【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種用于晶體生長的熱場系統。
技術介紹
1、現有的用于配合坩堝生長大尺寸碳化硅晶體的熱場系統，不僅需要維持坩堝底部徑向溫度的均勻性，還需要維持坩堝軸向溫度的梯度。由于加熱器一般為筒形，筒形的加熱器難以保證坩堝底部徑向溫度的均勻性，需要在坩堝底部額外設置一個加熱器來維持其徑向溫度的均勻性，而分別控制多個加熱器會導致操作難度增加；為了控制軸向溫度梯度，還需要沿坩堝的軸向設置多段加熱器，通過分別調節不同高度加熱器的加熱功率來維持軸向的溫度梯度，這不僅增加了設備成本，還進一步增加了操作難度。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種用于晶體生長的熱場系統，不僅能夠維持坩堝底部徑向溫度的均勻性和維持坩堝中軸向溫度的梯度，保證大尺寸碳化硅晶體的順利生長，并且結構簡單，操作難度相對較低。
2、為達到上述目的，本專利技術采用的技術方案是：
3、一種用于晶體生長的熱場系統，用于將生長晶體的坩堝維持在設定的熱場中，所述坩堝包括杯形的本體、蓋設于所述本體上的蓋體，所述熱場系統包括杯形的且環設于所述坩堝外側的加熱器、罩設于所述加熱器外側的保溫罩，所述加熱器和所述本體分別向上開口；
4、所述保溫罩包括位于所述加熱器下方的保溫底板、設于所述保溫底板上的且環設于所述加熱器外側的保溫筒體、蓋設于所述保溫筒體上的且位于所述蓋體上方的保溫蓋板；所述保溫筒體包括從下往上依次連接的第一保溫段和第二保溫段，所述第一保溫段的內徑小于所述第二保溫段的內徑，所述第二保溫段底部
5、優選地，所述保溫蓋板的厚度小于所述第一保溫段的厚度。
6、優選地，所述保溫蓋板上開設有散熱孔。
7、優選地，所述保溫罩還包括環設于所述第二保溫段中的且位于所述蓋體上方的保溫環，所述保溫環的內徑小于所述第一保溫段的內徑。
8、更優選地，所述保溫環的內徑大于所述蓋體的直徑。
9、更優選地，所述保溫環的上端面和所述保溫蓋板的下端面之間間隔設置。
10、優選地，所述加熱器的外徑為d，所述第一保溫段的內徑為d，其中1.1d≤d≤1.3d。
11、優選地，所述保溫罩采用固化碳氈材料制成。
12、優選地，所述加熱器包括多個沿圓周方向間隔排列的加熱底板、多個沿圓周方向間隔排列的加熱側板，所述加熱側板分別與相鄰的兩個所述加熱底板連接，所述加熱側板上設有沿徑向貫通的第一間隙，所述第一間隙向下貫通所述加熱側板，所述第一間隙與兩個對應的所述加熱底板之間的第二間隙對齊。
13、更優選地，所述加熱底板和所述加熱側板的橫截面分別為扇形，所述加熱底板的外徑與所述加熱側板的內徑相同。
14、由于上述技術方案的運用，本專利技術與現有技術相比具有下列優點：本專利技術用于晶體生長的熱場系統，通過設置杯形的加熱器，不僅能夠對坩堝的側部進行加熱，還能夠對坩堝的底部進行加熱，以維持其底部徑向溫度的均勻性；配合上下兩段內徑相異的保溫段，下方第一保溫段的保溫效果強于上方第二保溫段的保溫效果，進而能夠保證坩堝軸向溫度的梯度，保證大尺寸碳化硅晶體的順利生長；該熱場系統結構簡單，操作難度相對較低。
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1.一種用于晶體生長的熱場系統，用于將生長晶體的坩堝維持在設定的熱場中，所述坩堝包括杯形的本體、蓋設于所述本體上的蓋體，其特征在于：所述熱場系統包括杯形的且環設于所述坩堝外側的加熱器、罩設于所述加熱器外側的保溫罩，所述加熱器和所述本體分別向上開口；
2.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫蓋板的厚度小于所述第一保溫段的厚度。
3.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫蓋板上開設有散熱孔。
4.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫罩還包括環設于所述第二保溫段中的且位于所述蓋體上方的保溫環，所述保溫環的內徑小于所述第一保溫段的內徑。
5.根據權利要求4所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫環的內徑大于所述蓋體的直徑。
6.根據權利要求4所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫環的上端面和所述保溫蓋板的下端面之間間隔設置。
7.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述加熱器的外徑為d，所述第一
8.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫罩采用固化碳氈材料制成。
9.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述加熱器包括多個沿圓周方向間隔排列的加熱底板、多個沿圓周方向間隔排列的加熱側板，所述加熱側板分別與相鄰的兩個所述加熱底板連接，所述加熱側板上設有沿徑向貫通的第一間隙，所述第一間隙向下貫通所述加熱側板，所述第一間隙與兩個對應的所述加熱底板之間的第二間隙對齊。
10.根據權利要求9所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述加熱底板和所述加熱側板的橫截面分別為扇形，所述加熱底板的外徑與所述加熱側板的內徑相同。
...【技術特征摘要】
1.一種用于晶體生長的熱場系統，用于將生長晶體的坩堝維持在設定的熱場中，所述坩堝包括杯形的本體、蓋設于所述本體上的蓋體，其特征在于：所述熱場系統包括杯形的且環設于所述坩堝外側的加熱器、罩設于所述加熱器外側的保溫罩，所述加熱器和所述本體分別向上開口；
2.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫蓋板的厚度小于所述第一保溫段的厚度。
3.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫蓋板上開設有散熱孔。
4.根據權利要求1所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫罩還包括環設于所述第二保溫段中的且位于所述蓋體上方的保溫環，所述保溫環的內徑小于所述第一保溫段的內徑。
5.根據權利要求4所述的用于晶體生長的熱場系統，其特征在于：所述保溫環的內徑大于所述蓋體的直徑。
6.根據權利要求4所述的用于晶體生長的熱場系統...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周正星，程緒高，周潔，
申請(專利權)人：江蘇星特亮科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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