【技術實現步驟摘要】
一個或多個實施例涉及一種方法和一種設備，并且更具體地，涉及一種掩模組件以及一種用于制造顯示裝置的方法和設備。
技術介紹
1、已經廣泛使用移動電子裝置。除了諸如移動電話的小型電子裝置之外，最近還將平板個人計算機(“pc”)廣泛用作移動電子裝置。
2、為了支持各種功能，這種移動電子裝置包括用于向用戶提供視覺信息(諸如圖像或視頻)的顯示裝置。近來，隨著用于驅動顯示裝置的其他部件已經變得更小，由顯示裝置在電子裝置中所占的比例已經逐漸增加，并且還已經開發了能夠在平坦狀態下被彎折成具有一定角度的結構。
技術實現思路
1、隨著顯示裝置應用于各個領域并且變得更小，顯示裝置具有布置成具有精密圖案的像素非常重要。在這方面，像素可以通過堆疊多個層來形成，并且為了形成具有精密圖案的像素，所述多個層中的至少一者具有精確地設置在所述像素處的沉積材料是一個非常重要的問題。一個或多個實施例包括一種可以制造具有精密圖案的像素的顯示裝置的掩模組件、以及一種用于制造顯示裝置的方法和設備。
2、附加方面將在以下描述中部分地闡述，并且部分地將從描述中顯而易見，或者可以通過實踐本公開的呈現的實施例而獲知。
3、根據一個或多個實施例，一種掩模組件包括：支架，在所述支架中限定第一開口；連接部分，在所述連接部分中限定第二開口，所述連接部分布置在所述支架上，并且所述連接部分包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物及所述金屬的合金中的至少一者，其中所述第二開口相對應于所述第一開口；以及掩模，布置在所述連接部
4、在本實施例中，所述支架可以包括硅。
5、在本實施例中，所述連接部分可以包括彼此堆疊的至少兩層。
6、在本實施例中，所述掩模可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
7、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以在遠離所述支架的方向上減小。
8、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以從所述掩模的面向所述連接部分的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述支架的方向上減小，并且可以從所述圖案孔的所述一個點到所述掩模的與所述一個表面相背的另一表面，在遠離所述支架的方向上增大。
9、在本實施例中，在平面圖中所述第一開口的寬度可以與所述第二開口的寬度相同。
10、根據一個或多個實施例，一種制造掩模組件的方法包括：順序地堆疊第一基體材料和第二基體材料；在所述第二基體材料中形成彼此分開的多個工藝孔；在所述第二基體材料上布置第三基體材料；在所述第一基體材料中形成與所述多個工藝孔相對應的第一開口；以及通過去除布置在所述多個工藝孔中的每一個內部的所述第三基體材料，在所述第三基體材料中形成多個圖案孔。
11、在本實施例中，在所述多個圖案孔的所述形成之前，所述第三基體材料的與所述多個工藝孔重疊的一個表面可以包括波紋。
12、在本實施例中，所述方法還可以包括在所述第二基體材料中形成與所述第一開口相對應的第二開口。
13、在本實施例中，所述方法還可以包括在所述第三基體材料上布置覆蓋構件。
14、在本實施例中，所述方法還可以包括去除所述覆蓋構件。
15、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以在遠離所述第一基體材料的方向上減小。
16、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以從所述第三基體材料的面向所述第二基體材料的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述第一基體材料的方向上減小，并且可以從所述圖案孔的所述一個點到所述第三基體材料的與所述一個表面相背的另一表面，在遠離所述第一基體材料的所述方向上增大。
17、在本實施例中，所述第一基體材料可以包括硅。
18、在本實施例中，所述第二基體材料可以包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物及所述金屬的合金中的至少一者。
19、在本實施例中，所述第三基體材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
20、在本實施例中，所述第二基體材料可以包括彼此堆疊的至少兩層。
21、根據一個或多個實施例，一種用于制造顯示裝置的設備包括：面向基底的沉積源；以及布置在所述基底和所述沉積源之間的掩模組件，其中，所述掩模組件包括：支架，在所述支架中限定第一開口；連接部分，在所述連接部分中限定第二開口，所述連接部分布置在所述支架上，并且所述連接部分包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物及所述金屬的合金中的至少一者，其中所述第二開口相對應于所述第一開口；以及掩模，布置在所述連接部分上，所述掩模配置為屏蔽所述第一開口和所述第二開口，并且所述掩模限定與所述第一開口和所述第二開口相對應的多個圖案孔。
22、在本實施例中，所述支架可以包括硅。
23、在本實施例中，所述連接部分可以包括彼此堆疊的至少兩層。
24、在本實施例中，所述掩?？梢园ㄑ趸?、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
25、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以在遠離所述支架的方向減小。
26、在本實施例中，在截面圖中所述圖案孔的寬度可以從所述掩模面向所述連接部分的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述支架的方向上減小，并且可以從所述圖案孔的所述一個點到所述掩模的與所述一個表面相反的另一表面，在遠離所述支架的方向上增大。
27、在本實施例中，在平面圖中所述第一開口的寬度可以與所述第二開口的寬度相同。
28、根據一個或多個實施例，一種制造顯示裝置的方法包括：布置基底和掩模組件以面向沉積源；以及從所述沉積源供應沉積材料以使所述沉積材料穿過所述掩模組件并且沉積在所述基底上，其中，所述掩模組件包括：支架，在所述支架中限定第一開口；連接部分，在所述連接部分中限定第二開口，所述連接部分布置在所述支架上，并且所述連接部分包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物及所述金屬的合金中的至少一者，其中所述第二開口相對應于所述第一開口；以及掩模，所述掩模布置在所述連接部分上，所述掩模配置為屏蔽所述第一開口和所述第二開口，并且所述掩模限定與所述第一開口和所述第二開口相對應的多個圖案孔。
29、在本實施例中，所述支架可以包括硅。
30、在本實施例中，所述連接部分可以包括彼此堆疊的至少兩層。
31、在本實施例中，所述掩?？梢园ㄑ趸琛⒌韬偷趸柚械闹辽僖徽?。
32、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以在遠離所述支架的方向上減小。
33、在本實施例中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度可以從所述掩模面向所述連接部分的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述支架的方向上減小，并且可以從所述圖案孔的所述一個點到所述掩模的與所述一個表面相反的另一表面，在遠離所述支架的方向上增大。
34、在本實施例中，在平面圖中所述本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種掩模組件，其中，所述掩膜組件包括：
2.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述支架包括硅。
3.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述連接部分包括彼此堆疊的至少兩層。
4.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述掩模包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
5.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度在遠離所述支架的方向上減小。
6.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度從所述掩模的面向所述連接部分的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述支架的方向上減小，并且從所述圖案孔的所述一個點到所述掩模的與所述一個表面相背的另一表面，在遠離所述支架的所述方向上增大。
7.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，在平面圖中所述第一開口的寬度與所述第二開口的寬度相同。
8.一種制造掩模組件的方法，其中，所述方法包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述多個圖案孔的所述形成之前，所述第三基體材料的與所述多個工藝孔重疊的一個表面包括波
10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述方法還包括：在所述第二基體材料中形成與所述第一開口相對應的第二開口。
11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述方法還包括：在所述第三基體材料上布置覆蓋構件。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述方法還包括：去除所述覆蓋構件。
13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度在遠離所述第一基體材料的方向上減小。
14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度從所述第三基體材料的面向所述第二基體材料的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述第一基體材料的方向上減小，并且從所述圖案孔的所述一個點到所述第三基體材料的與所述一個表面相背的另一表面，在遠離所述第一基體材料的所述方向上增大。
15.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一基體材料包括硅。
16.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二基體材料包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物以及所述金屬的合金中的至少一者。
17.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第三基體材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
18.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二基體材料包括彼此堆疊的至少兩層。
19.一種用于制造顯示裝置的設備，其中，所述設備包括：
20.一種制造顯示裝置的方法，其中，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種掩模組件，其中，所述掩膜組件包括：
2.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述支架包括硅。
3.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述連接部分包括彼此堆疊的至少兩層。
4.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述掩模包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
5.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度在遠離所述支架的方向上減小。
6.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，所述圖案孔的在截面圖中的寬度從所述掩模的面向所述連接部分的一個表面到所述圖案孔的一個點，在遠離所述支架的方向上減小，并且從所述圖案孔的所述一個點到所述掩模的與所述一個表面相背的另一表面，在遠離所述支架的所述方向上增大。
7.根據權利要求1所述的掩模組件，其中，在平面圖中所述第一開口的寬度與所述第二開口的寬度相同。
8.一種制造掩模組件的方法，其中，所述方法包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述多個圖案孔的所述形成之前，所述第三基體材料的與所述多個工藝孔重疊的一個表面包括波紋。
10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述方法還包括：在所述第二基體材料中形成與所述第一開口相對應的第二開口。
1...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。