【技術實現步驟摘要】
本申請涉及變換器，尤其涉及一種控制電路、不對稱半橋反激變換器、控制方法及芯片。
技術介紹
1、不對稱半橋反激變換器(asymmetric?half-bridge，簡稱ahb)由于具有寬輸入輸出電壓范圍、穩定性和可靠性以及快速響應等優點。因此得到在多種應用場景中得到廣泛的應用。非連續導通模式(discontinuous?conduction?mode，簡稱dcm)和臨界導通模式(critical?conduction?mode，簡稱crm)是不對稱半橋反激變換器常見的兩種工作模式，dcm模式和crm模式常用于輕載情況，以降低損耗并提高效率。
2、相關技術中，當不對稱半橋反激變換器工作在dcm模式和crm模式下時，經常會因為不對稱半橋反激變換器的輸出端的負載大小變化，引起不對稱半橋反激變換器的諧振腔電流過大而損壞器件，從而影響了不對稱半橋反激變換器的工作壽命。
技術實現思路
1、本申請提供一種控制電路、不對稱半橋反激變換器、控制方法及芯片，以解決相關技術中不對稱半橋反激變換器會因為諧振腔電流過大而損壞器件，影響了不對稱半橋反激變換器的工作壽命的技術問題。
2、第一方面，本申請提供一種控制電路，用于不對稱半橋反激變換器中，所述不對稱半橋反激變換器包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、變壓器、第一電容、第二電容、第三電容以及第一電感；所述第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容以及第一電感設置在所述變壓器原邊繞組所在的初級回路中，所述第三晶體管和第三電容設置在
3、所述控制電路包括初級控制器、次級控制器以及次級采樣電路；所述初級控制器分別與所述第一晶體管和第二晶體管的控制極連接，所述次級控制器與所述第三晶體管的控制極連接；
4、所述次級采樣電路的采樣端設置在所述次級回路中，所述次級采樣電路的輸出端與所述次級控制器連接；所述次級采樣電路，用于在每個工作周期內采樣所述次級回路中的次級電流值，并將所述次級電流值輸出至所述次級控制器；所述次級控制器，用于在確定所述次級電流值大于或者等于第一電流閾值時，向所述初級控制器發送第一控制信號；
5、所述初級控制器，用于根據所述第一控制信號控制關斷所述第二晶體管。
6、在一種可能的設計中，所述次級采樣電路為電壓采樣電路；所述次級采樣電路，用于采樣所述次級回路中第三晶體管的源漏極電壓；
7、所述次級控制器，還用于根據所述第三晶體管的源漏極電壓以及所述第三晶體管的導通電阻，確定所述次級回路中的次級電流值。
8、在一種可能的設計中，所述控制電路還包括次級采樣電阻，所述次級采樣電阻串聯在所述次級回路中；
9、所述次級采樣電路為電壓采樣電路；所述次級采樣電路，用于采樣所述次級回路中次級采樣電阻上的電壓值；
10、所述次級控制器，還用于根據所述次級采樣電阻上的電壓值以及所述次級采樣電阻的電阻值，確定所述次級電流值。
11、在一種可能的設計中，所述控制電路還包括初級第一采樣電路，所述初級第一采樣電路的采樣端設置在所述初級回路中，所述初級第一采樣電路的輸出端與所述初級控制器連接；
12、所述初級第一采樣電路，用于采樣所述初級回路中的諧振電流值，并將采樣的諧振電流值輸出至所述初級控制器；
13、所述初級控制器，用于在確定所述諧振電流值大于或者等于第二電流閾值時，控制關斷所述第二晶體管；或者所述初級控制器，用于根據所述次級電流值確定所述初級回路中的諧振電流值，在確定所述諧振電流值大于或者等于第二電流閾值時，控制關斷所述第二晶體管。
14、在一種可能的設計中，所述控制電路還包括初級第二采樣電路，所述初級第二采樣電路的采樣端設置在所述初級回路或次級回路中，所述初級第二采樣電路的輸出端與所述初級控制器連接；
15、所述初級第二采樣電路，用于采樣所述原邊繞組或副邊繞組的電壓信息和電流信息，所述初級控制器，用于根據所述原邊繞組或副邊繞組的電壓信息和電流信息控制所述不對稱半橋反激變換器的開啟和關閉；
16、或者，所述初級控制器，用于根據所述原邊繞組或副邊繞組的電壓信息和電流信息對所述不對稱半橋反激變換器進行電路保護；
17、或者，所述初級控制器，用于根據所述原邊繞組或副邊繞組的電壓信息和電流信息對所述不對稱半橋反激變換器進行谷底控制。
18、在一種可能的設計中，所述初級第二采樣電路包括輔助繞組、第一電阻以及第二電阻；
19、所述輔助繞組和所述變壓器的副邊繞組耦合，所述輔助繞組的第一端接地，所述輔助繞組的第二端與所述第一電阻的第一端連接，所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端連接，所述第二電阻的第二端接地；所述第二電阻的第一端為所述初級第二采樣電路的輸出端，所述第二電阻的第一端與所述初級控制器連接。
20、第二方面，本申請還提供一種不對稱半橋反激變換器，所述不對稱半橋反激變換器包括如上述任一項所述的控制電路。
21、第三方面，本申請還提供一種不對稱半橋反激變換器的控制方法，所述不對稱半橋反激變換器包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、變壓器、第一電容、第二電容、第三電容以及第一電感；所述第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容以及第一電感設置在所述變壓器原邊繞組所在的初級回路中，所述第三晶體管和第三電容設置在所述變壓器副邊繞組所在的次級回路中；
22、所述控制方法包括：
23、在每個工作周期內，在所述第二晶體管打開之后，獲取次級回路中的次級電流值；
24、確定所述次級電流值是否大于或者等于第一電流閾值，若是，則控制關斷所述第二晶體管。
25、第四方面，本申請還提供一種芯片，所述芯片包括如上述任一項所述的控制電路。
26、第五方面，本申請還提供一種電子設備，所述電子設備包括如上述任一項所述的控制電路；或者所述電子設備包括如上述任一項所述的不對稱半橋反激變換器。
27、通過上述第一方面提供的控制電路，其用于不對稱半橋反激變換器中，該控制電路包括初級控制器、次級控制器以及次級采樣電路；初級控制器分別與第一晶體管和第二晶體管的控制極連接，次級控制器與第三晶體管的控制極連接；次級采樣電路的采樣端設置在次級回路中，次級采樣電路的輸出端與次級控制器連接；次級采樣電路，用于在每個工作周期內采樣次級回路中的次級電流值，并將次級電流值輸出至次級控制器；次級控制器，用于在確定次級電流值大于或者等于第一電流閾值時，向初級控制器發送第一控制信號，初級控制器，用于根據第一控制信號控制關斷第二晶體管。由于次級回路中的次級電流達到最大閾值時，諧振腔的諧振電流也同步達到最大閾值，因此在不對稱半橋反激變換器的輸出端的負載大小變化，引起不對稱半橋反激變換器的次級電流值過大時可以立即關斷第二晶體管，以使得不對稱半橋反激變換器諧振腔的諧振電流值快速降低，避免了諧振腔的諧振電流值過大而損壞電路本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種控制電路，用于不對稱半橋反激變換器中，所述不對稱半橋反激變換器包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、變壓器、第一電容、第二電容、第三電容以及第一電感；所述第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容以及第一電感設置在所述變壓器原邊繞組所在的初級回路中，所述第三晶體管和第三電容設置在所述變壓器副邊繞組所在的次級回路中；
2.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述次級采樣電路為電壓采樣電路；所述次級采樣電路，用于采樣所述次級回路中第三晶體管的源漏極電壓；
3.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路還包括次級采樣電阻，所述次級采樣電阻串聯在所述次級回路中；
4.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路還包括初級第一采樣電路，所述初級第一采樣電路的采樣端設置在所述初級回路中，所述初級第一采樣電路的輸出端與所述初級控制器連接；
5.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路還包括初級第二采樣電路，所述初級第二采樣電路的采樣端設置在所述初級回路或次級回路中，所述初級第二采樣電路的輸出端
6.根據權利要求5所述的控制電路，其特征在于，所述初級第二采樣電路包括輔助繞組、第一電阻以及第二電阻；
7.一種不對稱半橋反激變換器，其特征在于，所述不對稱半橋反激變換器包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、變壓器、第一電容、第二電容、第三電容以及第一電感；所述第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容以及第一電感設置在所述變壓器原邊繞組所在的初級回路中，所述第三晶體管和第三電容設置在所述變壓器副邊繞組所在的次級回路中；
8.一種不對稱半橋反激變換器的控制方法，所述不對稱半橋反激變換器包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、變壓器、第一電容、第二電容、第三電容以及第一電感；所述第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容以及第一電感設置在所述變壓器原邊繞組所在的初級回路中，所述第三晶體管和第三電容設置在所述變壓器副邊繞組所在的次級回路中；
9.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括如權利要求1-6任一項所述的控制電路。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1-6任一項所述的控制電路；或者所述電子設備包括如上所述的不對稱半橋反激變換器。
...【技術特征摘要】
1.一種控制電路，用于不對稱半橋反激變換器中，所述不對稱半橋反激變換器包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、變壓器、第一電容、第二電容、第三電容以及第一電感；所述第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容以及第一電感設置在所述變壓器原邊繞組所在的初級回路中，所述第三晶體管和第三電容設置在所述變壓器副邊繞組所在的次級回路中；
2.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述次級采樣電路為電壓采樣電路；所述次級采樣電路，用于采樣所述次級回路中第三晶體管的源漏極電壓；
3.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路還包括次級采樣電阻，所述次級采樣電阻串聯在所述次級回路中；
4.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路還包括初級第一采樣電路，所述初級第一采樣電路的采樣端設置在所述初級回路中，所述初級第一采樣電路的輸出端與所述初級控制器連接；
5.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路還包括初級第二采樣電路，所述初級第二采樣電路的采樣端設置在所述初級回路或次級回路中，所述初級第二采樣電路的輸出端與所述初級控制器連接；
...【專利技術屬性】
技術研發人員：陳旭，許長樂，王楠，高建龍，
申請(專利權)人：珠海楠欣半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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