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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種離型組成物,特別是涉及一種光吸收離型組成物的使用方法。
技術(shù)介紹
1、以往為避免例如半導(dǎo)體芯片的待加工對象在例如背面研磨等加工處理的過程中產(chǎn)生例如破裂等損傷,大多采取先將該待加工對象經(jīng)由暫時(shí)固定件暫時(shí)地固定于例如玻璃基板等支撐體上,例如美國專利公開第2014/0106473號及日本專利公開第2013171949號揭示。
2、然后,在執(zhí)行該加工處理后,利用例如紫外線和紅外線等輻射線照射該暫時(shí)固定件,以使該暫時(shí)固定件的附著力減弱,從而讓經(jīng)加工處理后的該待加工對象能夠與該支撐體分離。
3、然而,當(dāng)該暫時(shí)固定件的遮光性不佳時(shí),致使該輻射線會照射到該待加工對象,將會對該待加工對象產(chǎn)生不利的影響,且當(dāng)經(jīng)光照射后的該暫時(shí)固定件的剝離性不佳時(shí),容易殘留在經(jīng)加工處理后的該待加工對象上,而不利于經(jīng)加工處理后的該待加工對象進(jìn)行后續(xù)的工序。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的第一目的在于提供一種光吸收離型組成物的使用方法
2、于是,本專利技術(shù)光吸收離型組成物的使用方法,包含:步驟(a),對積層體的待加工層施予加工處理,以使該待加工層形成經(jīng)加工層,該積層體界定出堆疊方向,且在該堆疊方向上依序包含支撐載體、包括離型層的暫時(shí)固定單元及該待加工層,在該加工處理前或后,對該積層體選擇地進(jìn)行移動處理;步驟(b),在步驟(a)后,利用脈沖雷射光經(jīng)由該支撐載體照射該離型層;及步驟(c),與步驟(b)同時(shí)進(jìn)行或在步驟(b)后,使該支撐載體與該經(jīng)加工層分離,獲得該經(jīng)加工層;<
...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于包含:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該脈沖雷射光的波長為400nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該聚合物(A)為聚酰胺酸聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該吸光劑(B)包含黑色顏料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:以該聚合物(A)的使用量為100重量份計(jì),該吸光劑(B)的使用量為5重量份至200重量份,且該溶劑(C)的使用量為500重量份至4000重量份。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該暫時(shí)固定單元還包括黏著層,致使該積層體依序具有該支撐載體、該離型層、該黏著層及該待加工層。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制備方法,包含:將由權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光吸收離型組成物的使用方法所獲得的經(jīng)加工層進(jìn)行加工處理,形成半導(dǎo)體裝置。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于包含:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該脈沖雷射光的波長為400nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該聚合物(a)為聚酰胺酸聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:該吸光劑(b)包含黑色顏料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光吸收離型組成物的使用方法,其特征在于:以該聚合物...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:梁育豪,
申請(專利權(quán))人:奇美實(shí)業(yè)股份有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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