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    一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置制造方法及圖紙

    技術編號:44503029 閱讀:0 留言:0更新日期:2025-03-07 13:02
    本技術提供一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,涉及高分子鉭電容生產加工技術領域,包括裝置本體,所述裝置本體上設置有預處理機構,所述預處理機構包括放置槽,所述放置槽的內壁一側安裝有高壓電源,所述放置槽的內壁一側安裝有控制器,所述放置槽的內壁底部安裝有風機,所述風機的輸出端和風機的輸入端均安裝有軟管,其中一個所述軟管的輸出端安裝有導管,所述放置槽的內壁底部安裝有絕緣殼體。本技術中,通過設置預處理機構,可以提高真空浸漬裝置的生產效率,既提高了真空浸漬裝置的使用效果,同時也提高了真空浸漬裝置的使用效率。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及高分子鉭電容生產加工,尤其涉及一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置。


    技術介紹

    1、高分子鉭電容是一種電子元件,利用鉭金屬薄膜作為正極電極材料,高分子聚合物作為電介質,以及碳材料或者金屬作為負極電極材料構成,它的生產過程通常包括原材料準備、電極制備、真空浸漬和測試與分選等,其中真空浸漬需要用到真空浸漬裝置。

    2、但現有技術中,現有的高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置雖然可以完成高分子鉭電容生產的真空浸漬操作,但不具有對鉭電容真空浸漬操作前進行預處理操作的功能,即導致了真空浸漬裝置的生產效率受限,既降低了高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置的使用效果,同時也降低了高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置的使用效率。

    3、因此,我們提出了一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,以解決
    技術介紹
    中提出的技術問題。


    技術實現思路

    1、本技術的目的是為了解決現有技術中現有的高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置不具有對鉭電容真空浸漬操作前進行預處理操作的功能,即導致了真空浸漬裝置的生產效率受限,既降低了高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置的使用效果,同時也降低了高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置使用效率的問題,而提出的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置。

    2、為了實現上述目的,本技術采用了如下技術方案:一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,包括裝置本體,所述裝置本體上設置有預處理機構;

    3、所述預處理機構包括放置槽,所述放置槽的內壁一側安裝有高壓電源,所述放置槽的內壁一側安裝有控制器,所述放置槽的內壁底部安裝有風機,所述風機的輸出端和風機的輸入端均安裝有軟管,其中一個所述軟管的輸出端安裝有導管,所述放置槽的內壁底部安裝有絕緣殼體,所述絕緣殼體的內部固定有收塵極,所述絕緣殼體的頂部通孔處安裝有絕緣子,所述絕緣子的內部固定套接有電暈極,所述收塵極的內部靠近底部位置活動套接有收塵盒,所述放置槽的內壁頂部開口處安裝有激光測距傳感器。

    4、優選的,所述導管的頂部固定貫穿放置槽的內壁頂部,另一個所述軟管的輸入端與絕緣殼體的輸出端相安裝。

    5、優選的,所述絕緣子的底部活動貫穿收塵極的頂部,所述收塵盒的底部與絕緣殼體的底部處于同一水平面上。

    6、優選的,所述高壓電源與控制器電性連接,所述激光測距傳感器與控制器電性連接,所述風機與控制器電性連接。

    7、優選的,所述高壓電源與收塵極通過第一導線電性連接,所述電暈極與高壓電源通過第二導線電性連接。

    8、優選的,所述絕緣殼體的輸入端與收塵極的下開口處相連通,所述絕緣殼體的輸出端與收塵極的上開口處相連通,所述放置槽開設于裝置本體的正表面。

    9、優選的,所述放置槽的槽口處安裝有放置板,所述放置板的正表面靠近底部位置開設有四個通風孔。

    10、與現有技術相比,本技術的優點和積極效果在于,

    11、1、本技術中,通過設置預處理機構,可以提高真空浸漬裝置的生產效率,既提高了真空浸漬裝置的使用效果,同時也提高了真空浸漬裝置的使用效率,通過在第一導線、第二導線、收塵極、電暈極、絕緣子和高壓電源的配合下,可以讓進入收塵極內部的空氣中攜帶的灰塵被靜電吸引,吸附收集在收塵極的內壁上,通過在風機和軟管的配合下,可以將收塵極輸出端排出的被處理后的空氣輸送到導管的內部。

    12、2、本技術通過在放置板的作用下,可以防止放置槽內部的部件因受到外力的碰撞而影響其正常工作,通過在通風孔的作用下,可以讓絕緣殼體的輸入端吸收到外界的空氣。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于,包括裝置本體(1),所述裝置本體(1)上設置有預處理機構(2);

    2.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述導管(211)的頂部固定貫穿放置槽(201)的內壁頂部,另一個所述軟管(205)的輸入端與絕緣殼體(206)的輸出端相安裝。

    3.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述絕緣子(208)的底部活動貫穿收塵極(207)的頂部,所述收塵盒(210)的底部與絕緣殼體(206)的底部處于同一水平面上。

    4.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述高壓電源(202)與控制器(203)電性連接,所述激光測距傳感器(212)與控制器(203)電性連接,所述風機(204)與控制器(203)電性連接。

    5.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述高壓電源(202)與收塵極(207)通過第一導線電性連接,所述電暈極(209)與高壓電源(202)通過第二導線電性連接。</p>

    6.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述絕緣殼體(206)的輸入端與收塵極(207)的下開口處相連通,所述絕緣殼體(206)的輸出端與收塵極(207)的上開口處相連通,所述放置槽(201)開設于裝置本體(1)的正表面。

    7.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述放置槽(201)的槽口處安裝有放置板(3),所述放置板(3)的正表面靠近底部位置開設有四個通風孔(4)。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于,包括裝置本體(1),所述裝置本體(1)上設置有預處理機構(2);

    2.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述導管(211)的頂部固定貫穿放置槽(201)的內壁頂部,另一個所述軟管(205)的輸入端與絕緣殼體(206)的輸出端相安裝。

    3.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述絕緣子(208)的底部活動貫穿收塵極(207)的頂部,所述收塵盒(210)的底部與絕緣殼體(206)的底部處于同一水平面上。

    4.根據權利要求1所述的一種高分子鉭電容生產用真空浸漬裝置,其特征在于:所述高壓電源(202)與控制器(203)電性連接,所述激光測距傳感器(212)與控制器(203)電...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:熊臘梅,張志奎,
    申請(專利權)人:珠海格瑞特科技有限公司,
    類型:新型
    國別省市:

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