本發明專利技術涉及一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液及其制備方法與用途。所述的蝕刻液，包括蝕刻液主劑和蝕刻液輔劑，按照重量份計算，所述蝕刻液主劑包括如下的各組分：過氧化氫5?20份；酸性物質5?15份；有機堿3?10份；緩蝕劑0.01?0.1份；螯合劑0.01?0.08份；穩定劑0.3?2份；去離子水60?80份；所述蝕刻液輔劑包括如下的各組分：酸性物質30?45份；有機堿30?50份；緩蝕劑0.02?0.2份；穩定劑0.3?2份；去離子水40?60份。本發明專利技術的蝕刻液中螯合劑同時具備緩蝕與螯合雙重作用，還可以調節主劑的pH值，穩定蝕刻液的蝕刻環境，延長主劑在蝕刻過程中的使用周期，此兩劑型蝕刻液經過48個小時蝕刻能力保持一致，并且pH、過氧化氫含量保持穩定。
1、高分辨率、低功耗的tft-lcd顯示器已經成為液晶面板生產商技術研發的主要方向。銅由于具有遠小于鋁的電阻率，可以降低布線電阻，有利于提高充電率和像素開口率，同時可解決在大尺寸電視產品上由于傳統鋁互連工藝高電阻及所造成的電阻/電容時間延遲問題而得到業內面板企業的青睞。
2、銅金屬材料本身所成金屬薄膜與主要成分為二氧化硅的玻璃基板粘附性較差，并且銅本身在非金屬層成膜的高溫下會與硅互擴散生成硅化銅，同時銅表面極易在空氣中氧化形成氧化亞銅，這兩點均會產生很高的接觸電阻，所以必須選用合適的底襯以增加粘附性，防止銅金屬擴散。
3、針對銅導線工藝，目前行業內已經用于量產的有cu/mo、cu/ti、cu/mtd、cu/monb等兩層金屬結構的蝕刻液。但是兩層結構的頂層金屬銅會存在氧化的風險，同時頂層金屬銅也會有向上柵極絕緣層擴散的風險，增加導線的電阻；因此目前通過三層金屬的結構來規避以上的風險，包括mtd-cu-mtd、monb-cu-monb、monb-cu-mtd等結構。
4、三層金屬蝕刻液在蝕刻過程中，由于電化學效應的影響，導致頂層合金層蝕刻速率過慢，頂層金屬突出的現象，即“屋頂”現象。或者頂層合金層蝕刻速率過快，導致頂層金屬側蝕嚴重，嚴重的話可能導致光刻膠剝離，即出現過刻問題，同時底層合金層由于電化學效應可能會出現二段角問題，因此，為了解決上述問題，本申請提供了一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液。
/>技術實現思路
1、本專利技術解決的技術問題：兩劑型蝕刻液在延長主劑在蝕刻過程中的使用周期，經過48個小時蝕刻能力減弱、出現二段角和mo拖尾等問題。
2、鑒于現有技術中存在的技術問題，本專利技術設計了一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液及其制備方法與用途。本專利技術的兩劑型銅酸蝕刻液具有較高銅離子負載能力且具有較長使用壽命。此兩劑型蝕刻液可以延長主劑在蝕刻過程中的使用周期，經過48個小時蝕刻能力依舊不減弱，并且隨著銅離子含量增高到14000ppm，蝕刻全程反應過程中沒有二段角、mo拖尾等現象發生，具有優良的使用價值。
3、需要注意的是，在本專利技術中，除非另有規定，涉及組成限定和描述的“包括”的具體含義，既包含了開放式的“包括”、“包含”等及其類似含義，也包含了封閉式的“由…組成”等及其類似含義。
4、為了解決上述存在的技術問題，本專利技術采用了以下方案：
5、一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，包括蝕刻液主劑和蝕刻液輔劑，其特征在于，按照重量份計算，所述蝕刻液主劑包括如下的各組分：
6、過氧化氫???5-20份；
7、酸性物質???5-15份；
8、有機堿?????3-10份；
9、緩蝕劑?????0.01-0.1份；
10、螯合劑?????0.01-0.08份；
11、穩定劑?????0.3-2份；
12、去離子水???60-80份；
13、所述蝕刻液輔劑包括如下的各組分：
14、酸性物質??30-45份；
15、有機堿????30-50份；
16、緩蝕劑????0.02-0.2份；
17、穩定劑????0.3-2份；
18、去離子水??40-60份。
19、進一步地，所述的酸性物質為甲酸、丙酸、鄰苯二甲酸、檸檬酸、草酸、蘋果酸、丙二酸、乙醇酸、丁二酸、酒石酸、醋酸、羥基苯磺酸中的一種或多種；
20、所述的有機堿為異丙醇胺、異丁醇胺、三乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙胺基丙胺、二乙烯三胺、四甲基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨中的一種或多種。
21、進一步地，所述的緩蝕劑為3-氨基-1,2,4-三唑、5-氨基四氮唑、苯并三氮唑、6-硝基苯并咪唑、2-氨基噻唑、3-氨基-1,2,4-三唑中的一種或多種。
22、進一步地，所述的緩蝕劑為3-氨基-1,2,4-三唑和苯并三氮唑。
23、進一步地，所述的3-氨基-1,2,4-三唑和苯并三氮唑的質量比為2-10:3-8。
24、進一步地，所述的螯合劑為n-乙酰神經氨酸五聚體α(2-8)、n-乙酰神經氨酸甲酯、n，乙酰神經氨酸2,4,7,8,9-五乙酸酯、n-乙酰-2,3-二脫氫-2-脫氧神經氨酸、n-乙酰神經氨酸二聚體α(2-8)中的一種或多種。
25、進一步地，所述的穩定劑為對羥基苯磺酸和/或n-苯基脲。
26、本專利技術還公開了一種上述兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液的制備方法，其特征在于包含以下步驟：
27、步驟1：分別稱取蝕刻液主劑和蝕刻液輔劑各自用量的各個組分；
28、步驟2：將各組分混合攪拌均勻，即得兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液。
29、本專利技術還公開了一種上述兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液蝕刻monb-cu-monb液晶面板的用途。
30、本專利技術還公開了一種上述兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液的蝕刻方法，其特征在于包括如下步驟：
31、步驟1：將monb-cu-monb玻璃基板浸潤到上述蝕刻液中，計時；
32、步驟2：將所述蝕刻后的玻璃基板放入超純水中沖洗30s；
33、步驟3：將沖洗完成的玻璃基板用氮氣吹干。
34、在本專利技術中，為了進一步優化蝕刻液的效果，對于各個組分可以進行優選，蝕刻液主劑：過氧化氫10-16份；酸性物質6-13份；有機堿5-8份；緩蝕劑0.02-0.09份；螯合劑0.02-0.06份；穩定劑0.5-1.8份；去離子水65-75份；蝕刻液輔劑：酸性物質33-40份；有機堿35-45份；緩蝕劑0.04-0.18份；穩定劑0.5-1.8份；去離子水45-55份。
35、在本專利技術中，酸性物質優選為丙二酸。
36、在本專利技術中，有機堿優選為二甲基乙醇胺和/或三乙醇胺。
37、在本專利技術中，3-氨基-1,2,4-三唑和苯并三氮唑的質量比優選為3:2。
38、在本專利技術中，緩蝕劑選擇3-氨基-1,2,4-三唑和苯并三氮唑復配使用，可以使蝕刻反應過程中隨著銅離子含量增高，蝕刻速率保持穩定，不會出現躍遷式變化，可能的原因是兩種緩蝕劑在蝕刻反應的過程，吸附在金屬銅與蝕刻液界面處，達到調節蝕刻速率的作用。
39、在本專利技術中，螯合劑優選為n-乙酰神經氨酸五聚體α(2-8)。
40、在本專利技術中，螯合劑n-乙酰神經氨酸五聚體α(2-8)中含有多種活性基團，可以吸附在金屬與蝕刻液交界面，以及金屬表面，起到控制蝕刻速率的效果；還可與金屬離子絡合，減少自由基的產生，降低過氧化氫的分解速率，維持蝕刻液的ph，使酸性環境在48小時蝕刻反應之內幾乎無變動，進一步保證了蝕刻反應的安全性和穩定性，起到了緩蝕和螯合的雙重作用；且比n-乙酰神經氨酸的水溶性強、穩定性好。
41、在本專利技術本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，包括蝕刻液主劑和蝕刻液輔劑，其特征在于，按照重量份計算，所述蝕刻液主劑包括如下的各組分：
2.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
3.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
5.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
6.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
7.一種權利要求1-6任一項所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液的制備方法，其特征在于包含以下步驟：
8.一種權利要求1-6任一項所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液的蝕刻方法，其特征在于包含以下步驟：
9.一種權利要求1-6任一項所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液蝕刻MoNb-Cu-MoNb液晶面板的用途。
【技術特征摘要】
1.一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，包括蝕刻液主劑和蝕刻液輔劑，其特征在于，按照重量份計算，所述蝕刻液主劑包括如下的各組分：
2.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
3.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特征在于：
5.根據權利要求1所述的一種兩劑型液晶面板銅酸蝕刻液，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：侯軍，曹莉芳，彭仁杰，張敬坤，何佳麗，
申請(專利權)人：浙江奧首材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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