【技術實現步驟摘要】
本申請屬于芯片，尤其涉及數據寫入方法、數據讀取方法、裝置及電子設備。
技術介紹
1、efuse(electronic?fuse)即電子熔斷器，是一種可編程電子保險絲。在現代芯片設計中，efuse起著關鍵作用。efuse默認為低電平，編程后變為高電阻狀態，且這種狀態是永久性的，因此efuse可用于存儲一次性可編程信息，如芯片的配置參數、校準數據等。隨著半導體技術的不斷發展，efuse以其可靠性高、占用面積小等優勢，廣泛應用于各類電子產品中。它通常由芯片生產廠家在出廠時進行燒寫編程，芯片用戶無法重新對efuse進行燒寫，具有較好的安全性。
2、在正常情況下，efuse未編程的比特位一般不會隨著運行時間的增加而被誤燒寫。但在特殊情況下，比如系統中存在強烈的電磁干擾、電源波動或靜電放電等情況，可能會導致efuse電路中的電壓或電流出現異常，從而有可能誤觸發未編程的比特(bit)進行燒寫，導致數據出錯。例如，在高電壓瞬變或靜電沖擊下，可能會產生足夠的能量使efuse的弱連接部分發生熔斷，類似于編程操作，導致數據出錯，進而影響系統穩定性。在efuse的設計和使用過程中，如何合理地設置燒寫數據格式、如何合理地確定燒寫數據方案，是一個亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了數據寫入方法、數據讀取方法、裝置及電子設備，可以解決efuse電路中數據出錯導致影響系統穩定性的技術問題。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種數據寫入方法，包括：
3、獲取第一
4、如果所述第一燒寫數據量大于所述第二燒寫數據量，將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，如果所述第一燒寫數據量小于所述第二燒寫數據量，將所述第二待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中。
5、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述第一待燒寫數據還包括第一取反標識數據、第一校驗碼，所述第二待燒寫數據還包括第二取反標識數據、第二校驗碼，該方法還包括：
6、根據所述第一關鍵數據和所述第一取反標識數據，計算獲得所述第一校驗碼；
7、根據所述第一關鍵數據和所述第二取反標識數據，計算獲得第三校驗碼，其中，所述第二取反標識數據的數據值與所述第一取反標識數據的數據值為取反關系；
8、對所述第一關鍵數據進行取反操作，獲得所述第二關鍵數據；
9、對所述第三校驗碼進行取反操作，獲得所述第二校驗碼。
10、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述子存儲區包括數據區、取反標識區、校驗區，所述將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
11、將所述第一待燒寫數據的第一關鍵數據寫入電子熔斷器的多個數據區中、將所述第一待燒寫數據的第一取反標識數據寫入電子熔斷器的多個取反標識區中、將所述第一待燒寫數據的第一校驗碼寫入電子熔斷器的多個校驗區中；
12、所述將所述第二待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
13、將所述第二待燒寫數據的第二關鍵數據寫入電子熔斷器的多個數據區中、將所述第二待燒寫數據的第二取反標識數據寫入電子熔斷器的多個取反標識區中、將所述第二待燒寫數據的第二校驗碼寫入電子熔斷器的多個校驗區中。
14、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
15、對于所述電子熔斷器的多個子存儲區中的每個子存儲區，均寫入所述第一待燒寫數據；
16、所述將所述第二待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
17、對于所述電子熔斷器的多個子存儲區中的每個子存儲區，均寫入所述第二待燒寫數據。
18、第二方面，本申請實施例提供了一種數據讀取方法，包括：
19、讀取電子熔斷器的多個子存儲區中的多個已寫入數據；
20、對所述多個已寫入數據進行數據對比糾錯處理，獲得糾錯后數據，所述已寫入數據包括已寫入關鍵數據、已寫入取反標識數據、已寫入校驗碼，所述糾錯后數據包括糾錯后關鍵數據、糾錯后取反標識數據、糾錯后校驗碼；
21、如果所述糾錯后取反標識數據表示無需進行取反操作，根據所述糾錯后關鍵數據和所述糾錯后取反標識數據，計算獲得第一參考校驗碼；
22、如果所述第一參考校驗碼和所述糾錯后校驗碼相同，則確定所述糾錯后關鍵數據為有效數據。
23、在第二方面的一種可能的實現方式中，該方法還包括：
24、如果所述糾錯后取反標識數據表示需要進行取反操作，對所述糾錯后關鍵數據和所述糾錯后校驗碼進行取反操作，獲得取反關鍵數據和取反校驗碼；
25、根據所述取反關鍵數據和所述糾錯后取反標識數據，計算獲得第二參考校驗碼；
26、如果所述第二參考校驗碼和所述取反校驗碼相同，則確定所述取反關鍵數據為有效數據。
27、在第二方面的一種可能的實現方式中，所述子存儲區包括數據區、取反標識區、校驗區，所述讀取電子熔斷器的多個子存儲區中的多個已寫入數據，包括：
28、讀取電子熔斷器的多個數據區的多個已寫入關鍵數據、多個取反標識區的多個已寫入取反標識數據、多個校驗區的多個已寫入校驗碼。
29、第三方面，本申請實施例提供了一種數據寫入裝置，包括：
30、數據量獲取模塊，用于獲取第一待燒寫數據的第一燒寫數據量和第二待燒寫數據的第二燒寫數據量，其中，所述第一待燒寫數據包括第一關鍵數據，所述第二待燒寫數據包括第二關鍵數據，所述第一關鍵數據的數據值與所述第二關鍵數據的數據值為取反關系；
31、數據寫入模塊，用于如果所述第一燒寫數據量大于所述第二燒寫數據量，將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，如果所述第一燒寫數據量小于所述第二燒寫數據量，將所述第二待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中。
32、第四方面，本申請實施例提供了一種數據讀取裝置，包括：
33、數據讀取模塊，用于讀取電子熔斷器的多個子存儲區中的多個已寫入數據；
34、對比糾錯模塊，用于對所述多個已寫入數據進行數據對比糾錯處理，獲得糾錯后數據，所述已寫入數據包括已寫入關鍵數據、已寫入取反標識數據、已寫入校驗碼，所述糾錯后數據包括糾錯后關鍵數據、糾錯后取反標識數據、糾錯后校驗碼；
35、第一校驗模塊，用于如果所述糾錯后取反標識數據表示無需進行取反操作，根據所述糾錯后關鍵數據和所述糾錯后取反標識數據，計算獲得第一參考校驗碼；
36、數據確定模塊，用于如果所述第一參考校驗碼和所述糾錯后校驗碼相同，則確定所述糾錯后關鍵數據為有效數據。
37、第五方面，本申請實施例提供了一種電子設備本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種數據寫入方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的數據寫入方法，其特征在于，所述第一待燒寫數據還包括第一取反標識數據、第一校驗碼，所述第二待燒寫數據還包括第二取反標識數據、第二校驗碼，該方法還包括：
3.如權利要求2所述的數據寫入方法，其特征在于，所述子存儲區包括數據區、取反標識區、校驗區，所述將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
4.如權利要求2或3所述的數據寫入方法，其特征在于，所述將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
5.一種數據讀取方法，其特征在于，包括：
6.如權利要求5所述的數據讀取方法，其特征在于，該方法還包括：
7.如權利要求5或6所述的數據讀取方法，其特征在于，所述子存儲區包括數據區、取反標識區、校驗區，所述讀取電子熔斷器的多個子存儲區中的多個已寫入數據，包括：
8.一種數據寫入裝置，其特征在于，包括：
9.一種數據讀取裝置，其特征在于，包括：
10.一種電子設備，其特征在于，包括處理器、存儲器以及
...【技術特征摘要】
1.一種數據寫入方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的數據寫入方法，其特征在于，所述第一待燒寫數據還包括第一取反標識數據、第一校驗碼，所述第二待燒寫數據還包括第二取反標識數據、第二校驗碼，該方法還包括：
3.如權利要求2所述的數據寫入方法，其特征在于，所述子存儲區包括數據區、取反標識區、校驗區，所述將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
4.如權利要求2或3所述的數據寫入方法，其特征在于，所述將所述第一待燒寫數據寫入電子熔斷器的多個子存儲區中，包括：
5.一種數據讀取方法，其特征在于，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙琮，曾培楷，黎安棋，
申請(專利權)人：深圳市銳能微科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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