本發(fā)明專利技術提供了一種等離子體生產(chǎn)組件及薄膜沉積設備，所述等離子體生產(chǎn)組件包括罩設件、射頻件和至少一個磁性件，所述罩設件圍合形成反應腔；所述射頻件沿所述罩設件的周向固設在所述罩設件的外表面，用于在所述反應腔內產(chǎn)生等離子體區(qū)域；所述磁性件可移動地設于所述射頻件的外側四周，且用于偏移所述等離子體區(qū)域。本申請在所述射頻件外側的四周設有至少一個所述磁性件，通過調節(jié)所述磁性件的位置和/或所述磁性件的磁極和/或所述磁性件的磁性強度，從而調節(jié)所述等離子體區(qū)域的位置，進而調節(jié)晶圓表面成膜的膜厚，提高晶圓表面沉積的薄膜膜厚的均勻性，提高產(chǎn)品質量。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及半導體生產(chǎn)領域，尤其涉及一種等離子體生產(chǎn)組件及薄膜沉積設備。
技術介紹
1、隨著智能化的發(fā)展，半導體的使用越來越多，在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯(lián)，其中，在半導體生產(chǎn)技術中，包括薄膜沉積技術，使晶圓表面沉積出一層層的薄膜，以創(chuàng)建芯片內部的微型器件。
2、目前的薄膜沉積設備中，運用pecvd或peald技術，采用射頻產(chǎn)生等離子激發(fā)化學源，在實際使用過程中，因為反應腔體機構的限制，會使得在晶圓表面的膜層存在不同心的現(xiàn)場，從而使得晶圓表面沉積的薄膜的膜層均勻性低。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的實施例提供了一種等離子體生產(chǎn)組件及薄膜沉積設備，以調節(jié)晶圓表面成膜的膜厚，提高晶圓表面沉積的薄膜膜厚的均勻性，提高產(chǎn)品質量。
2、本專利技術提供了一種等離子體生產(chǎn)組件，其包括：
3、罩設件，所述罩設件圍合形成反應腔；
4、射頻件，所述射頻件沿所述罩設件的周向固設在所述罩設件的外表面，用于使所述反應腔內產(chǎn)生等離子體區(qū)域；
5、至少一個磁性件，所述磁性件可移動地設于所述射頻件的外側四周，且用于偏移所述等離子體區(qū)域。
6、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，所述磁性件設有多組，多組所述磁性件沿所述罩設件的周向間隔設置，且同組的兩個所述磁性件相對設置在所述罩設件的兩側。
>7、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，同組的兩個所述磁性件的磁極互為異性。8、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，所述等離子體生產(chǎn)組件還包括保護罩，所述保護罩圍設形成密閉空間，且所述罩設件、所述射頻件和所述磁性件均位于所述密閉空間內。
9、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，所述磁性件可移動地設置在所述保護罩的內壁，且沿所述保護罩的高度方向延伸設置。
10、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，所述罩設件的頂端設有進氣通道，所述進氣通道用于連通所述反應腔和進氣管道。
11、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，所述罩設件為半圓球結構。
12、在本專利技術提供的等離子體生產(chǎn)組件中，所述磁性件為磁鐵或電磁鐵。
13、本專利技術還提供一種薄膜沉積設備，其包括上述任一項所述的等離子體生產(chǎn)組件。
14、在本專利技術提供的薄膜沉積設備中，所述薄膜沉積設備還包括腔體和噴淋板，所述等離子體生產(chǎn)組件固設在所述腔體上端，所述噴淋板固設在所述腔體的頂端且連通所述反應腔和所述腔體內部。
15、本專利技術提供了一種等離子體生產(chǎn)組件及薄膜沉積設備，所述等離子體生產(chǎn)組件包括罩設件、射頻件和至少一個磁性件，所述罩設件圍合形成反應腔；所述射頻件沿所述罩設件的周向固設在所述罩設件的外表面，用于在所述反應腔內產(chǎn)生等離子體區(qū)域；所述磁性件可移動地設于所述射頻件的外側四周，且用于偏移所述等離子體區(qū)域。本申請在所述射頻件外側的四周設有至少一個所述磁性件，通過調節(jié)所述磁性件的位置和/或所述磁性件的磁極和/或所述磁性件的磁性強度，從而調節(jié)所述等離子體區(qū)域的位置，進而調節(jié)晶圓表面成膜的膜厚，提高晶圓表面沉積的薄膜膜厚的均勻性，提高產(chǎn)品質量。
本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述磁性件設有多組，多組所述磁性件沿所述罩設件的周向間隔設置，且同組的兩個所述磁性件相對設置在所述罩設件的兩側。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，同組的兩個所述磁性件的磁極互為異性。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述等離子體生產(chǎn)組件還包括保護罩，所述保護罩圍設形成密閉空間，且所述罩設件、所述射頻件和所述磁性件均位于所述密閉空間內。
5.根據(jù)權利要求4所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述磁性件可移動地設置在所述保護罩的內壁，且沿所述保護罩的高度方向延伸設置。
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述罩設件的頂端設有進氣通道，所述進氣通道用于連通所述反應腔和進氣管道。
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述罩設件為半圓球結構。
8.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述磁性件為磁鐵或電磁鐵。
9.一種薄膜沉積設備，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的等離子體生產(chǎn)組件。
10.根據(jù)權利要求9所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積設備還包括腔體和噴淋板，所述等離子體生產(chǎn)組件固設在所述腔體上端，所述噴淋板固設在所述腔體的頂端且連通所述反應腔和所述腔體內部。
...
【技術特征摘要】
1.一種等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述磁性件設有多組，多組所述磁性件沿所述罩設件的周向間隔設置，且同組的兩個所述磁性件相對設置在所述罩設件的兩側。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，同組的兩個所述磁性件的磁極互為異性。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述等離子體生產(chǎn)組件還包括保護罩，所述保護罩圍設形成密閉空間，且所述罩設件、所述射頻件和所述磁性件均位于所述密閉空間內。
5.根據(jù)權利要求4所述的等離子體生產(chǎn)組件，其特征在于，所述磁性件可移動地設置在所述保護罩的內壁，且沿所述保護罩的高度方...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：趙坤，楊華龍，朱曉亮，
申請(專利權)人：拓荊科技上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。