【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本技術涉及半導體，具體涉及一種刻蝕設備。
技術介紹
1、在半導體制造中，刻蝕是利用化學或者物理的方法將晶圓表面附著的不必要的材質進行去除的過程。刻蝕分為干法刻蝕和濕法刻蝕。其中，干法刻蝕由于能夠實現(xiàn)各向異性刻蝕，占據(jù)半導體晶圓制造中的主導地位。干法刻蝕利用刻蝕設備完成，主要工作原理為利用等離子體與表面薄膜反應，形成揮發(fā)性物質，或者直接轟擊薄膜表面將多余材料去除。
2、圖1示出了刻蝕設備的結構示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有刻蝕機包括晶圓裝載腔1、帶風機環(huán)境室2、真空傳送腔3及工藝腔4。當進行刻蝕工藝時，晶圓片從晶圓片盒傳送至帶風機環(huán)境室2下進行尋邊矯正，然后晶圓片依次進入真空傳送腔3，然后進入工藝腔4中進行刻蝕。其中，在帶風機環(huán)境室2中設置風機5，用于將空氣送入至帶過濾網(wǎng)的帶風機環(huán)境室2中，在帶風機環(huán)境室2內形成正壓，以將晶圓表面的灰塵或其他顆粒雜質從晶圓表面驅離，確保晶圓表面的清潔度，防止刻蝕出現(xiàn)阻擋刻蝕缺陷。在實際生產(chǎn)中，工程師經(jīng)常對帶風機環(huán)境室2下傳送機構6進行保養(yǎng)或維修，在維修或保養(yǎng)時常會將風機5關閉，而在保養(yǎng)及維修完畢后，可能會出現(xiàn)忘記將風機打開情況，而這會造成帶風機環(huán)境室2內的顆粒度超標，使灰塵等顆粒物掉落到待刻蝕的晶圓表面，使晶圓表面受到污染。受顆粒物污染的晶圓進行刻蝕時會造成阻擋刻蝕異常，降低晶圓片的良率，嚴重時還可能會導致晶圓片報廢。
技術實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術中的問題，本技術的目的在于提供一種刻蝕設備，以便及時發(fā)現(xiàn)風機未打開異常，降低刻蝕時出現(xiàn)阻擋刻蝕缺
2、本技術實施例提供了一種刻蝕設備，包括：
3、晶圓裝載腔，用于容納待刻蝕的晶圓；
4、帶風機環(huán)境室，包括風機，用于將氣體送入至所述帶風機環(huán)境室內，以在所述帶風機環(huán)境室內形成正壓；
5、傳送機構，用于將所述待刻蝕的晶圓傳送至工藝腔中進行刻蝕；
6、第一電連接回路，包括串聯(lián)連接的第一電源、第一開關、所述風機和繼電器；
7、第二電連接回路，包括串聯(lián)連接的第二電源、所述繼電器和電磁閥；其中，所述繼電器包括通電線圈和常開觸點，所述通電線圈的兩端置于所述第一電連接回路中，所述常開觸點的兩端置于所述第二電連接回路中；
8、當所述電磁閥導通時用于控制所述傳送機構做第一動作；當所述通電線圈通電時，所述第一電連接回路和所述第二電連接回路均為導通狀態(tài)。
9、在一些實施例中，所述繼電器還包括動鐵芯、彈簧和常閉觸點；當所述通電線圈通電時，所述動鐵芯在電磁力作用下與所述常開觸點的兩端連接；當所述通電線圈斷電時，所述動鐵芯在所述彈簧的作用下與所述常閉觸點的兩端連接。
10、在一些實施例中，還包括氣缸，以控制所述傳送機構做所述第一動作；所述氣缸包括缸體、活塞和連接桿，所述活塞帶動所述連接桿朝靠近或遠離所述缸體的方向運動。
11、在一些實施例中，還包括真空傳送腔，所述傳送機構置于所述真空傳送腔中。
12、在一些實施例中，所述傳送機構為真空手臂。
13、在一些實施例中，所述帶風機環(huán)境室還包括壓力測控單元，所述壓力測控單元用于檢測所述帶風機環(huán)境室內的氣壓，并根據(jù)氣壓控制所述風機的轉速，以調整氣體送入速率。
14、在一些實施例中，所述風機置于所述帶風機環(huán)境室的頂部。
15、在一些實施例中，還包括排氣單元，用于排出所述帶風機環(huán)境室內的氣體。
16、在一些實施例中，所述第一電源為交流電源。
17、本技術所提供的刻蝕設備具有如下優(yōu)點：
18、本技術設置第一電連接回路控制風機的運轉，設置第二電連接回路控制傳送機構傳輸動作信號，通過繼電器使第一電連接回路控制第二電連接回路的導通與關閉狀態(tài)。當?shù)谝浑娺B接回路斷開時，風機未開啟，第二電連接回路在繼電器影響下也為斷開狀態(tài)，則傳送機構無法實現(xiàn)第一動作，傳送機構異常報警提示。通過傳送機構的異常報警提示下，可及時監(jiān)測到風機未打開異常，進而降低因風機未運行導致的晶圓刻蝕異常，降低晶圓刻蝕異常率。
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1.一種刻蝕設備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述繼電器還包括動鐵芯、彈簧和常閉觸點；當所述通電線圈通電時，所述動鐵芯在電磁力作用下與所述常開觸點的兩端連接；當所述通電線圈斷電時，所述動鐵芯在所述彈簧的作用下與所述常閉觸點的兩端連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，還包括氣缸，以控制所述傳送機構做所述第一動作；所述氣缸包括缸體、活塞和連接桿，所述活塞帶動所述連接桿朝靠近或遠離所述缸體的方向運動。
4.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，還包括真空傳送腔，所述傳送機構置于所述真空傳送腔中。
5.根據(jù)權利要求4所述的刻蝕設備，其特征在于，所述傳送機構為真空手臂。
6.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述帶風機環(huán)境室還包括壓力測控單元，所述壓力測控單元用于檢測所述帶風機環(huán)境室內的氣壓，并根據(jù)氣壓控制所述風機的轉速，以調整氣體送入速率。
7.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述風機置于所述帶風機環(huán)境室的頂部。
8.根據(jù)權利要求
9.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述第一電源為交流電源。
...【技術特征摘要】
1.一種刻蝕設備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述繼電器還包括動鐵芯、彈簧和常閉觸點；當所述通電線圈通電時，所述動鐵芯在電磁力作用下與所述常開觸點的兩端連接；當所述通電線圈斷電時，所述動鐵芯在所述彈簧的作用下與所述常閉觸點的兩端連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，還包括氣缸，以控制所述傳送機構做所述第一動作；所述氣缸包括缸體、活塞和連接桿，所述活塞帶動所述連接桿朝靠近或遠離所述缸體的方向運動。
4.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，還包括真空傳送腔，所述傳送機構置于所述真空傳...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：徐雷，張軍，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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