【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體裝置的制造方法。
技術介紹
1、以往，為了提高漏極電流，提出了一種高電子遷移率晶體管(high?electronmobility?transistor：hemt)，其在柵極絕緣膜使用了相對介電常數高的硅酸鉿膜。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特表2009－506537號公報
5、專利文獻2：日本特開平5－223855號公報
6、近年來，柵極泄漏的減少的要求高漲。
技術實現思路
1、本公開的目的在于提供一種能減少柵極泄漏的半導體裝置的制造方法。
2、本公開的半導體裝置的制造方法具有以下工序：在氮化物半導體層之上形成相對介電常數比二氧化硅的相對介電常數高的電介質氧化膜；使所述電介質氧化膜氮化來形成電介質氮氧化膜；以及在所述電介質氮氧化膜之上形成柵電極，形成所述電介質氮氧化膜的工序具有以下工序：在內部具備催化劑金屬的反應爐內配置包括所述氮化物半導體層和所述電介質氧化膜的基板；使氨氣在所述反應爐內熱解，由所述氨氣所包含的氮原子和從所述電介質氧化膜擴散出的氧原子生成一氧化二氮氣體；以及使所述一氧化二氮氣體熱解來生成一氧化氮氣體。
3、專利技術效果
4、根據本公開，能減少柵極泄漏。
【技術保護點】
1.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，
3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有被供給所述氨氣的噴嘴，
8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有供所述基板載置的基板保持器，
9.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有：
10.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有：
11.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有至少在內表面設有所述催化劑金屬的腔室。
12.根據權利
13.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，在形成所述電介質氮氧化膜的工序中，將氮氣與所述氨氣一同供給至所述反應爐內。
14.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其中，
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，
3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有被供給所述氨氣的噴嘴，
8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述反應爐具有供所述基板載置的基板保持器，
<...【專利技術屬性】
技術研發人員：平崎貴英，
申請(專利權)人：住友電氣工業株式會社，
類型：發明
國別省市：
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