
5.根據權利要求1所述的結構構件，其特征為，所述保護膜含有氧化釔，所述高硬度粒子含有氧化鋁。
6.根據權利要求1所述的結構構件，其特征為，所述保護膜含有氧化釔，所述高硬度粒子含有釔、鋁及石榴石。
【技術特征摘要】
1.一種結構構件，其特征為，
2.根據權利要求1所述的結構構件，其特征為，從所述保護膜的表面突出著多個所述高硬度粒子。
3.根據權利要求2所述的結構構件，其特征為，從所述保護膜的表面開始的各自所述高硬度粒子的突出量均等。
4.根據權利要求3所述的結構構件，其特征為，相對于...
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