【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
技術(shù)介紹
1、以往，提出了氮化物半導(dǎo)體層的上表面的極性為鎵(ga)極性并且具有氮氧化鉿硅(hfsion)膜來(lái)作為柵極絕緣膜的高電子遷移率晶體管(high?electron?mobilitytransistor：hemt)。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1：日本特表2009－506537號(hào)公報(bào)
5、專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平5－223855號(hào)公報(bào)
6、近年來(lái)，電流崩塌的抑制的要求逐漸提高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開(kāi)的目的在于提供能抑制電流崩塌的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
2、本公開(kāi)的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序：在氮化物半導(dǎo)體層之上形成相對(duì)介電常數(shù)高于二氧化硅的相對(duì)介電常數(shù)的電介質(zhì)氧化膜；對(duì)所述電介質(zhì)氧化膜進(jìn)行氮化來(lái)形成電介質(zhì)氮氧化膜；在所述電介質(zhì)氮氧化膜之上通過(guò)熱成膜法來(lái)形成第一氮化硅膜；在所述第一氮化硅膜之上形成第二氮化硅膜；在所述第二氮化硅膜和所述第一氮化硅膜形成到達(dá)所述電介質(zhì)氮氧化膜的開(kāi)口；以及在所述第二氮化硅膜之上形成經(jīng)由所述開(kāi)口與所述電介質(zhì)氮氧化膜相接的柵電極。
3、專利技術(shù)效果
4、根據(jù)本公開(kāi)，能抑制電流崩塌。
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有以下工序：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
8.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有以下工序：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：早坂明泰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。