【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及微波器件領域，尤其涉及一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構。
技術介紹
1、現有的雙結微帶環行器隔離器級間匹配主要有兩種電路結構：
2、一種如圖1所示，環行器和隔離器之間直接采用50歐姆微帶傳輸線5（圖1橢圓形圈處）連接；另一種如圖3所示，環行器和隔離器之間連接的50歐姆微帶傳輸線5上增加一段短截線6（圖3橢圓形圈處）；
3、此類雙結微帶環行器隔離器采用薄膜微帶電路結構，其結構如圖5和圖6所示，金屬底板1與旋磁鐵氧體基片2的全金屬面采用焊接的方式連接，旋磁鐵氧體基片2的電路面與陶瓷墊片3之間、陶瓷墊片3與永磁體4之間采用粘接的方式連接。
4、上述兩種連接方式的結構的仿真圖分別如圖2和圖4所示，從圖中可以看出，由于尺寸限制，圖1的結構的兩個環行結之間的連接線長度不夠，環行結中形成的高次模在連接線中未足夠凋落成微帶線的準tem模，導致兩個結相互影響，形成反射，致使級間隔離度較差；而增加一段短截線后的圖3所示的結構，雖然級間隔離度可提升3db以上，但仍不能滿足t/r組件對雙結微帶環行器隔離器級間隔離度的要求。
5、即，現有雙結微帶環行器隔離器為了適應當前雷達t/r組件的小型化設計，電路設計進行了尺寸壓縮，兩個環行結之間的連接線縮短，環行結中形成的高次模在連接線中未足夠凋落成微帶線的準tem模，導致兩個結相互影響，形成反射，致使級間隔離度下降；級間隔離度下降，形成的反射會導致t/r組件天線端駐波偏大，t/r組件功率放大器易產生負載牽引。
技
1、本專利技術的目的就在于提供一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路，以解決上述問題。
2、為了實現上述目的，本專利技術采用的技術方案是這樣的：一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，包括電感和電容，將所述電感長度縮短，并改變所述電感匹配的電容形狀為長方形電容，所述電容的寬度不大于50歐姆連接線寬度的2倍，長度不大于1/8波長；所述環行器與隔離器的連接線為50歐姆微帶傳輸線上設置有一段短截線，在此基礎上增加三段匹配電路。
3、作為優選的技術方案，所述電感長度縮短至原電感長度的1/2～2/3。
4、作為優選的技術方案，增加的所述三段匹配電路分別為：在環行器與隔離器之間，垂直于所述短截線中點處，增加一段匹配電路；在短截線兩端各對稱增加一段匹配電路。通過三段電路的匹配及相互作用，使補償過渡后的電磁場與級間傳輸線匹配，從而達到降低反射，提高隔離度的目的。
5、作為進一步優選的技術方案，根據lc匹配設計原則，確定三段電路的寬帶和長度，所述垂直于所述短截線中點處增加的電路寬度不大于50歐姆連接線寬度2倍，長度不大于1/8波長。
6、作為進一步優選的技術方案，根據lc匹配設計原則，確定三段電路的寬帶和長度，所述短截線兩端增加的電路寬度不大于50歐姆連接線寬度2倍，長度不大于1/16波長。
7、作為優選的技術方案，所述短截線與增加的三段匹配電路總長度不大于1/4波長。
8、本專利技術基于原有雙結微帶環行器隔離器電路設計，對級間匹配電路結構進行重新設計，具體包括：1、原有結構為三端對稱結構，本專利技術新的電路結構縮短電感長度，同時改變與之匹配的電容，由原來的開縫形帶耦合效應的電容改成簡單長方形電容，優化限定其寬帶和長度；2、為了補償兩個環行結之間的連接線長度，在原有短截線的基礎上增加三段匹配電路，即在環行器與隔離器之間，垂直于連接線的短截線中點處，增加一段匹配電路；在短截線兩端各對稱增加一段匹配電路，該電路能有效提升雙結微帶環行器隔離器級間隔離度。對比原雙結微帶環行器隔離器級間匹配方案，通過本專利技術三段匹配短截線級間匹配電路結構設計，在尺寸不變或減小的情況下，將雙結微帶環行器隔離器級間隔離度提升3db以上。
9、與現有技術相比，本專利技術的優點在于：本專利技術的新級間匹配電路結構縮短電感長度，同時改變與之匹配的電容，可有效減小產品平面尺寸；三段匹配短截線級間電路結構設計，補償兩個環行結之間的連接線長度，能有效提升雙結微帶環行器隔離器級間隔離度；結合上述兩種設計，將在尺寸不變或減小的情況下，將雙結微帶環行器隔離器級間隔離度提升3db以上。
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1.一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，包括電感和電容，其特征在于：將所述電感長度縮短，并改變所述電感匹配的電容形狀為長方形電容，所述電容的寬度不大于50歐姆連接線寬度的2倍，長度不大于1/8波長；所述環行器與隔離器的連接線為50歐姆微帶傳輸線上設置有一段短截線，在此基礎上增加三段匹配電路。
2.根據權利要求1所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，所述電感長度縮短至原電感長度的1/2～2/3。
3.根據權利要求1所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，增加的所述三段匹配電路分別為：在環行器與隔離器之間，垂直于所述短截線中點處，增加一段匹配電路；在短截線兩端各對稱增加一段匹配電路。
4.根據權利要求3所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，所述垂直于所述短截線中點處增加的電路寬度不大于50歐姆連接線寬度2倍，長度不大于1/8波長。
5.根據權利要求3所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，所述短截線兩端增加的電路寬度不大于50歐
6.根據權利要求1所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，所述短截線與增加的三段匹配電路總長度不大于1/4波長。
...【技術特征摘要】
1.一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，包括電感和電容，其特征在于：將所述電感長度縮短，并改變所述電感匹配的電容形狀為長方形電容，所述電容的寬度不大于50歐姆連接線寬度的2倍，長度不大于1/8波長；所述環行器與隔離器的連接線為50歐姆微帶傳輸線上設置有一段短截線，在此基礎上增加三段匹配電路。
2.根據權利要求1所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，所述電感長度縮短至原電感長度的1/2～2/3。
3.根據權利要求1所述的一種高級間隔離度雙結微帶環行器隔離器電路結構，其特征在于，增加的所述三段匹配電路分別為：在環行器與隔離器之間，垂...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳寧，王斌，王倩，孫靜，杜俊波，高男，
申請(專利權)人：西南應用磁學研究所中國電子科技集團公司第九研究所，
類型：發明
國別省市：
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