【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電路，尤其涉及一種dcdc電路拓撲結構。
技術介紹
1、在光伏，儲能等應用中，都涉及到給電池的充放電，需要一種雙向dcdc的電路拓撲結構，當外界有電能時，dcdc正向給電池充電；當外界沒有供電時，需要電池通過dcdc反向給外界放電。雙向dcdc的拓撲很多，目前業界流行的是buck/boost+llc拓撲結構。buck/boost負責調壓，llc負責隔離，拓撲穩定可靠，但兩級結構，器件眾多，成本居高不下。尤其是在光伏+逆變應用中，光伏出來800v母線，后級逆變需要±400v。如圖1，當前通用做法是通過電容串聯獲得±400v，但當負載不均衡時，需要額外的電路平衡串聯電容的電壓，更加增加了成本，犧牲了效率。在有電池充電時，可設計正負母線的充電電路，做一定的平衡，但當電池充滿時，充電電路將失去平衡功能。
2、因此，有必要提供一種dcdc電路拓撲結構，結構簡單、成本低，可滿足給電池充放電的雙向工作需求。
技術實現思路
1、本專利技術公開了一種dcdc電路拓撲結構，涉及電力電子
，在儲能充電方面可廣泛應用，其可以有效解決
技術介紹
中涉及的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術的技術方案為：
3、一種dcdc電路拓撲結構，包括端口vbus+和端口vbus-，所述端口vbus+連接電感l1的一端，所述電感l1的另一端連接開關管q1的一端和電容c3的一端，所述電容c3的另一端連接變壓器組件前側的端口一，所述端口vbus-連接電感l2的一端，所
4、作為本專利技術的一種優選改進：所述電感l1和所述電感l2為共模電感的兩個線圈。
5、作為本專利技術的一種優選改進：所述端口vbus+連接電容c1的一端，所述電容c1的另一端連接電容c2的一端、開關管q1的另一端和端口gnd，所述電容c2的另一端連接所述端口vbus-。
6、作為本專利技術的一種優選改進：所述開關管q1的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管q2的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管q3的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵。
7、作為本專利技術的一種優選改進：所述開關管q1和所述開關管q2的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管q3為二極管，或，所述開關管q1和所述開關管q2為二極管，所述開關管q3的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵。
8、作為本專利技術的一種優選改進：所述端口vbat+連接電容c5的一端，所述電容c5的另一端連接所述端口vbat-和端口agnd。
9、作為本專利技術的一種優選改進：所述變壓器組件包括多個變壓器。
10、作為本專利技術的一種優選改進：所述變壓器組件包括變壓器t1，所述電容c3的另一端連接變壓器t1的引腳1，所述變壓器t1的引腳2連接所述變壓器t1的引腳3和所述開關管q1的另一端，所述變壓器t1的引腳4連接所述電容c4的另一端，所述變壓器t1的引腳5連接所述開關管q3的一端，所述變壓器t1的引腳6連接端口vbat+，所述變壓器t1的引腳1和引腳2共一個線圈，所述變壓器t1的引腳3和引腳4共一個線圈，所述變壓器t1的引腳5和引腳6共一個線圈。
11、作為本專利技術的一種優選改進：所述電容c3的另一端連接電感l3的一端，所述電感l3的另一端連接電感l4的一端和變壓器組件前側的端口二，所述電感l4的另一端連接所述電容c4的另一端。
12、作為本專利技術的一種優選改進：所述開關管q1、所述開關管q2和所述開關管q3均為mos管，所述開關管q1的漏極連接所述電感l1的另一端，所述開關管q1的源極連接所述開關管q2的漏極，所述開關管q2的源極連接所述電感l2的另一端，所述開關管q3的漏極連接變壓器組件后側的端口二，所述開關管q3的源極連接所述端口vbat-。
13、本專利技術的有益效果如下：
14、提出了一種新的雙向dcdc拓撲思路，結構簡單、成本低，可滿足給電池充放電的雙向工作需求，并且無論在電池充電或者不充電時，均可自動平衡母線電壓，省去了額外的平衡電路。
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1.一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：包括端口VBUS+和端口VBUS-，所述端口VBUS+連接電感L1的一端，所述電感L1的另一端連接開關管Q1的一端和電容C3的一端，所述電容C3的另一端連接變壓器組件前側的端口一，所述端口VBUS-連接電感L2的一端，所述電感L2的另一端連接開關管Q2的一端和電容C4的一端，所述開關管Q2的另一端連接所述開關管Q1的另一端和變壓器組件前側的端口二，所述電容C4的另一端連接變壓器組件前側的端口三，變壓器組件后側的端口一連接端口VBAT+，變壓器組件后側的端口二連接開關管Q3的一端，所述開關管Q3的另一端連接端口VBAT-。
2.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述電感L1和所述電感L2為共模電感的兩個線圈。
3.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述端口VBUS+連接電容C1的一端，所述電容C1的另一端連接電容C2的一端、開關管Q1的另一端和端口GND，所述電容C2的另一端連接所述端口VBUS-。
4.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在
5.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述開關管Q1和所述開關管Q2的種類包括但不限于MOS管、IGBT、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管Q3為二極管，或，所述開關管Q1和所述開關管Q2為二極管，所述開關管Q3的種類包括但不限于MOS管、IGBT、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵。
6.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述端口VBAT+連接電容C5的一端，所述電容C5的另一端連接所述端口VBAT-和端口AGND。
7.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述變壓器組件包括多個變壓器。
8.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述變壓器組件包括變壓器T1，所述電容C3的另一端連接變壓器T1的引腳1，所述變壓器T1的引腳2連接所述變壓器T1的引腳3和所述開關管Q1的另一端，所述變壓器T1的引腳4連接所述電容C4的另一端，所述變壓器T1的引腳5連接所述開關管Q3的一端，所述變壓器T1的引腳6連接端口VBAT+，所述變壓器T1的引腳1和引腳2共一個線圈，所述變壓器T1的引腳3和引腳4共一個線圈，所述變壓器T1的引腳5和引腳6共一個線圈。
9.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述電容C3的另一端連接電感L3的一端，所述電感L3的另一端連接電感L4的一端和變壓器組件前側的端口二，所述電感L4的另一端連接所述電容C4的另一端。
10.根據權利要求1所述的一種DCDC電路拓撲結構，其特征在于：所述開關管Q1、所述開關管Q2和所述開關管Q3均為MOS管，所述開關管Q1的漏極連接所述電感L1的另一端，所述開關管Q1的源極連接所述開關管Q2的漏極，所述開關管Q2的源極連接所述電感L2的另一端，所述開關管Q3的漏極連接變壓器組件后側的端口二，所述開關管Q3的源極連接所述端口VBAT-。
...【技術特征摘要】
1.一種dcdc電路拓撲結構，其特征在于：包括端口vbus+和端口vbus-，所述端口vbus+連接電感l1的一端，所述電感l1的另一端連接開關管q1的一端和電容c3的一端，所述電容c3的另一端連接變壓器組件前側的端口一，所述端口vbus-連接電感l2的一端，所述電感l2的另一端連接開關管q2的一端和電容c4的一端，所述開關管q2的另一端連接所述開關管q1的另一端和變壓器組件前側的端口二，所述電容c4的另一端連接變壓器組件前側的端口三，變壓器組件后側的端口一連接端口vbat+，變壓器組件后側的端口二連接開關管q3的一端，所述開關管q3的另一端連接端口vbat-。
2.根據權利要求1所述的一種dcdc電路拓撲結構，其特征在于：所述電感l1和所述電感l2為共模電感的兩個線圈。
3.根據權利要求1所述的一種dcdc電路拓撲結構，其特征在于：所述端口vbus+連接電容c1的一端，所述電容c1的另一端連接電容c2的一端、開關管q1的另一端和端口gnd，所述電容c2的另一端連接所述端口vbus-。
4.根據權利要求1所述的一種dcdc電路拓撲結構，其特征在于：所述開關管q1的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管q2的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管q3的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵。
5.根據權利要求1所述的一種dcdc電路拓撲結構，其特征在于：所述開關管q1和所述開關管q2的種類包括但不限于mos管、igbt、雙極性三極管、碳化硅和氮化鎵，所述開關管q3為二極管，或，所述開關管q1和所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張式春，阮世良，龍永林，
申請(專利權)人：深圳市高斯寶電氣技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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