【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及存儲器，具體地涉及一種存儲器器件性能調控方法、一種存儲器器件性能調控裝置、一種電子設備、一種機器可讀存儲介質和一種計算機程序產品。
技術介紹
1、存儲器制備工藝中的離子注入技術，是在20世紀60年代發展起來的一種半導體摻雜工藝。離子注入技術的發展推動著集成電路領域的進步。目前，在超大規模集成電路生產制造過程中主要采用的摻雜工藝就是離子注入。相比于擴散工藝等其他半導體摻雜工藝，離子注入可以保證摻雜純度不受雜質源的影響、能夠精確控制注入到襯底中的摻雜原子或離子的數目。通過控制注入離子的能量和劑量、采用多次注入相同或不同雜質，實現調控雜質分布。
2、由于離子注入技術所涉及的參數眾多，各個參數設置模式下的離子注入技術對存儲器器件電學性能的影響需要進行系統的分析，如何實現精準調控離子注入的模式以實現存儲器件高性能成為亟需解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術實施例的目的是提供一種存儲器器件性能調控方法、裝置和電子設備，用以解決如何實現精準調控離子注入的模式以實現存儲器件高性能成為亟需解決的問題。
2、為了實現上述目的，本專利技術實施例提供一種存儲器器件性能調控方法，包括：
3、獲取存儲器漏極的離子注入工藝的多個初始離子注入條件；
4、利用srim軟件對所有所述初始離子注入條件進行離子注入仿真，得到每個初始離子注入條件對應的離子摻雜分布參數集；所述離子摻雜分布參數集包括離子平均穿透深度以及離子峰值濃度；
5、從所有所
6、基于tcad軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真。
7、可選的，所述從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數集，包括：
8、從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出一個滿足設定條件的離子摻雜分布參數集作為所述最優離子摻雜分布參數集；或者，
9、從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出多個滿足設定條件的離子摻雜分布參數集；基于多個離子摻雜分布參數集中離子平均穿透深度的平均值和離子峰值濃度的平均值組成的離子摻雜分布參數集作為所述最優離子摻雜分布參數集。
10、可選的，所述設定條件包括離子平均穿透深度為90nm至115nm，離子峰值濃度大于或等于1×1015cm-3。
11、可選的，所述基于tcad軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，包括：
12、基于tcad軟件中的sprocess模塊對選用所述最優離子摻雜分布參數集的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，得到第一仿真結果；
13、基于tcad軟件中的sdevice模塊對所述第一仿真結果進行器件電學性能仿真和/或可靠性能仿真，得到第二仿真結果；
14、基于所述第二仿真結果得到仿真參數；所述仿真參數包括器件的編程擦除閾值電壓窗口和/或可靠性的循環次數。
15、可選的，所述初始離子注入條件包括注入能量、掩蔽層種類、注入劑量、掩蔽層厚度、注入次數以及注入角度中的至少兩種。
16、另一方面，本專利技術實施例還提供一種存儲器器件性能調控裝置，包括：
17、獲取模塊，用于獲取存儲器漏極的離子注入工藝的多個初始離子注入條件；
18、第一仿真模塊，用于利用srim軟件對所有所述初始離子注入條件進行離子注入仿真，得到每個初始離子注入條件對應的離子摻雜分布參數集；所述離子摻雜分布參數集包括離子平均穿透深度以及離子峰值濃度；
19、篩選模塊，用于從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數集；
20、第二仿真模塊，用于基于tcad軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真。
21、可選的，所述從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數集，包括：
22、從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出一個滿足設定條件的離子摻雜分布參數集作為所述最優離子摻雜分布參數集；或者，
23、從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出多個滿足設定條件的離子摻雜分布參數集；基于多個離子摻雜分布參數集中離子平均穿透深度的平均值和離子峰值濃度的平均值組成的離子摻雜分布參數集作為所述最優離子摻雜分布參數集。
24、可選的，所述設定條件包括離子平均穿透深度為90nm至115nm，離子峰值濃度大于或等于1×1015cm-3。
25、可選的，所述基于tcad軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，包括：
26、基于tcad軟件中的sprocess模塊對選用所述最優離子摻雜分布參數集的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，得到第一仿真結果；
27、基于tcad軟件中的sdevice模塊對所述第一仿真結果進行器件電學性能仿真和/或可靠性能仿真，得到第二仿真結果；
28、基于所述第二仿真結果得到仿真參數；所述仿真參數包括器件的編程擦除閾值電壓窗口和/或可靠性的循環次數。
29、可選的，所述初始離子注入條件包括注入能量、掩蔽層種類、注入劑量、掩蔽層厚度、注入次數以及注入角度中的至少兩種。
30、另一方面，本專利技術還提供一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現上述存儲器器件性能調控方法。
31、另一方面，本專利技術還提供一種機器可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，該計算機程序被處理器執行時實現上述存儲器器件性能調控方法。
32、另一方面，本專利技術還提供一種計算機程序產品，包括計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述存儲器器件性能調控方法。
33、通過上述技術方案，本專利技術實施例結合了離子注入仿真的srim軟件和tcad軟件，主要針對工藝流程中對器件漏極的cnldd注入工藝，在多個初始離子注入條件中選取最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件作為最佳注入條件，實現精準調控離子注入的模式以實現存儲器件高性能。
34、本專利技術實施例的其它特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種存儲器器件性能調控方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數集，包括：
3.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述設定條件包括離子平均穿透深度為90nm至115nm，離子峰值濃度大于或等于1×1015cm-3。
4.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述基于TCAD軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，包括：
5.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述初始離子注入條件包括注入能量、掩蔽層種類、注入劑量、掩蔽層厚度、注入次數以及注入角度中的至少兩種。
6.一種存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，所述從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數
8.根據權利要求6所述的存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，所述設定條件包括離子平均穿透深度為90nm至115nm，離子峰值濃度大于或等于1×1015cm-3。
9.根據權利要求6所述的存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，所述基于TCAD軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，包括：
10.根據權利要求6所述的存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，所述初始離子注入條件包括注入能量、掩蔽層種類、注入劑量、掩蔽層厚度、注入次數以及注入角度中的至少兩種。
11.一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述程序時實現權利要求1至5中任一項所述的存儲器器件性能調控方法。
12.一種機器可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至5中任一項所述的存儲器器件性能調控方法。
13.一種計算機程序產品，包括計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至5中任一項所述的存儲器器件性能調控方法。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器器件性能調控方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數集，包括：
3.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述設定條件包括離子平均穿透深度為90nm至115nm，離子峰值濃度大于或等于1×1015cm-3。
4.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述基于tcad軟件對選用所述最優離子摻雜分布參數集對應的初始離子注入條件的存儲器進行整體制備工藝流程仿真，包括：
5.根據權利要求1所述的存儲器器件性能調控方法，其特征在于，所述初始離子注入條件包括注入能量、掩蔽層種類、注入劑量、掩蔽層厚度、注入次數以及注入角度中的至少兩種。
6.一種存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的存儲器器件性能調控裝置，其特征在于，所述從所有所述初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩選出滿足設定條件的最優離子摻雜分布參數集，包括：
8.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳燕寧，吳波，劉芳，凌婉怡，任堃，高大為，鄧永峰，郁文，米朝勇，
申請(專利權)人：北京智芯微電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。