半導體裝置以及半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

技術(shù)編號：44506045 閱讀：1 留言：0更新日期：2025-03-07 13:04

本公開提供易于制造的半導體裝置和半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法具有以下工序：形成上表面具有氮極性的第一氮化物半導體層；在第一氮化物半導體層之上形成第一電介質(zhì)膜；在第一電介質(zhì)膜形成供第一氮化物半導體層的一部分露出的第一開口；在第一開口的內(nèi)側(cè)且在第一氮化物半導體層之上形成第二氮化物半導體層；在形成第二氮化物半導體層的工序之后，在第一電介質(zhì)膜形成供第一氮化物半導體層的一部分露出的第二開口；在第二開口的內(nèi)側(cè)且在第一氮化物半導體層之上形成第二電介質(zhì)膜；形成與第二氮化物半導體層歐姆接觸的歐姆電極；以及在第二開口的上方且在第二電介質(zhì)膜之上形成柵電極。

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【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本公開涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。

技術(shù)介紹

1、提出了具有在阻擋層之上形成有溝道層的結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管(highelectron?mobility?transistor：hemt)。此外，還提出了相對介電常數(shù)高的硅酸鉿膜被用于柵極絕緣膜的晶體管。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2007－329483號公報

5、專利文獻2：日本特表2010－510680號公報

6、然而，以往，即使想要制造具有在阻擋層之上形成有溝道層的結(jié)構(gòu)并且將硅酸鉿膜用于柵極絕緣膜的hemt，刻蝕的控制等也是困難的。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的目的在于提供易于制造的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。

2、本公開的半導體裝置的制造方法具有以下工序：形成上表面具有氮極性的第一氮化物半導體層；在所述第一氮化物半導體層之上形成第一電介質(zhì)膜；在所述第一電介質(zhì)膜形成供所述第一氮化物半導體層的一部分露出的第一開口；在所述第一開口的內(nèi)側(cè)且在所述第一氮化物半導體層之上形成第二氮化物半導體層；在形成所述第二氮化物半導體層的工序之后，在所述第一電介質(zhì)膜形成供所述第一氮化物半導體層的一部分露出的第二開口；在所述第二開口的內(nèi)側(cè)且在所述第一氮化物半導體層之上形成第二電介質(zhì)膜；形成與所述第二氮化物半導體層歐姆接觸的歐姆電極；以及在所述第二開口的上方且在所述第二電介質(zhì)膜之上形成柵電極。

3、專利技術(shù)效果

本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

1.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

8.一種半導體裝置，具有：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導體裝置，其中，

11.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

【技術(shù)特征摘要】

1.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

6.根...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：真壁勇夫，
申請(專利權(quán))人：住友電氣工業(yè)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：

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