【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種散熱組件、芯片及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、隨著電子設(shè)備逐步向高度集成化、微型化、功能化方向演變，其內(nèi)部熱量不斷集中、熱流密度不斷升高，易引發(fā)芯片的熱失效。為保證電子設(shè)備工作的可靠性和穩(wěn)定性，通常使用風(fēng)扇散熱、水冷輔助散熱和熱管散熱等方式對芯片進(jìn)行散熱，但由于散熱器與芯片的接觸界面并不平整，芯片只有2％的面積能與散熱器接觸，降低了芯片向散熱器進(jìn)行熱傳遞的效率，使芯片出現(xiàn)熱失效現(xiàn)象，以致電子設(shè)備未能正常運(yùn)行。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供一種散熱組件,用于解決芯片出現(xiàn)熱失效現(xiàn)象，以致電子設(shè)備未能正常運(yùn)行的技術(shù)問題。
2、本專利技術(shù)通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
3、本專利技術(shù)提出一種散熱組件，包括：導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層具有第一表面和第二表面，所述第一表面貼合于目標(biāo)器件；散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)貼合于所述第二表面，所述導(dǎo)熱層將所述目標(biāo)器件的熱量傳遞至所述散熱結(jié)構(gòu)進(jìn)行輻射散熱；其中，所述導(dǎo)熱層包括：若干第一金屬層、中間層及第二金屬層，所述第一金屬層、所述中間層及所述第二金屬層沿所述目標(biāo)器件厚度方向依次設(shè)置，所述第一金屬層與所述目標(biāo)器件貼合，所述第二金屬層與所述散熱結(jié)構(gòu)貼合。
4、進(jìn)一步的，所述中間層包括鎵銅蜂窩板及涂覆于所述鎵銅蜂窩板的鎵基合金層。
5、進(jìn)一步的，所述中間層的厚度為0.5至4mm。
6、進(jìn)一步的，所述第一金屬層和第二金屬層均為銅層。
7、進(jìn)一步的，所述第一金屬層和所述
8、進(jìn)一步的，所述散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板及連接于所述散熱板的散熱片，相鄰所述散熱片之間形成散熱通道。
9、進(jìn)一步的，所述散熱結(jié)構(gòu)為鋁或銅制成。
10、本專利技術(shù)還提出一種芯片，包括：如上所述的散熱組件及芯片主體，所述散熱組件貼合于所述芯片主體。
11、本專利技術(shù)還提出一種散熱組件的制造方法，用于制造如上所述的散熱組件，包括以下步驟：
12、將預(yù)先制成的導(dǎo)熱層放置于反應(yīng)腔室的底座上；
13、對所述導(dǎo)熱層進(jìn)行干燥處理；
14、將所述散熱結(jié)構(gòu)壓合于導(dǎo)熱層；
15、通入氮?dú)庖灾路磻?yīng)腔室下降至室溫并出料。
16、進(jìn)一步的，所述導(dǎo)熱層的制作包括以下步驟：
17、將第一金屬層放置于反應(yīng)腔室的底座上；
18、對所述第一金屬層進(jìn)行干燥處理；
19、將鎵銅蜂窩板焊接于第一金屬層；
20、將鎵基合金涂覆于鎵銅蜂窩板；
21、將第二金屬層壓合于鎵銅蜂窩板；
22、將第二金屬層的四周與第一金屬層進(jìn)行焊接以生成導(dǎo)熱層。
23、本專利技術(shù)有益效果：
24、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提出的散熱組件，通過將導(dǎo)熱層的第一表面貼合于目標(biāo)器件，導(dǎo)熱層的第二表面貼合于散熱結(jié)構(gòu)，使目標(biāo)器件運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量經(jīng)第一金屬層、中間層及第二金屬層傳遞至散熱結(jié)構(gòu)，散熱結(jié)構(gòu)將熱量輻射到環(huán)境中，降低導(dǎo)熱層和目標(biāo)器件的溫度，避免目標(biāo)器件發(fā)生熱失效現(xiàn)象，以致電子設(shè)備正常運(yùn)行。
25、上述說明僅是本專利技術(shù)技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術(shù)技術(shù)手段，可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本專利技術(shù)的上述和其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，詳細(xì)說明如下。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種散熱組件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述中間層包括鎵銅蜂窩板及涂覆于所述鎵銅蜂窩板的鎵基合金層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述中間層的厚度為0.5至4mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層均為銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度均為0.25至3.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板及連接于所述散熱板的散熱片，相鄰所述散熱片之間形成散熱通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)為鋁或銅制成。
8.一種芯片，其特征在于，包括：權(quán)利要求1至權(quán)利要求7任一項(xiàng)所述的散熱組件及芯片主體，所述散熱組件貼合于所述芯片主體。
9.一種散熱組件的制造方法，用于制造權(quán)利要求1至權(quán)利要求7任一項(xiàng)所述的散熱組件，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種散熱組件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述中間層包括鎵銅蜂窩板及涂覆于所述鎵銅蜂窩板的鎵基合金層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述中間層的厚度為0.5至4mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層均為銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度均為0.25至3.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱組件，其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：談遜，張順，談謙，吳曦，李可，王慶，劉寧波，陳綺雯，許澤峰，林智成，李欣，王占玲，
申請(專利權(quán))人：華廈半導(dǎo)體深圳有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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