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    電極、膜電極接合體、電化學(xué)池、電堆、電解裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:44499742 閱讀:7 留言:0更新日期:2025-03-04 18:08
    本發(fā)明專利技術(shù)的實施方式涉及電極、膜電極接合體、電化學(xué)池、電堆、電解裝置。提供耐久性高的電極。實施方式的電極具有基材和催化劑層,所述催化劑層設(shè)置于基材上,由片材層與間隙層交替地層疊而成。催化劑層用于電解,催化劑層包含第1金屬及第2金屬,催化劑層包含第1區(qū)域和第2區(qū)域,第1區(qū)域的第1金屬與第2區(qū)域的第1金屬相比更被氧化,第1區(qū)域中包含的第2金屬的比率大于第2區(qū)域中包含的第2金屬的比率。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)的實施方式涉及電極、膜電極接合體、電化學(xué)池、電堆、電解裝置


    技術(shù)介紹

    1、近年來,電化學(xué)池被積極地研究。電化學(xué)池中,例如固體高分子型水電解池(pemec:polymer?electrolyte?membrane?electrolysis?cell)被期待作為大規(guī)模儲能系統(tǒng)的氫生成的利用。為了確保充分的耐久性和電解特性,對于pemec的陰極,一般使用鉑(pt)納米粒子催化劑,對于陽極,一般使用銥(ir)納米粒子催化劑那樣的貴金屬催化劑。此外,也研究了由氨得到氫的方法。此外,也可以利用于將二氧化碳電解而生成甲醇、乙烯等有機物或一氧化碳的電解裝置的陽極。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、實施方式的電極具有基材和催化劑層,所述催化劑層設(shè)置于基材上,是片材層與間隙層交替地層疊而成的。催化劑層用于電解,催化劑層包含選自由ir、ru、pt、pd、hf、v、au、ta、w、nb、zr、mo及cr構(gòu)成的組中的1種以上的第1金屬及選自由ni、co、mn、fe、cu、al及zn構(gòu)成的組中的1種以上的第2金屬,催化劑層包含第1區(qū)域和第2區(qū)域,第1區(qū)域的第1金屬與第2區(qū)域的第1金屬相比更被氧化,第1區(qū)域中包含的第2金屬的比率大于第2區(qū)域中包含的第2金屬的比率。

    2、根據(jù)上述構(gòu)成,能夠得到耐久性高的電極。

    【技術(shù)保護點】

    1.一種電極,其具有基材和催化劑層,所述催化劑層設(shè)置于所述基材上,由片材層與間隙層交替地層疊而成,

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域存在于所述催化劑層的與所述基材側(cè)相反側(cè)的表面。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    12.一種膜電極接合體,其具備權(quán)利要求1~11中任一項所述的電極、和電解質(zhì)膜,

    13.一種電化學(xué)池,其使用了權(quán)利要求12所述的膜電極接合體。

    14.一種電堆,其使用了權(quán)利要求12所述的膜電極接合體。

    15.一種電解裝置,其使用了權(quán)利要求14所述的電堆。

    ...

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種電極,其具有基材和催化劑層,所述催化劑層設(shè)置于所述基材上,由片材層與間隙層交替地層疊而成,

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域存在于所述催化劑層的與所述基材側(cè)相反側(cè)的表面。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,所述第1區(qū)域為層狀,

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    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:深澤大志中野義彥吉永典裕
    申請(專利權(quán))人:株式會社東芝
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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