【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例內容是有關于一種形成半導體裝置的方法，特別是有關于一種可使氮化鈦蓋體具有充氧區域的半導體裝置的形成方法。
技術介紹
1、半導體集成電路(integrated?circuit，ic)產業已經歷了快速的成長。集成電路(ic)的材料與設計的技術發展已經創造了集成電路的多個世代，且各個世代具有相較于前一世代更小且更復雜的電路。在集成電路演進的歷程中，功能性密度(例如單位芯片面積的互連裝置的數量)已普遍地增加，同時伴隨著幾何尺寸(即，集成電路部件的尺寸以及/或大小以及/或這些集成電路部件之間的間距)的縮小。一般而言，縮小尺寸僅受到以不斷減小的幾何尺寸光刻定義集成電路部件的能力的限制。
2、隨著部件尺寸持續減小，改進的通道遷移率(即，通道中的載子遷移率)在例如存儲器或邏輯元件的集成電路元件中變得越來越重要。存儲器元件例如靜態隨機存取存儲器(static?random-access?memory，sram)會不斷縮小為更小的技術節點(例如，<10nm)。在這些尺寸下，sram遷移率和存儲器單元的導通電流可能會低于預期。如此，最小供電電壓vmin(即，最小工作電壓)增加，因此使得功率效率下降。由于通道尺寸受到技術節點的限制，柵極結構，特別是與通道的柵極介面，是可以提高通道遷移率的一個開發領域。
3、因此，盡管現有的形成柵極結構的方法通常足以滿足它們的預期目的，但是它們并未在各個方面都完全令人滿意。
技術實現思路
1、本公開的一些實施例提供一種形成半導體
2、本公開的一些實施例再提供一種形成一半導體裝置的方法。此方法包括在一基底的一通道區的上方形成一高介電常數柵極介電層；在前述高介電常數柵極介電層上方沉積一功函數金屬層；在前述功函數金屬層上方沉積一第一氮化鈦蓋層；對前述第一氮化鈦蓋層進行一氧處理；在前述第一氮化鈦蓋層上方沉積一第二氮化鈦蓋層以形成一氮化鈦蓋體；在前述氮化鈦蓋體上沉積一硅蓋層；在前述硅蓋層上沉積一導電粘合層；以及在前述導電粘合層上方沉積一柵極填充金屬層，以形成一柵極結構。
3、本公開的一些實施例又提供一種形成半導體裝置的方法。此方法包括在一基底的一通道區上方形成一高介電常數柵極介電層；在前述高介電常數柵極介電層的上方沉積一功函數金屬層；在前述功函數金屬層的上方沉積一底部氮化鈦蓋層；對前述底部氮化鈦蓋層進行一氧處理；在前述底部氮化鈦蓋層上沉積一個或多個中間氮化鈦蓋層(middle?tincapping?layers)；對前述一個或多個中間氮化鈦蓋層進行一氧處理；在前述一個或多個中間氮化鈦蓋層的上方沉積一頂部氮化鈦蓋層以形成一氮化鈦蓋體；在前述氮化鈦蓋體上沉積一硅蓋層；在前述硅蓋層上沉積一導電粘合層；以及在前述導電粘合層上方沉積一柵極填充金屬層，以形成一柵極結構。
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1.一種形成一半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的方法，還包括：
3.如權利要求1所述的方法，其中該氮化鈦蓋體的形成包括：
4.如權利要求3所述的方法，其中該第一氮化鈦蓋層在真空密封的物理氣相沉積腔室中沉積，其中該氧處理包括：
5.如權利要求4所述的方法，其中沉積該第一氮化鈦蓋層使得該第一氮化鈦蓋層的一頂表面具有一粗糙表面。
6.一種形成一半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
7.如權利要求6所述的方法，
8.如權利要求6所述的方法，其中該氮化鈦蓋體具有位于一頂部區域和一底部區域之間的一充氧區域，該充氧區域比該頂部區域和該底部區域具有一更高的氧濃度。
9.一種形成一半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
10.如權利要求9所述的方法，其中對沉積的該個或該些中間氮化鈦蓋層的各個進行一氧處理。
【技術特征摘要】
1.一種形成一半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的方法，還包括：
3.如權利要求1所述的方法，其中該氮化鈦蓋體的形成包括：
4.如權利要求3所述的方法，其中該第一氮化鈦蓋層在真空密封的物理氣相沉積腔室中沉積，其中該氧處理包括：
5.如權利要求4所述的方法，其中沉積該第一氮化鈦蓋層使得該第一氮化鈦蓋層的一頂表面具有一粗糙表面。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：李尚融，李致葳，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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