【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件的加工領域，尤其涉及一種晶圓升降機構、一種半導體器件的加工裝置、一種半導體器件的加工方法，以及一種計算機可讀存儲介質。
技術介紹
1、在半導體制造過程中，晶圓需要精確地與加熱盤對接，以確保工藝的穩定性和高效性。然而，在實際操作中，由于半導體加工設備的制造誤差、晶圓的形變以及加熱盤表面可能存在微小的不平整性，晶圓在加熱盤上的放置往往會出現偏心現象，導致晶圓與加熱盤之間的接觸不均勻，從而影響加工過程的效果和產品的質量。在傳統的半導體加工設備中，晶圓通常通過固定的升降頂針來支撐并定位。然而，固定式升降針的支撐方式無法有效補償晶圓在加熱盤上由于偏心或不均勻受力導致的微小位置偏差。
2、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本領域亟需一種改進的晶圓升降機構，用于進行晶圓與加熱盤的對心調節，以提升半導體器件加工工藝的效率和精度。
技術實現思路
1、以下給出一個或多個方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認出所有方面的關鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個或多個方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細的描述之前序。
2、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本專利技術提供了一種晶圓升降機構、一種半導體器件的加工裝置、一種半導體器件的加工方法及一種計算機可讀存儲介質，可以通過設置自動回位的頂針以及步進式調節晶圓位置的橫向壓控驅動器，用于進行晶圓與加熱盤的對心調節，
3、具體來說，根據本專利技術的第一方面提供的上述晶圓升降機構包括支撐座、多根頂桿及控制器。所述支撐座設于加熱盤的下方，其上設有多個支撐件。所述支撐件中設有沿多個水平方向設置的橫向壓控驅動器。所述多根頂桿的第一端向上穿過所述加熱盤的頂桿過孔，并被位于所述第一端的凸起部限位于所述加熱盤的上方，而其第二端位于所述加熱盤的下方，并對準對應的支撐件。所述控制器被配置為：確定所述晶圓與所述加熱盤的橫向偏移量；抬升所述支撐座，以使各所述支撐件分別接觸對應頂桿的第二端，并經由其第一端支撐并帶動所述晶圓上升；以及根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節。
4、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述橫向壓控驅動器中包括第一形變層、第二形變層及絕緣層。所述第一形變層沿預設的x方向設置，用于根據受到的第一驅動電壓，發生沿所述x方向的形變。所述第二形變層沿預設的y方向設置，用于根據受到的第二驅動電壓，發生沿所述y方向的形變。所述絕緣層設于所述第一形變層與所述第二形變層之間，以隔離所述第一驅動電壓與所述第二驅動電壓。
5、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述支撐件中還包括支撐桿及支撐頭。所述支撐桿連接所述支撐座，并將所述橫向壓控驅動器抬升到預設高度。所述支撐頭經由所述橫向壓控驅動器安裝于所述支撐桿之上，以接觸并支撐對應的頂桿。所述支撐頭上設有限位孔，用于插接所述頂桿的第二端，以防止所述頂桿相對所述支撐頭的橫向位移。
6、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：拆分所述橫向偏移量，以獲得沿所述x方向的第一橫移分量和沿所述y方向的第二橫移分量；根據所述第一橫移分量和所述第二橫移分量，分別確定對應的第一驅動電壓和對應的第二驅動電壓；以及將所述第一驅動電壓提供到所述第一形變層，并將所述第二驅動電壓提供到所述第二形變層，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節。
7、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，各所述頂桿過孔的內壁分別與對應的頂桿保持一調節間隙。所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：比較所述橫向偏移量與所述調節間隙的大小；響應于所述橫向偏移量小于所述調節間隙，根據所述橫向偏移量，確定所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓；以及響應于所述橫向偏移量大于或等于所述調節間隙，根據所述調節間隙，確定所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓。
8、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述控制器還被配置為：在進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節之后，降低所述支撐座，以使各所述支撐件脫離對應頂桿的第二端，并使各所述頂桿回落，以將所述晶圓放回所述加熱盤的上表面。
9、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，各所述頂桿過孔的上端被設置為向內凹陷的斜坡結構，和/或各所述凸起部的下端被設置為向內凸起的斜坡結構，以在各所述頂桿回落之后實現其與對應頂桿過孔的自動對中。所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟還包括：響應于所述支撐座的降低，再次確定所述晶圓與所述加熱盤的橫向偏移量；以及響應于所述橫向偏移量大于預設的誤差閾值，再次抬升所述支撐座，并調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節。
10、此外，根據本專利技術的第二方面提供的上述半導體器件的加工裝置包括工藝腔室及如本專利技術的第一方面提供的晶圓升降機構。所述工藝腔室中配置有加熱盤，用于承載并加熱晶圓，以對其進行加工工藝。所述晶圓升降機構用于升降所述晶圓，并進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節。
11、此外，根據本專利技術的第三方面提供的上述半導體器件的加工方法包括以下步驟：抬升如本專利技術的第一方面提供的晶圓升降機構的支撐座，經由其多個支撐件接觸并支撐多根頂桿的第二端，以經由所述多根頂桿的第一端獲取待加工的晶圓；確定所述晶圓與加熱盤的橫向偏移量；根據所述橫向偏移量，調節所述多個支撐件的橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節；響應于完成所述對心調節，降低所述支撐座，以使各所述支撐件脫離對應頂桿的第二端，并使各所述頂桿回落，以將所述晶圓放回所述加熱盤的上表面；以及經由所述加熱盤加熱所述晶圓，以對其進行加工。
12、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述根據所述橫向偏移量，調節所述多個支撐件的橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：比較所述橫向偏移量與所述調節間隙的大小；以及響應于所述橫向偏移量小于所述調節間隙，根據所述橫向偏移量，確定所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓。
13、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述根據所述橫向偏移量，調節所述多個支撐件的橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟還包括：響應于所述橫向偏移量大于或等于所述調節間隙，根據所述調節間隙，確定所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的第一步對心調節；響應于完成所述第一步對心調節，降低所述支撐座，以使各所述支撐件脫離對應頂桿的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種晶圓升降機構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述橫向壓控驅動器中包括：
3.如權利要求2所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述支撐件中還包括：
4.如權利要求2所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：
5.如權利要求1所述的晶圓升降機構，其特征在于，各所述頂桿過孔的內壁分別與對應的頂桿保持一調節間隙，所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：
6.如權利要求5所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述控制器還被配置為：
7.如權利要求6所述的晶圓升降機構，其特征在于，各所述頂桿過孔的上端被設置為向內凹陷的斜坡結構，和/或各所述凸起部的下端被設置為向內凸起的斜坡結構，以在各所述頂桿回落之后實現其與對應頂桿過孔的自動對中，所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以
8.一種半導體器件的加工裝置，其特征在于，包括：
9.一種半導體器件的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.如權利要求9所述的加工方法，其特征在于，所述根據所述橫向偏移量，調節所述多個支撐件的橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：
11.如權利要求10所述的加工方法，其特征在于，所述根據所述橫向偏移量，調節所述多個支撐件的橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟還包括：
12.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機指令，其特征在于，所述計算機指令被處理器執行時，實施如權利要求9～11中任一項所述的半導體器件的加工方法。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓升降機構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述橫向壓控驅動器中包括：
3.如權利要求2所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述支撐件中還包括：
4.如權利要求2所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：
5.如權利要求1所述的晶圓升降機構，其特征在于，各所述頂桿過孔的內壁分別與對應的頂桿保持一調節間隙，所述根據所述橫向偏移量，調節所述橫向壓控驅動器關于對應方向的驅動電壓，以進行所述晶圓與所述加熱盤的對心調節的步驟包括：
6.如權利要求5所述的晶圓升降機構，其特征在于，所述控制器還被配置為：
7.如權利要求6所述的晶圓升降機構，其特征在于，各所述頂桿過孔的上端被設置為向內凹陷的斜坡結構，和/或各所述凸起部的下端被設置為向內凸起的斜坡...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊辰燁，
申請(專利權)人：拓荊科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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