【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及ssd掉電保護的，尤其是指一種支持ssd掉電保護的控制電路。
技術介紹
1、隨著固態硬盤(ssd)在數據中心、企業存儲、個人計算設備等領域廣泛應用，其數據安全性與可靠性成為至關重要的考量因素。其中應對突發電源故障導致的數據丟失風險的掉電保護(power?loss?protect?i?on,plp)技術尤為關鍵。plp主要由電源管理i?c、儲能電容器組成，采用“升壓充電，降壓放電”的方式實現掉電保護。在外部電源供電正常時，電源管理i?c在充電階段通過其內部升壓轉換器將輸入電源電壓提升至高電壓對儲能電容器進行充電，同時控制外部電源給ssd盤供電；在外部電源斷電時，電源管理i?c通過其內部降壓轉換器將高電壓電容器中的儲能以較低電壓釋放，供給ssd完成數據保護操作。
2、鑒于plp對于數據保護的重要性，當plp功能出現異常時，需要及時檢測并上報告警通知維護工程師在突發的掉電故障發生前提前介入處理。對于儲能電容器只需檢測是否有正常充電到高電壓即可，但對于電源管理i?c，由于其復雜性，無法對所有故障都做到檢測，則存在某些故障沒有及時檢測出，在突發掉電時無法控制儲能電容降壓放電供給ssd完成數據保護操作的風險。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種支持ssd掉電保護的控制電路。
2、為了解決上述技術問題，本專利技術采用如下技術方案：
3、一種支持ssd掉電保護的控制電路，包括：掉電保護單元及連接于所述掉電保護單元的降
4、在一具體實施例中，所述電壓檢測模塊檢測所述vout端的電壓高于設定值時，輸出低電平控制信號控制所述開關控制模塊關閉，以使所述儲能電容模塊不放電到所述vout端。
5、在一具體實施例中，所述電壓檢測模塊檢測所述vout端的電壓低于所述設定值時，輸出高電平控制信號控制所述開關控制模塊打開，以使所述儲能電容模塊開始放電到所述vout端。
6、在一具體實施例中，當所述vi?n端供電異常時，所述vout端的電壓將逐漸下降，當所述vout端的電壓低于所述設定值時，所述開關控制模塊打開，所述儲能電容模塊放電到所述vout端，以使所述vout端的電壓回升到所述設定值以上，然后所述開關控制模塊關閉，所述vout端的電壓又下降到低于所述設定值，所述開關控制模塊又打開，所述儲能電容模塊又開始放電到所述vout端，循環往復，直至所述儲能電容模塊電量耗盡。
7、在一具體實施例中，所述電源管理模塊包括控制器u1，所述控制器u1的兩端分別連接于所述vi?n端和所述vout端；所述儲能電容模塊和所述開關控制模塊都連接于所述控制器u1。
8、在一具體實施例中，所述儲能電容模塊包括儲能電容c1，所述儲能電容c1一端連接于所述控制器u1和所述開關控制模塊，另一端連接于gnd。
9、在一具體實施例中，所述電壓檢測模塊包括三極管t2、電阻r2及電阻r3，所述三極管t2的e極連接于gnd，所述電阻r2及所述電阻r3連接于所述三極管t2的b極，所述電阻r2還連接于所述開關控制模塊和所述vout端，所述電阻r3還連接于gnd，所述三極管t2的c極還連接于所述開關控制模塊。
10、在一具體實施例中，所述開關控制模塊包括mos管t1、mos管t3、電阻r4、電阻r5、電阻r6、電阻r7、電阻r9及電阻r10，所述mos管t3的s極連接于gnd，所述mos管t3的g極連接于所述電阻r7，所述mos管t3的d極連接于所述電阻r9，所述電阻r7、所述電阻r10及所述三極管t2的c極都連接于所述電阻r4，所述mos管t1的d極連接于所述電阻r2和所述vout端，所述mos管t1的g極連接于所述電阻r5，所述電阻r5連接于所述電阻r6和所述電阻r9，所述mos管t1的s極、所述電阻r4及所述電阻r6都連接于所述控制器u1和所述儲能電容c1。
11、在一具體實施例中，所述控制器u1的型號為sy72001。
12、在一具體實施例中，所述設定值為8.4v。
13、本專利技術與現有技術相比的有益效果是：通過設有降壓轉換熱備份單元，降壓轉換熱備份單元包括電壓檢測模塊和開關控制模塊，電源管理模塊設有vi?n端和vout端，vi?n端用于連接外部電源，vout端用于給ssd供電，電壓檢測模塊用于檢測vout端的電壓，以輸出開關控制模塊的控制信號，開關控制模塊用于控制儲能電容模塊放電至vout端，當vi?n端連接的外部電源突發掉電且電源管理模塊出現故障無法控制儲能電容模塊降壓放電時，由開關控制模塊控制儲能電容模塊放電至vout端，以供電給ssd完成數據保護操作，避免ssd數據丟失的情況。
14、下面結合附圖和具體實施例對本專利技術作進一步描述。
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1.一種支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，包括：掉電保護單元及連接于所述掉電保護單元的降壓轉換熱備份單元，所述掉電保護單元包括電源管理模塊和儲能電容模塊，所述降壓轉換熱備份單元包括電壓檢測模塊和開關控制模塊，所述電源管理模塊設有Vin端和Vout端，所述Vin端用于連接外部電源，所述Vout端用于給SSD供電；所述電壓檢測模塊用于檢測所述Vout端的電壓，以輸出所述開關控制模塊的控制信號，所述開關控制模塊用于控制所述儲能電容模塊放電至所述Vout端。
2.根據權利要求1所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊檢測所述Vout端的電壓高于設定值時，輸出低電平控制信號控制所述開關控制模塊關閉，以使所述儲能電容模塊不放電到所述Vout端。
3.根據權利要求2所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊檢測所述Vout端的電壓低于所述設定值時，輸出高電平控制信號控制所述開關控制模塊打開，以使所述儲能電容模塊開始放電到所述Vout端。
4.根據權利要求3所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，當
5.根據權利要求4所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電源管理模塊包括控制器U1，所述控制器U1的兩端分別連接于所述Vin端和所述Vout端；所述儲能電容模塊和所述開關控制模塊都連接于所述控制器U1。
6.根據權利要求5所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述儲能電容模塊包括儲能電容C1，所述儲能電容C1一端連接于所述控制器U1和所述開關控制模塊，另一端連接于GND。
7.根據權利要求6所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊包括三極管T2、電阻R2及電阻R3，所述三極管T2的E極連接于GND，所述電阻R2及所述電阻R3連接于所述三極管T2的B極，所述電阻R2還連接于所述開關控制模塊和所述Vout端，所述電阻R3還連接于GND，所述三極管T2的C極還連接于所述開關控制模塊。
8.根據權利要求7所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述開關控制模塊包括MOS管T1、MOS管T3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R9及電阻R10，所述MOS管T3的S極連接于GND，所述MOS管T3的G極連接于所述電阻R7，所述MOS管T3的D極連接于所述電阻R9，所述電阻R7、所述電阻R10及所述三極管T2的C極都連接于所述電阻R4，所述MOS管T1的D極連接于所述電阻R2和所述Vout端，所述MOS管T1的G極連接于所述電阻R5，所述電阻R5連接于所述電阻R6和所述電阻R9，所述MOS管T1的S極、所述電阻R4及所述電阻R6都連接于所述控制器U1和所述儲能電容C1。
9.根據權利要求5所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述控制器U1的型號為SY72001。
10.根據權利要求2所述的支持SSD掉電保護的控制電路，其特征在于，所述設定值為8.4V。
...【技術特征摘要】
1.一種支持ssd掉電保護的控制電路，其特征在于，包括：掉電保護單元及連接于所述掉電保護單元的降壓轉換熱備份單元，所述掉電保護單元包括電源管理模塊和儲能電容模塊，所述降壓轉換熱備份單元包括電壓檢測模塊和開關控制模塊，所述電源管理模塊設有vin端和vout端，所述vin端用于連接外部電源，所述vout端用于給ssd供電；所述電壓檢測模塊用于檢測所述vout端的電壓，以輸出所述開關控制模塊的控制信號，所述開關控制模塊用于控制所述儲能電容模塊放電至所述vout端。
2.根據權利要求1所述的支持ssd掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊檢測所述vout端的電壓高于設定值時，輸出低電平控制信號控制所述開關控制模塊關閉，以使所述儲能電容模塊不放電到所述vout端。
3.根據權利要求2所述的支持ssd掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊檢測所述vout端的電壓低于所述設定值時，輸出高電平控制信號控制所述開關控制模塊打開，以使所述儲能電容模塊開始放電到所述vout端。
4.根據權利要求3所述的支持ssd掉電保護的控制電路，其特征在于，當所述vin端供電異常時，所述vout端的電壓將逐漸下降，當所述vout端的電壓低于所述設定值時，所述開關控制模塊打開，所述儲能電容模塊放電到所述vout端，以使所述vout端的電壓回升到所述設定值以上，然后所述開關控制模塊關閉，所述vout端的電壓又下降到低于所述設定值，所述開關控制模塊又打開，所述儲能電容模塊又開始放電到所述vout端，循環往復，直至所述儲能電容模塊電量耗盡。
5.根據權利要求4所述的支持ssd掉電保護的控制電路，其特征在于，所述電源管理模塊包括控制器u1，所述控制...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊貴波，陳元偉，陳偉，續奇兵，
申請(專利權)人：成都芯憶聯信息技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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