【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本原理的實施方式一般而言涉及在半導體工藝中使用的半導體腔室。
技術介紹
1、鉬(mo)表面當暴露于氧時形成氧化鉬(moox)層。專利技術人已觀察到，去除moox需要與生產線后段(back-end-of-the-line；beol)封裝工藝不相容的嚴苛工藝。在beol工藝期間，moox可在低k介電材料的區域形成，這些區域很容易受到由傳統預清潔工藝導致的損傷。
2、因此，專利技術人提供了改善的方法，以在beol封裝工藝中從低k介電材料去除鉬氧化物，而不損傷低k介電材料。
技術實現思路
1、本文提供針對氧化鉬的基于氯的浸泡及稀釋等離子體預清潔的方法。
2、在一些實施方式中，用于清潔基板的表面的方法可包括：在生產線后段(beol)工藝中，執行基于氯的浸泡工藝以從基板的表面去除氧化鉬，其中基板至少部分地含有低k介電材料；及使用遠程等離子體對基板的表面執行等離子體處理以從基板的表面去除殘留的氯殘留物，此遠程等離子體含有使用至少一種惰性氣體來稀釋的氫氣。
3、在一些實施方式中，方法可進一步包含：其中基于氯的浸泡工藝使用五氯化鉬(mocl5)或五氯化鎢(wcl5)；在大約350攝氏度至大約460攝氏度的溫度下執行基于氯的浸泡工藝；在大約2托至大約20托的壓力下執行基于氯的浸泡工藝；使用以大約10sccm至大約1000sccm的速率流動的基于氯的氣體來執行基于氯的浸泡工藝；執行基于氯的浸泡工藝持續大約5秒至大約60秒的時間；其中至少一種惰性氣體為氬氣或氦氣；在大約
4、在一些實施方式中，用于清潔基板的表面的方法可包括：在生產線后段(beol)工藝中，在大約350攝氏度至大約460攝氏度的溫度下持續大約5秒至大約60秒的時間執行使用五氯化鉬(mocl5)或五氯化鎢(wcl5)的基于氯的浸泡工藝以從基板的表面去除氧化鉬，其中基板至少部分地含有低k介電材料；及在大約250攝氏度至大約460攝氏度的溫度下使用遠程等離子體對基板的表面執行等離子體處理以從基板的表面去除殘留的氯殘留物，此遠程等離子體含有使用氬氣及氦氣來稀釋的氫氣，其中此氫氣使用氬氣及氦氣按體積計稀釋大約3％至大約10％。
5、在一些實施方式中，非暫時性計算機可讀介質(non-transitory,computerreadable?medium)其上存儲有指令，當指令被執行時，導致執行用于清潔基板的表面的方法，此方法可包括：在生產線后段(beol)工藝中，在大約350攝氏度至大約460攝氏度的溫度下持續大約5秒至大約60秒的時間執行使用五氯化鉬(mocl5)或五氯化鎢(wcl5)的基于氯的浸泡工藝以從基板的表面去除氧化鉬，其中基板至少部分地含有低k介電材料；及在大約250攝氏度至大約460攝氏度的溫度下使用遠程等離子體對基板的表面執行等離子體處理以從基板的表面去除殘留的氯殘留物，此遠程等離子體含有使用氬氣及氦氣來稀釋的氫氣，其中此氫氣使用氬氣及氦氣按體積計稀釋大約3％至大約10％。
6、以下公開其他及進一步實施方式。
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1.一種用于清潔基板的表面的方法，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的方法，其中所述基于氯的浸泡工藝使用五氯化鉬(MoCl5)或五氯化鎢(WCl5)。
3.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
4.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
5.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
6.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
7.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一種惰性氣體為氬氣或氦氣。
8.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
9.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
10.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
11.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
12.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
13.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
14.一種用于清潔基板的表面的方法，包括以下步驟：
15.如權利要求14所述的方法，進一步包括以
16.如權利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟：
17.如權利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟：
18.如權利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟：
19.一種非暫時性計算機可讀介質，上面存儲有指令，當所述指令被執行時，導致執行用于清潔基板的表面的方法，所述方法包括以下步驟：
20.如權利要求19所述的非暫時性計算機可讀介質，進一步包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種用于清潔基板的表面的方法，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的方法，其中所述基于氯的浸泡工藝使用五氯化鉬(mocl5)或五氯化鎢(wcl5)。
3.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
4.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
5.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
6.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
7.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一種惰性氣體為氬氣或氦氣。
8.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
9.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
10.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：
11.如權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：岑嘉杰，王曉東，凱文·卡舍菲，尤適，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：
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