【技術實現步驟摘要】
本揭露關于一種光阻溶液及圖案化光阻層的制備方法。
技術介紹
1、集成電路形成在半導體晶圓上。微影圖案化工藝使用紫外光將光罩圖案轉移到半導體晶圓上的光阻劑上。然后可以使用蝕刻工藝將圖案轉移至光阻劑下方的層。使用不同的圖案重復該過程多次，以在晶圓基板上建立不同的層并制成有用的裝置。
2、高解析度微影工藝有助于獲得更小的特征尺寸。一種這樣的工藝的例子是極紫外線(extreme?ultraviolet，euv)微影，其使用約10納米(nm)至約100nm的波長。
技術實現思路
1、根據本揭露的一些實施例，用于制備圖案化光阻層的方法包含以下步驟。用包含有金屬交聯劑的光阻溶液涂布基板，其中金屬交聯劑包含金屬核和多個配體，其中該金屬核具有1至12個金屬原子，且該多個配體包含：包含至少一乙烯基或至少一乙炔基的至少一配位體；或者包含丙烯酸酯的至少一配體；或者包含肉桂酸酯的至少一配體；或者不能參與交聯反應的至少一配體。
2、根據本揭露的一些實施例，金屬光阻和金屬交聯劑，其中金屬交聯劑包含金屬核和多個配體，其中金屬核具有1至12個金屬原子，且多個配體包含：包含至少一乙烯基或至少一乙炔基的至少一配位體；或者包含丙烯酸酯的至少一配體；或者包含肉桂酸酯的至少一配體；或者不能參與交聯反應的至少一配體。
3、根據本揭露的一些實施例，用于制備圖案化光阻層的方法包含以下步驟。用光阻溶液涂布基板。預烘烤涂布后的基板，以使光阻溶液固化并形成光阻層。將光阻層曝光于輻射以圖案化光阻層。選擇
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1.一種圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中包含至少一乙烯基或至少一乙炔基的該至少一配體具有式(1)的結構：
3.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中包含該丙烯酸酯的該至少一配體具有式(2)的結構：
4.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中包含該肉桂酸酯的該至少一配體具有式(3)的結構：
5.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中不能參與該交聯反應的該至少一配體為一伯烷烴。
6.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中每個配體包含至少一取代基，該至少一取代基是鹵素、-OH、-SH、-NO2、-SO2R、-SO3R、-CN、-COR、-CO2R或-CONR2，其中每個R獨立地是氫或烷基。
7.一種光阻溶液，其特征在于，包含：
8.一種圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，包含：
9.如權利要求8所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中
10.如權利要求8所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中相對于該光阻溶液中的一金屬光阻劑，該金屬交聯劑的用量為0.001at％至50at％。
...【技術特征摘要】
1.一種圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中包含至少一乙烯基或至少一乙炔基的該至少一配體具有式(1)的結構：
3.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中包含該丙烯酸酯的該至少一配體具有式(2)的結構：
4.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中包含該肉桂酸酯的該至少一配體具有式(3)的結構：
5.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備方法，其特征在于，其中不能參與該交聯反應的該至少一配體為一伯烷烴。
6.如權利要求1所述的圖案化光阻層的制備...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王士誠，訾安仁，張慶裕，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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