【技術實現步驟摘要】
本申請實施例涉及集成電路，具體涉及一種散熱系統、芯片模組及電子設備。
技術介紹
1、在芯片運行過程中，通過散熱系統可以將芯片產生的熱量散發出去。然而，隨著芯片的集成度提高和功耗增加，芯片的散熱需求也不斷提高。因此如何提供一種散熱系統，以改善芯片的散熱效果，提高芯片的運行性能，成為了本領域技術人員亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供一種散熱系統、芯片模組及電子設備，以改善芯片的散熱效果，提高芯片的運行性能。
2、為實現上述目的，本申請實施例提供如下技術方案。
3、第一方面，本申請實施例提供一種散熱系統，包括：
4、擴熱層，所述擴熱層與芯片接觸，所述擴熱層包括介質相變結構，所述介質相變結構填充有循環流動的相變導熱介質；所述相變導熱介質的相變變化用于擴散芯片的熱量；
5、中介層，連接擴熱層和換熱層，將相變導熱介質從芯片吸收的熱量傳導至換熱層；
6、換熱層，通過與冷卻介質進行熱交換，以帶走熱量。
7、可選地，所述介質相變結構至少包括蒸發區、冷凝區、以及蒸發區和冷凝區之間的傳遞區；所述蒸發區用于傳導芯片的熱量，將相變導熱介質由液態變為氣態；所述傳遞區，用于將氣態的相變導熱介質從蒸發區傳遞至冷凝區；所述冷凝區的溫度低于所述蒸發區的溫度，用于將氣態的相變導熱介質變為液態；
8、所述擴熱層還包括回流區，所述回流區用于將液態的相變導熱介質從冷凝區回流至蒸發區。
9、可選地，所
10、可選地，所述支撐結構的數量為多個，所述回流區設置于多個支撐結構中的至少部分支撐結構，其中，所述回流區包括第一毛細結構，所述第一毛細結構包括所述回流區中的第一表面層結構，以及設置于所述第一表面層結構中的多個通孔。
11、可選地，所述多個支撐結構包括第一支撐結構和第二支撐結構；其中，第一支撐結構的側壁設置有所述第一毛細結構，第二支撐結構的側壁未設置所述第一毛細結構。
12、可選地，所述第一支撐結構和所述第二支撐結構按照設定數量間隔排列。
13、可選地，所述蒸發區設置有第二毛細結構，所述第二毛細結構包括所述蒸發區中的第二表面層結構，以及設置于所述第二表面層結構中的多個通孔；
14、所述冷凝區設置有第三毛細結構，所述第三毛細結構包括所述冷凝區中的第三表面層結構，以及設置于所述第三表面層結構中的多個通孔；
15、其中，所述第三毛細結構、第一毛細結構以及第二毛細結構中的多個通孔的數量依次增加。
16、可選地，所述蒸發區設置的第二毛細結構包括：第一層毛細結構和第二層毛細結構，所述第二層毛細結構位于所述第一層毛細結構之上；所述第二層毛細結構中的通孔數量，大于所述第一層毛細結構中的通孔數量，且所述第二層毛細結構的厚度小于所述第一層毛細結構的厚度。
17、可選地，所述支撐結構的高度根據所述介質相變結構的換熱效率確定，其中，所述換熱效率與所述支撐結構的高度為負相關關系。
18、可選地，所述中介層包括中介層主體，所述中介層主體的第一面為擴熱層的冷凝區的設置面，所述中介層主體的第二面為換熱層進行熱交換的設置面。
19、可選地，所述擴熱層具有與芯片接觸的底板；所述中介層還包括：中介層支撐柱，所述中介層支撐柱連接于底板的兩端，以形成中介層與底板包圍的空間；所述介質相變結構設置于底板之上，且處于中介層與底板包圍的空間。
20、可選地，所述換熱層包括：
21、散熱片，所述散熱片用于與冷卻介質進行熱交換，以帶走中介層傳導的熱量；
22、冷卻介質進出管道，包括冷卻介質的進口管道，和冷卻介質的出口管道。
23、可選地，所述換熱層還包括蓋板，所述蓋板包括蓋板蓋面和蓋板支撐柱；所述蓋板支撐柱與所述中介層主體的第二面的端部相連接，以形成蓋板蓋面、蓋板支撐柱以及中介層主體的第二面所包圍的密閉腔體，所述散熱片置于所述密閉腔體中；
24、其中，所述進口管道和所述出口管道設置于所述蓋板蓋面；所述冷卻介質由外置水泵驅動，通過所述進口管道進入所述密閉腔體，流經所述散熱片后通過所述出口管道流出。
25、第二方面，本申請實施例提供一種芯片模組，包括至少一個芯片和如上述第一方面所述的散熱系統。
26、第三方面，本申請實施例提供一種電子設備，所述電子設備包括如上述第二方面所述的芯片模組。
27、本申請實施例提供的散熱系統包括：擴熱層，所述擴熱層與芯片接觸，所述擴熱層包括介質相變結構，所述介質相變結構填充有循環流動的相變導熱介質；所述相變導熱介質的相變變化用于擴散芯片的熱量；中介層，連接擴熱層和換熱層，將相變導熱介質從芯片吸收的熱量傳導至換熱層；換熱層，通過與冷卻介質進行熱交換，以帶走熱量。
28、可以看出，本申請實施例提供的散熱系統中擴熱層與芯片接觸，能夠傳導芯片產生的熱量，同時擴熱層設置有介質相變結構，介質相變結構內填充有循環流動的相變導熱介質，相變導熱介質可以吸收擴熱層傳導的芯片熱量，由液態變為氣態，相變導熱介質由液態變為氣態的相變過程能夠吸收芯片的熱量，從而有助于在較短時間內擴散和轉移芯片的熱量，避免芯片溫度上升；相變導熱介質吸熱氣化之后，在中介層與換熱層的協同作用下被冷凝回到液態，并且中介層作為連接擴熱層和換熱層的橋梁，能夠將相變導熱介質由氣態變為液態的過程中釋放的熱量傳導至換熱層，從而避免熱量滯留在擴熱層內，使得散熱系統內的熱量分布更為均勻；進而，換熱層接收熱量后，與冷卻介質進行熱交換，可以將熱量帶走，將芯片的熱量向外排散。通過上述逐層的熱量傳導和相變導熱介質的循環流動，本申請實施例提供的散熱系統能夠在擴熱層、中介層、換熱層的各個層級提升換熱效率，迅速將芯片產生的熱量向外排散，有效地降低芯片溫度，從而改善芯片的散熱效果，提升芯片的穩定性和運行性能。
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1.一種散熱系統，其特征在于，包括：
2.根據權利1所述的散熱系統，其特征在于，所述介質相變結構至少包括蒸發區、冷凝區、以及蒸發區和冷凝區之間的傳遞區；所述蒸發區用于傳導芯片的熱量，將相變導熱介質由液態變為氣態；所述傳遞區，用于將氣態的相變導熱介質從蒸發區傳遞至冷凝區；所述冷凝區的溫度低于所述蒸發區的溫度，用于將氣態的相變導熱介質變為液態；
3.根據權利要求2所述的散熱系統，其特征在于，所述擴熱層還包括：支撐結構，所述支撐結構支撐于所述蒸發區和冷凝區之間。
4.根據權利要求3所述的散熱系統，其特征在于，所述支撐結構的數量為多個，所述回流區設置于多個支撐結構中的至少部分支撐結構，其中，所述回流區包括第一毛細結構，所述第一毛細結構包括所述回流區中的第一表面層結構，以及設置于所述第一表面層結構中的多個通孔。
5.根據權利要求4所述的散熱系統，其特征在于，所述多個支撐結構包括第一支撐結構和第二支撐結構；其中，第一支撐結構的側壁設置有所述第一毛細結構，第二支撐結構的側壁未設置所述第一毛細結構。
6.根據權利要求5所述的散熱系統，其
7.根據權利要求4-6任一項所述的散熱系統，其特征在于，所述蒸發區設置有第二毛細結構，所述第二毛細結構包括所述蒸發區中的第二表面層結構，以及設置于所述第二表面層結構中的多個通孔；
8.根據權利要求7所述的散熱系統，其特征在于，所述蒸發區設置的第二毛細結構包括：第一層毛細結構和第二層毛細結構，所述第二層毛細結構位于所述第一層毛細結構之上；所述第二層毛細結構中的通孔數量，大于所述第一層毛細結構中的通孔數量，且所述第二層毛細結構的厚度小于所述第一層毛細結構的厚度。
9.根據權利要求3-6任一項所述的散熱系統，其特征在于，所述支撐結構的高度根據所述介質相變結構的換熱效率確定，其中，所述換熱效率與所述支撐結構的高度為負相關關系。
10.根據權利要求2-6任一項所述的散熱系統，其特征在于，所述中介層包括中介層主體，所述中介層主體的第一面為擴熱層的冷凝區的設置面，所述中介層主體的第二面為換熱層進行熱交換的設置面。
11.根據權利要求10所述的散熱系統，其特征在于，所述擴熱層具有與芯片接觸的底板；所述中介層還包括：中介層支撐柱，所述中介層支撐柱連接于底板的兩端，以形成中介層與底板包圍的空間；所述介質相變結構設置于底板之上，且處于中介層與底板包圍的空間。
12.根據權利要求10所述的散熱系統，其特征在于，所述換熱層包括：
13.根據權利要求12所述的散熱系統，其特征在于，所述換熱層還包括蓋板，所述蓋板包括蓋板蓋面和蓋板支撐柱；所述蓋板支撐柱與所述中介層主體的第二面的端部相連接，以形成蓋板蓋面、蓋板支撐柱以及中介層主體的第二面所包圍的密閉腔體，所述散熱片置于所述密閉腔體中；
14.一種芯片模組，其特征在于，包括至少一個芯片和如權利要求1-13任一項所述的散熱系統。
15.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求14所述的芯片模組。
...【技術特征摘要】
1.一種散熱系統，其特征在于，包括：
2.根據權利1所述的散熱系統，其特征在于，所述介質相變結構至少包括蒸發區、冷凝區、以及蒸發區和冷凝區之間的傳遞區；所述蒸發區用于傳導芯片的熱量，將相變導熱介質由液態變為氣態；所述傳遞區，用于將氣態的相變導熱介質從蒸發區傳遞至冷凝區；所述冷凝區的溫度低于所述蒸發區的溫度，用于將氣態的相變導熱介質變為液態；
3.根據權利要求2所述的散熱系統，其特征在于，所述擴熱層還包括：支撐結構，所述支撐結構支撐于所述蒸發區和冷凝區之間。
4.根據權利要求3所述的散熱系統，其特征在于，所述支撐結構的數量為多個，所述回流區設置于多個支撐結構中的至少部分支撐結構，其中，所述回流區包括第一毛細結構，所述第一毛細結構包括所述回流區中的第一表面層結構，以及設置于所述第一表面層結構中的多個通孔。
5.根據權利要求4所述的散熱系統，其特征在于，所述多個支撐結構包括第一支撐結構和第二支撐結構；其中，第一支撐結構的側壁設置有所述第一毛細結構，第二支撐結構的側壁未設置所述第一毛細結構。
6.根據權利要求5所述的散熱系統，其特征在于，所述第一支撐結構和所述第二支撐結構按照設定數量間隔排列。
7.根據權利要求4-6任一項所述的散熱系統，其特征在于，所述蒸發區設置有第二毛細結構，所述第二毛細結構包括所述蒸發區中的第二表面層結構，以及設置于所述第二表面層結構中的多個通孔；
8.根據權利要求7所述的散熱系統，其特征在于，所述蒸發區設置的第二毛細結構包括：第一層毛...
【專利技術屬性】
技術研發人員：錢曉峰，孫浩天，楊曉君，楊帆，程鵬，
申請(專利權)人：成都海光集成電路設計有限公司，
類型：發明
國別省市：
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