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【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及樹脂組合物。進而,本專利技術涉及包含含有該樹脂組合物的樹脂組合物層的片狀層疊材料、電路基板和半導體裝置。
技術介紹
1、近年來,要求電子儀器的小型化、信號的高速化、以及電路基板中的布線的高密度化。與此相伴,最近,電路基板的絕緣層的低介電常數化、絕緣層表面的平坦性的改善、鍍覆密合性的改善的要求提高。例如,為了降低電路基板的絕緣層的相對介電常數,在專利文獻1、2中,對使用了包含中空二氧化硅等中空無機填充材料的樹脂組合物的絕緣層進行了研究。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1:日本專利第5864299號公報
5、專利文獻2:日本專利第7020378號公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的課題
2、但是,為了降低電路基板的絕緣層的相對介電常數,例如,若使用40體積%以上的孔隙率高的中空無機填充材料,則在使樹脂組合物熱固化而形成絕緣層的過程中,中空無機填充材料容易破裂,因此絕緣層的平坦性降低、鍍覆密合性降低的可能性變高。另外,由于不能增加樹脂組合物中的該中空無機填充材料的含量,因此不能有效地降低絕緣層的相對介電常數,難以降低電路基板中的傳輸損失。
3、本專利技術是鑒于上述課題而創造出的專利技術,其目的在于提供能夠得到表面的平坦性及鍍覆密合性優異的絕緣層、并且能夠降低電路基板中的傳輸損失的樹脂組合物和層疊體、以及傳輸損失降低了的電路基板和半導體裝置。
4、用于解決課題的方案
< ...【技術保護點】
1.一種樹脂組合物,其包含:(A)環氧樹脂、(B)固化劑、(C)中空無機填充材料和(D)咪唑系固化促進劑,其中,
2.根據權利要求1所述的樹脂組合物,其中,(D)咪唑系固化促進劑包含具有式(1)所示的結構的化合物,
3.根據權利要求1所述的樹脂組合物,其中,(D)咪唑系固化促進劑包含具有式(1-1)~式(1-6)所示的結構的化合物、以及具有式(1-7)所示的結構的化合物的與具有式(2)所示的結構的化合物的加成物中的任一種,
4.根據權利要求1所述的樹脂組合物,其中,進一步包含(C’)實心無機填充材料。
5.根據權利要求1所述的樹脂組合物,其中,進一步包含(E)應力松弛劑。
6.一種片狀層疊材料,其包含:支承體、和設置于該支承體上的含有權利要求1~5中任一項所述的樹脂組合物的樹脂組合物層。
7.一種電路基板,其包含權利要求1~5中任一項所述的樹脂組合物的固化物。
8.一種半導體裝置,其包含權利要求7所述的電路基板。
【技術特征摘要】
1.一種樹脂組合物,其包含:(a)環氧樹脂、(b)固化劑、(c)中空無機填充材料和(d)咪唑系固化促進劑,其中,
2.根據權利要求1所述的樹脂組合物,其中,(d)咪唑系固化促進劑包含具有式(1)所示的結構的化合物,
3.根據權利要求1所述的樹脂組合物,其中,(d)咪唑系固化促進劑包含具有式(1-1)~式(1-6)所示的結構的化合物、以及具有式(1-7)所示的結構的化合物的與具有式(2)所示的結構的化合物的加成物中的任一種,
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