【技術實現步驟摘要】
本說明書涉及電子設計自動化領域，更具體地說，本申請涉及一種stdcell管腳自適應選擇方法及相關設備。
技術介紹
1、隨著集成電路制造技術的飛速發展，finfet（fin?field-effect?transistor，鰭式場效應晶體管）工藝逐漸成為主流。finfet工藝憑借更小的尺寸、更低的功耗和更高的性能廣泛應用于高性能計算和低功耗設計中。然而，finfet工藝的引入也帶來了更復雜的設計規則和布線挑戰。
2、finfet工藝中，不僅需要考慮二維空間的設計規則（如線寬、間距、對準等），還需要關注三維設計規則（如跨層間距、via布置、層間干涉）。傳統的設計規則檢查方法難以高效處理這些復雜規則。finfet工藝中的多重掩膜技術限制了布線方向，導致布線擁塞問題加劇，傳統方法生成的布線方案往往在后續drc檢查中出現大量違規，需多次返工調整。標準單元（stdcell）的管腳在物理布局和邏輯連接中起核心作用，合理的管腳選擇直接影響布線長度、信號延遲和drc合規性。現有方法缺乏對三維空間和多維約束條件下的管腳優化選擇策略。
3、因此，有必要提出一種finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法和相關設備裝置，以提升finfet工藝stdcell管腳自適應選擇的智能程度。
技術實現思路
1、在
技術實現思路
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本申請的
技術實現思路
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更
2、第一方面，本申請提出一種finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法，包括：
3、對基礎設計規則檢查數據進行預處理操作，以計算得到用于drc規則引擎所需的引擎規則數據，其中，上述引擎規則數據中包括二維設計規則檢查規則和三維設計規則檢查規則；
4、讀取用戶芯片設計文件以進行前置設計操作，形成前置設計數據，其中，上述前置設計數據中包括標準單元的管腳數據，上述標準單元的管腳數據包括管腳對應的物理信息和管腳之間的邏輯網絡信息；
5、根據上述三維設計規則檢查規則、上述物理信息、上述邏輯網絡信息和管腳所在金屬層被覆蓋的3d布線軌道網格信息，生成管腳所處金屬層的3d空間候選via接入點坐標集合，并生成每個候選坐標對應的三維drc評估值；
6、根據via生成規則、預生成的via信息與上述管腳物理信息基于幾何運算進行物理信息匹配操作，以生成帶有三維drc評估值的組合數據，其中，上述組合數據包括候選坐標值、上述候選坐標對應的三維drc評估值、候選坐標的drc評估值和via信息；
7、根據上述組合數據中的上述三維drc評估值，采用目標最優算法進行優化操作，以確定最優化組合數據及其序列；
8、基于上述最優化組合數據及其序列進行布線接入操作，以生成帶約束的六自由度的布線信息。
9、在一種可行的實施方式中，還包括：
10、根據上述優化組合數據、via位置及類型、多層金屬間距規則和上下via層間的約束，進行三維drc規則判定操作，并根據多維線性預測函數計算評估值以修正上述三維drc評估值。
11、在一種可行的實施方式中，還包括：
12、在via的底層金屬與管腳金屬完成匹配之前，分別處理各個金屬的drc規則，進行規則合并消解操作，以確定用于via的底層金屬與管腳金屬匹配所需的最小規則集合，
13、在via的底層金屬與管腳金屬完成匹配之后，將融合后的金屬塊drc規則和融合前金屬塊drc規則進行規則合并消解操作，以獲取上述via生成規則。
14、在一種可行的實施方式中，上述規則合并消解操作包括邏輯運算操作和幾何運算操作。
15、在一種可行的實施方式中，上述三維drc評估值是基于該候選坐標能夠承載的布線方向、數量、布線所帶來的drc違規信息和組合后金屬形狀所帶來的drc違規信息生成的。
16、在一種可行的實施方式中，上述三維設計規則檢查規則是基于lef文件中當前的設計規則檢查規則進行擴展操作得出的，上述擴展操作包括第一擴展操作和第二擴展操作，上述第一擴展操作是基于專家知識和邏輯組合與消解運算進行的，上述第二擴展操作是根據已知預測值經過滿足置信區間設定的最優化算法生成的，上述最優化算法包括線性規劃法、遺傳算法、模擬退火算法和人工智能生成內容領域專用模型。
17、在一種可行的實施方式中，上述目標最優算法包括快速排序、二叉樹、多目標優化和線性規劃中一種或多種。
18、第二方面、本申請提出一種finfet工藝stdcell管腳自適應選擇裝置，包括：
19、預處理單元，用于對基礎設計規則檢查數據進行預處理操作，以計算得到用于drc規則引擎所需的引擎規則數據，其中，上述引擎規則數據中包括二維設計規則檢查規則和三維設計規則檢查規則；
20、前置設計單元，用于讀取用戶芯片設計文件以進行前置設計操作，形成前置設計數據，其中，上述前置設計數據中包括標準單元的管腳數據，上述標準單元的管腳數據包括管腳對應的物理信息和管腳之間的邏輯網絡信息；
21、第一生成單元，用于根據上述三維設計規則檢查規則、上述物理信息、上述邏輯網絡信息和管腳所在金屬層被覆蓋的3d布線軌道網格信息，生成管腳所處金屬層的3d空間候選via接入點坐標集合，并生成每個候選坐標對應的三維drc評估值；
22、第二生成單元，用于根據via生成規則、預生成的via信息與上述管腳物理信息基于幾何運算進行物理信息匹配操作，以生成帶有三維drc評估值的組合數據，其中，上述組合數據包括候選坐標值、上述候選坐標對應的三維drc評估值、候選坐標的drc評估值和via信息；
23、優化單元，用于根據上述組合數據中的上述三維drc評估值，采用目標最優算法進行優化操作，以確定最優化組合數據及其序列；
24、布線單元，用于基于上述最優化組合數據及其序列進行布線接入操作，以生成帶約束的六自由度的布線信息。
25、第三方面，一種電子設備，包括：存儲器、處理器以及存儲在上述存儲器中并可在上述處理器上運行的計算機程序，上述處理器用于執行存儲器中存儲的計算機程序時實現如上述的第一方面任一項的finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法的步驟。
26、第四方面，本申請還提出一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，上述計算機程序被處理器執行時實現第一方面任一項的finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法。
27、綜上，本方法通過對lef、lib等標準文件格式的預處理操作，識別和解析了finfet工藝中的復雜規則，生成二維設計規則檢查和三維設計規則檢查規則。利用專家知識、邏輯組合與消解運算對已知規則進行預測，同時結合線性規劃、遺傳算法、模擬退火等算法推測潛在規則，并存儲于規則引擎數據庫中，確保規則全本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求3所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，所述規則合并消解操作包括邏輯運算操作和幾何運算操作。
5.根據權利要求1所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，所述三維DRC評估值是基于該候選坐標能夠承載的布線方向、數量、布線所帶來的DRC違規信息和組合后金屬形狀所帶來的DRC違規信息生成的。
6.根據權利要求1所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法，其特征在于，所述目標最優算法包括快速排序、二叉樹、多目標優化和線性規劃中一種或多種。
8.一種FinFET工藝STD
9.一種電子設備，包括：存儲器和處理器，其特征在于，所述處理器用于執行存儲器中存儲的計算機程序時實現如權利要求1-7中任一項所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法的步驟。
10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1-7中任一項所述的FinFET工藝STDCell管腳自適應選擇方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求3所述的finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法，其特征在于，所述規則合并消解操作包括邏輯運算操作和幾何運算操作。
5.根據權利要求1所述的finfet工藝stdcell管腳自適應選擇方法，其特征在于，所述三維drc評估值是基于該候選坐標能夠承載的布線方向、數量、布線所帶來的drc違規信息和組合后金屬形狀所帶來的drc違規信息生成的。
6.根據權利要求1所述的f...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉丹，
申請(專利權)人：北京湯谷軟件技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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