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    光吸收離型組成物的使用方法及半導(dǎo)體裝置的制備方法制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:44506093 閱讀:1 留言:0更新日期:2025-03-07 13:04
    一種光吸收離型組成物的使用方法,包含步驟(a),對包含支撐載體、離型層及待加工層的積層體的待加工層施予加工處理,以使該待加工層形成經(jīng)加工層;步驟(b),在步驟(a)后,利用脈沖雷射光經(jīng)由該支撐載體照射該離型層;步驟(c),與步驟(b)同時(shí)或在步驟(b)后,使該支撐載體與該經(jīng)加工層分離。該離型層是由光吸收離型組成物所形成。該光吸收離型組成物包括聚合物(A)、吸光劑(B)及溶劑(C)。該聚合物(A)是由包括四羧酸二酐組分及二胺組分的混合物經(jīng)反應(yīng)所形成。該二胺組分包括至少一種選自于由下列群組所組成的二胺化合物:式(I)所示的二胺化合物及式(II)所示的二胺化合物。本發(fā)明專利技術(shù)亦提供一種半導(dǎo)體裝置的制備方法且包含將上述的經(jīng)加工層進(jìn)行加工處理形成半導(dǎo)體裝置。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及一種離型組成物,特別是涉及一種光吸收離型組成物的使用方法。


    技術(shù)介紹

    1、以往為避免例如半導(dǎo)體芯片的待加工對象在例如背面研磨等加工處理的過程中產(chǎn)生例如破裂等損傷,大多采取先將該待加工對象經(jīng)由暫時(shí)固定件暫時(shí)地固定于例如玻璃基板等支撐體上,例如美國專利公開第2014/0106473號及日本專利公開第2013171949號揭示。

    2、然后,在執(zhí)行該加工處理后,利用例如紫外線和紅外線等輻射線照射該暫時(shí)固定件,以使該暫時(shí)固定件的附著力減弱,從而讓經(jīng)加工處理后的該待加工對象能夠與該支撐體分離。

    3、然而,當(dāng)該暫時(shí)固定件的遮光性不佳時(shí),致使該輻射線會照射到該待加工對象,將會對該待加工對象產(chǎn)生不利的影響,且當(dāng)經(jīng)光照射后的該暫時(shí)固定件的剝離性不佳時(shí),容易殘留在經(jīng)加工處理后的該待加工對象上,而不利于經(jīng)加工處理后的該待加工對象進(jìn)行后續(xù)的工序。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的第一目的在于提供一種光吸收離型組成物的使用方法

    2、于是,本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,包含:步驟(a),對積層體的待加工層施予加工處理,以使該待加工層形成經(jīng)加工層,該積層體界定出堆疊方向,且在該堆疊方向上依序包含支撐載體、包括離型層的暫時(shí)固定單元及該待加工層,在該加工處理前或后,對該積層體選擇地進(jìn)行移動處理;步驟(b),在步驟(a)后,利用脈沖雷射光經(jīng)由該支撐載體照射該離型層;及步驟(c),與步驟(b)同時(shí)進(jìn)行或在步驟(b)后,使該支撐載體與該經(jīng)加工層分離,獲得該經(jīng)加工層;</p>

    3、該離型層是由光吸收離型組成物所形成,且該光吸收離型組成物包括聚合物(a)、吸光劑(b)及溶劑(c);該聚合物(a)選自于聚酰胺酸聚合物、聚酰亞胺聚合物、聚酰亞胺系嵌段共聚合物或上述任意的組合,且是由包括四羧酸二酐組分及二胺組分的混合物經(jīng)縮聚反應(yīng)所形成,該二胺組分包括至少一種選自于由下列群組所組成的二胺化合物:式(i)所示的二胺化合物及式(ii)所示的二胺化合物;

    4、

    5、r1表示單鍵、-c(ch3)2-、-(ch2)n1-、-c(cf3)2-、-o-(ch2)n2-o-、-o-、-s-(ch2)n3-s-、-s-、-s-s-、-so2-、-co-、-conh-,或-nhco-,n1、n2及n3獨(dú)立地表示1至12,

    6、r2表示單鍵、-c(ch3)2-、-o-、-s-、-co-、-c(cf3)2-,或c1至c10的伸烷基,

    7、任一苯環(huán)上的任意的氫可以被-f、-ch3、-cf3、-oh,或苯基取代,

    8、

    9、r3表示單鍵、-c(ch3)2-、-(ch2)m1-、-c(cf3)2-、-o-(ch2)m2-o-、-o-、-s-(ch2)m3-s-、-s-、-s-s-、-so2-、-co-、-conh-,或-nhco-,m1、m2及m3獨(dú)立地表示1至12,

    10、r4表示單鍵、-c(ch3)2-、-c(cf3)2-、-o-、-s-、-co-,或c1至c10的伸烷基,

    11、r5表示單鍵、-c(ch3)2-、-c(cf3)2-、-o-、-s-、-co-,或c1至c10的伸烷基,

    12、任一苯環(huán)上的任意的氫可以被-f、-ch3、-cf3、-oh,或苯基取代。

    13、本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,該脈沖雷射光的波長為400nm以下。

    14、本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,該聚合物(a)為聚酰胺酸聚合物。

    15、本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,該吸光劑(b)包含黑色顏料。

    16、本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,以該聚合物(a)的使用量第3/33頁

    17、為100重量份計(jì),該吸光劑(b)的使用量為5重量份至200重量份,且該溶劑(c)的使用量為500重量份至4000重量份。

    18、本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,該暫時(shí)固定單元還包括黏著層,致使該積層體依序具有該支撐載體、該離型層、該黏著層及該待加工層。

    19、本專利技術(shù)的第二目的,即在提供一種半導(dǎo)體裝置的制備方法。

    20、于是,本專利技術(shù)半導(dǎo)體裝置的制備方法,包含:將由上述的光吸收離型組成物的使用方法所獲得的經(jīng)加工層進(jìn)行加工處理,形成半導(dǎo)體裝置。

    21、本專利技術(shù)的有益效果在于:在本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法中,通過使用該二胺組分的式(i)所示的二胺化合物及式(ii)所示的二胺化合物所形成的聚合物(a)中至少一者,致使由本專利技術(shù)光吸收離型組成物所形成的離型層具有較佳的遮光性,且該離型層在照射脈沖雷射光后能夠具有較佳的剝離性。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于包含:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該脈沖雷射光的波長為400nm以下。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該聚合物(A)為聚酰胺酸聚合物。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該吸光劑(B)包含黑色顏料。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:以該聚合物(A)的使用量為100重量份計(jì),該吸光劑(B)的使用量為5重量份至200重量份,且該溶劑(C)的使用量為500重量份至4000重量份。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該暫時(shí)固定單元還包括黏著層,致使該積層體依序具有該支撐載體、該離型層、該黏著層及該待加工層。

    7.一種半導(dǎo)體裝置的制備方法,包含:將由權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光吸收離型組成物的使用方法所獲得的經(jīng)加工層進(jìn)行加工處理,形成半導(dǎo)體裝置。

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于包含:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該脈沖雷射光的波長為400nm以下。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該聚合物(a)為聚酰胺酸聚合物。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該吸光劑(b)包含黑色顏料。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:以該聚合物...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:梁育豪,
    申請(專利權(quán))人:奇美實(shí)業(yè)股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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