【技術實現步驟摘要】
本申請涉及顯示，具體涉及一種陣列基板以及顯示面板。
技術介紹
1、低溫多晶硅薄膜晶體管是液晶顯示器和有機發光二極管等顯示裝置有源驅動、周邊電路的關鍵部件。目前n型低溫多晶硅薄膜晶體管存在駝峰效應，亞閾值區電性較差，使得高規格產品充電能力受限；駝峰效應的成因：目前工藝制造的n型低溫多晶硅薄膜晶體管可視作由兩側的邊緣薄膜晶體管與位于中間的主體薄膜晶體管并聯組成，邊緣薄膜晶體管的閾值電壓(vth)相對主體薄膜晶體管偏負，導致主體薄膜晶體管亞閾值區電流異常增大。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種陣列基板以及顯示面板，可以降低薄膜晶體管存有駝峰效應的風險。
2、一方面，本申請實施例提供一種陣列基板，其包括：
3、基板；以及
4、薄膜晶體管，設置在所述基板上，所述薄膜晶體管包括有源層、柵極絕緣層、柵極、源極和漏極，所述有源層包括溝道、第一接觸部和第二接觸部，所述溝道包括主體部和邊緣部，所述邊緣部具有小于90度的坡度角，所述柵極絕緣層覆蓋所述有源層遠離所述基板的一側，所述柵極絕緣層包括相連的第一部和第二部，所述第一部覆蓋所述邊緣部，所述第二部覆蓋所述主體部；
5、所述柵極設置于所述柵極絕緣層遠離所述基板的一側，所述源極連接于所述第一接觸部，所述漏極連接于所述第二接觸部；
6、在所述陣列基板的平面視圖中，在第一方向上，所述第一接觸部、所述溝道和所述第二接觸部依次排布設置；在與所述第一方向垂直的第二方向上，一所述邊緣部位于所述主體部的
7、其中，所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管，所述第一部具有的正電荷的數量少于所述第二部具有的正電荷的數量；或者
8、所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管，所述第一部具有的負電荷的數量少于所述第二部具有的負電荷的數量。
9、可選的，在本申請的一些實施例中，所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管，單位面積的所述第二部具有的正電荷的數量大于或等于單位面積的所述第一部具有的正電荷的數量的十倍。
10、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一部的厚度小于所述第二部的厚度。
11、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一部和所述第二部的厚度差介于80埃至200埃之間。
12、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二部的厚度介于600埃至2000埃之間。
13、可選的，在本申請的一些實施例中，所述邊緣部的坡度角介于30度至80度之間。
14、可選的，在本申請的一些實施例中，所述主體部的厚度介于300埃至600埃之間。
15、可選的，在本申請的一些實施例中，所述陣列基板還包括遮光層、緩沖層、層間介質層、平坦層和像素電極，所述遮光層位于所述基板上，所述緩沖層覆蓋所述遮光層和所述基板，所述有源層設置在所述緩沖層遠離所述基板的一側，所述柵極絕緣層覆蓋所述有源層，所述層間介質層覆蓋所述柵極，所述源極和所述漏極設置在所述層間介質層遠離所述基板的一側，所述平坦層覆蓋所述源極和所述漏極，所述像素電極設置在所述平坦層遠離所述基板的一側，所述像素電極連接于所述源極或所述漏極。
16、可選的，在本申請的一些實施例中，所述柵極絕緣層還包括連接于所述第一部一側的第三部，所述第三部直接覆蓋所述緩沖層，所述第三部具有的正電荷的數量多于所述第一部具有的正電荷的數量。
17、可選的，在本申請的一些實施例中，自所述有源層向所述柵極的方向上，所述第一部和所述第二部具有的正電荷數量遞減。
18、另一方面，本申請實施例還提供一種陣列基板的制備方法，其包括以下步驟：
19、在基板上依次形成有源層和柵極絕緣層；所述有源層為n型，所述有源層包括溝道、第一接觸部和第二接觸部，所述溝道包括主體部和邊緣部，所述邊緣部具有小于90度的坡度角，所述柵極絕緣層覆蓋所述有源層遠離所述基板的一側，所述柵極絕緣層包括相連的第一部和第二部，所述第一部覆蓋所述邊緣部，所述第二部覆蓋所述主體部；在所述陣列基板的平面視圖中，在第一方向上，所述第一接觸部、所述溝道和所述第二接觸部依次排布設置；在與所述第一方向垂直的第二方向上，一所述邊緣部位于所述主體部的一側；
20、對所述柵極絕緣層進行離子注入處理，以將正電荷固定在所述柵極絕緣層內；其中，所述第一部固定的正電荷的數量少于所述第二部固定的正電荷的數量；
21、在所述柵極絕緣層上依次形成柵極、層間介質層和源極以及漏極，所述源極連接于所述第一接觸部，所述漏極連接于所述第二接觸部。
22、可選的，在本申請的一些實施例中，采用等離子體注入技術處理所述柵極絕緣層，所述等離子體注入技術的氣源包括一氧化二氮和氮氣中的至少一種。
23、又一方面，本申請實施例還提供一種顯示面板，其包括如上述任意一項實施例所述的陣列基板。
24、本申請實施例的陣列基板包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括有源層、柵極絕緣層、柵極、源極和漏極，有源層包括溝道、第一接觸部和第二接觸部，溝道包括主體部和邊緣部，邊緣部具有小于90度的坡度角；柵極絕緣層至少覆蓋溝道遠離基板的一側，柵極絕緣層包括相連的第一部和第二部，第一部覆蓋邊緣部，第二部覆蓋主體部；柵極設置于柵極絕緣層遠離基板的一側，源極連接于第一接觸部，漏極連接于第二接觸部；其中，薄膜晶體管為n型薄膜晶體管，第一部具有的正電荷的數量少于第二部具有的正電荷的數量；或者薄膜晶體管為p型薄膜晶體管，第一部具有的負電荷的數量少于第二部具有的負電荷的數量。
25、本申請實施例設置在同極性的電荷中，柵極絕緣層的第一部的電荷量小于第二部的電荷量，當薄膜晶體管開啟時由于第一部的電荷量較少，使得在相同的柵極電壓下，邊緣部的閾值電壓的負向或正向的移動較少，對應的主體部的閾值電壓的負向或正向的移動較多，如此使得具有邊緣部的邊緣薄膜晶體管和具有主體部的主體薄膜晶體管的閾值電壓的差值消除，從而達到改善薄膜晶體管駝峰效應的效果。
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1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為N型薄膜晶體管，單位面積的所述第二部具有的正電荷的數量大于或等于單位面積的所述第一部具有的正電荷的數量的十倍。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，自所述有源層向所述柵極的方向上，所述第一部和所述第二部具有的正電荷數量遞減。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一部的厚度小于所述第二部的厚度。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一部和所述第二部的厚度差介于80埃至200埃之間。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二部的厚度介于600埃至2000埃之間。
7.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述邊緣部的坡度角介于30度至80度之間。
8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述主體部的厚度介于300埃至600埃之間。
9.根據權利要求1至8任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括源極和漏極，所述有
10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層還包括連接于所述第一部一側的第三部，所述第三部直接覆蓋所述緩沖層，所述第三部具有的正電荷的數量多于所述第一部具有的正電荷的數量。
11.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-10任意一項所述的陣列基板。
...【技術特征摘要】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管，單位面積的所述第二部具有的正電荷的數量大于或等于單位面積的所述第一部具有的正電荷的數量的十倍。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，自所述有源層向所述柵極的方向上，所述第一部和所述第二部具有的正電荷數量遞減。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一部的厚度小于所述第二部的厚度。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一部和所述第二部的厚度差介于80埃至200埃之間。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二部的厚度介于600埃至2000埃之間。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：李壯，熊文慧，艾飛，宋德偉，
申請(專利權)人：武漢華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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