【技術實現步驟摘要】
本申請案大體上涉及半導體封裝，且更確切地說，涉及用以促進封裝單分的模塑料溝槽。
技術介紹
1、半導體芯片通常容納在半導體封裝內部，所述半導體封裝保護芯片免受例如熱量、濕氣和碎屑等有害環境影響。封裝芯片經由暴露于封裝表面的導電部件與例如引線之類的封裝外部的電子裝置通信。在封裝內，芯片可以使用任何合適的技術電耦合到導電部件。一種此類技術是倒裝芯片技術，其中半導體芯片(也稱為“裸片”)被倒裝，使得芯片的裝置側(其中形成電路系統)面向下。裝置側使用例如焊料凸塊耦合到導電部件。另一種技術是線接合技術，其中半導體芯片的裝置側向上定向并且使用接合線耦合到導電部件。模塑料覆蓋每一芯片的各種組件，例如裸片、線接合件和引線的部分。
技術實現思路
1、在實例中，一種半導體封裝包括：半導體裸片，其具有形成有電路系統的裝置側；以及導電端子，其耦合到所述半導體裸片的所述裝置側。所述封裝還包括覆蓋所述半導體裸片和所述導電端子的至少部分的模塑料，其中所述導電端子暴露于所述模塑料的外部。所述模塑料具有頂表面和底表面以及在所述頂表面與所述底表面之間延伸的橫向側。所述橫向側包含第一表面，所述第一表面接觸所述頂表面且從所述頂表面朝向所述底表面豎直延伸。所述橫向側還包含第二表面，所述第二表面接觸所述第一表面且遠離所述半導體裸片水平延伸。所述橫向側還包含第三表面，所述第三表面接觸所述第二表面且從所述第二表面延伸以接觸所述底表面。所述第三表面具有由單分工藝導致的物理標記。所述第一表面和所述第二表面不具有由所述單分工藝導致的物理
2、在實例中，一種用于制造半導體封裝的方法包括：將多個半導體裸片耦合到高密度引線框架的多個裸片焊盤；將所述多個半導體裸片中的每一者耦合到所述高密度引線框架的導電端子；將所述高密度引線框架和所述半導體裸片定位在模套中，所述模套具有定位于所述多個裸片焊盤中的連續者之間的突起物；致使模塑料覆蓋所述模套中的所述半導體裸片且在所述模套中在所述突起物下方流動，其中所述模塑料的覆蓋所述半導體裸片的部分比所述模塑料的在所述半導體裸片之間的部分厚；從所述模套移除所述高密度引線框架；修整所述高密度引線框架；以及將模塑料覆蓋的多個半導體裸片彼此單分以產生半導體封裝，其中所述單分是通過使用工具以切穿所述模塑料的在所述半導體裸片之間的所述部分來執行。
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1.一種半導體封裝，其包括：
2.根據權利要求1所述的封裝，其中所述單分工藝為激光鋸切工藝。
3.根據權利要求1所述的封裝，其中所述單分工藝為機械鋸切工藝。
4.根據權利要求1所述的封裝，其中所述第一表面不與所述第二表面正交。
5.根據權利要求1所述的封裝，其中所述第三表面的高度小于所述封裝的高度。
6.根據權利要求1所述的封裝，其進一步包括耦合到所述半導體裸片的裸片焊盤，其中所述裸片焊盤的邊緣在距所述底表面的最接近邊緣0.5mm內。
7.根據權利要求1所述的封裝，其進一步包括在所述橫向側中的腔體，所述腔體的底面處于第一水平平面中，所述第一水平平面處于與所述底表面重合的第二水平平面和與所述第二表面重合的第三水平平面之間。
8.根據權利要求7所述的封裝，其中所述腔體與所述頂表面、所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面重合。
9.根據權利要求8所述的封裝，其進一步包括耦合到所述半導體裸片的裸片焊盤，其中豎軸延伸穿過所述裸片焊盤的邊緣且穿過所述腔體。
10.一種半導體封裝，其包
11.根據權利要求10所述的封裝，其中所述模塑料包含橫向側，所述橫向側包括：
12.根據權利要求11所述的封裝，其中所述第一表面不與所述第二表面正交。
13.根據權利要求11所述的封裝，其進一步包括在所述橫向側中的腔體，所述腔體具有與第一水平平面重合的底面，所述第一水平平面位于與所述底表面重合的第二水平平面和與所述第二表面重合的第三水平平面之間。
14.根據權利要求13所述的封裝，其中所述腔體與所述頂表面、所述第一表面、所述第二表面和所述橫向表面重合。
15.根據權利要求10所述的封裝，其中所述單分工藝為激光鋸切工藝。
16.根據權利要求10所述的封裝，其中所述單分工藝為機械鋸切工藝。
17.一種用于制造半導體封裝的方法，其包括：
18.根據權利要求17所述的方法，其中所述突起物包含第一底表面，且進一步包含具有第二底表面的柱，且其中所述第二底表面比所述第一底表面延伸得更接近于所述引線框架。
19.根據權利要求18所述的方法，其中所述柱產生與所述半導體封裝的多個表面重合的腔體。
20.根據權利要求17所述的方法，其中所述工具為激光鋸或機械鋸。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝，其包括：
2.根據權利要求1所述的封裝，其中所述單分工藝為激光鋸切工藝。
3.根據權利要求1所述的封裝，其中所述單分工藝為機械鋸切工藝。
4.根據權利要求1所述的封裝，其中所述第一表面不與所述第二表面正交。
5.根據權利要求1所述的封裝，其中所述第三表面的高度小于所述封裝的高度。
6.根據權利要求1所述的封裝，其進一步包括耦合到所述半導體裸片的裸片焊盤，其中所述裸片焊盤的邊緣在距所述底表面的最接近邊緣0.5mm內。
7.根據權利要求1所述的封裝，其進一步包括在所述橫向側中的腔體，所述腔體的底面處于第一水平平面中，所述第一水平平面處于與所述底表面重合的第二水平平面和與所述第二表面重合的第三水平平面之間。
8.根據權利要求7所述的封裝，其中所述腔體與所述頂表面、所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面重合。
9.根據權利要求8所述的封裝，其進一步包括耦合到所述半導體裸片的裸片焊盤，其中豎軸延伸穿過所述裸片焊盤的邊緣且穿過所述腔體。
10.一種半導體封裝，其包括：
11.根據權利要求10所述...
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