【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于太陽能電池，具體涉及一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝及topcon電池。
技術介紹
1、目前，現有topcon電池核心采用隧穿氧化硅層+摻雜多晶硅層的鈍化接觸技術，以下簡稱鈍化接觸技術。topcon電池在制備該鈍化接觸技術有兩種工藝路線，lp和pe路線。pe路線使用pecvd設備，在硅基體上沉積隧穿氧化層再沉積摻雜非晶硅后進行退火工序。該工藝路線在磷摻雜較多時易出現磷擴散時進入硅基體現象，被激活的磷濃度低，磷內擴現象使得載流子復合增加，影響電池的轉換效率。在磷摻雜不足時，又易出現爆膜問題影響到背面的鈍化接觸性能，同樣影響轉換效率。
2、因此，針對上述技術問題，有必要提供一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝及topcon電池。
3、公開于該
技術介紹
部分的信息僅僅旨在增加對本專利技術的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服上述現有技術的鈍化穩定性不足的問題，提供一種膜層致密無爆膜的工藝方案，以提升電池開壓和轉換效率。
2、為了實現上述目的，本專利技術一具體實施例提供的技術方案如下：
3、一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，包括以下步驟：
4、s1、前處理工序；
5、s2、疊層雙鈍化結構制備：將經過前處理工序的硅片送入pecvd機臺的爐管，在所述
6、所述緩沖層為本征非晶硅層，所述阻擋層為隧穿氧化阻擋層；
7、s3、掩膜制備：在所述疊層雙鈍化結構上制備掩膜層；
8、s4、退火處理：在高溫下退火，使得本征非晶硅層轉變為多晶硅層，同時激活摻雜的磷，并推進磷的擴散；
9、s5、后處理工序。
10、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述s2中，在所述硅片背部依次制備隧穿氧化層、緩沖層、阻擋層和n型非晶硅層的具體步驟為：
11、s2.1、向爐管中通入笑氣(n2o)，利用其氧化性在硅片背表面氧化生成隧穿氧化層；
12、s2.2、使用氮氣吹掃爐管，再通入硅烷(sih4)和氫氣(h2)，使其反應并在所述隧穿氧化層上沉積無摻雜的本征非晶硅層，即緩沖層；
13、s2.3、再次使用氮氣吹掃爐管，再通入笑氣(no2)，在本征非晶硅層上氧化生成隧穿氧化阻擋層；
14、s2.4、繼續使用氮氣吹掃爐管，再通入硅烷(sih4)、氫氣(h2)和磷烷(ph3)，在等離子體氛圍下使其分解，在隧穿氧化阻擋層上，沉積磷摻雜的n型非晶硅層。
15、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述s2中，所述隧穿氧化阻擋層厚度根據n型非晶硅層中磷的摻雜量調節匹配。
16、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述s1中，所述前處理工序依次包括清洗制絨、擴散制結和背面堿拋光。
17、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述s3中，在所述疊層雙鈍化結構上制備掩膜層的具體步驟為：
18、得到所述疊層雙鈍化結構后，使用氮氣吹掃爐管，通入硅烷(sih4)和笑氣(n2o)，在所述疊層雙鈍化結構上生成掩膜層。
19、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述s4中，所述退火時長和溫度與磷的摻雜量以及阻擋層和緩沖層的厚度相匹配。
20、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述s5中，所述后處理工序依次包括去psg、rca、ald、鍍膜、絲網印刷和測試分選。
21、在本專利技術的一個或多個實施例中，一種topcon電池，包括硅基體，所述硅基體的背表面設置有隧穿氧化層，所述隧穿氧化層上設置有疊層雙鈍化結構，所述疊層雙鈍化結構上設置有鈍化膜，所述鈍化膜上設置有銀電極。
22、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述疊層雙鈍化結構包括本征非晶硅緩沖層、隧穿氧化阻擋層和n型非晶硅層，所述本征非晶硅緩沖層、隧穿氧化阻擋層和n型非晶硅層沿背離硅基體的背表面方向依次設置。
23、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述隧穿氧化阻擋層的厚度小于隧穿氧化層的厚度。
24、與現有技術相比，本專利技術加入兩層氧化層，其中第二層隧穿氧化層因其致密性，利用隧穿效應可以在不影響載流子傳輸的情況下對磷原子起到阻擋作用，一定程度上阻擋后續高溫工序下磷內擴的情況，使得其摻雜的更均勻；
25、同時該結構較現有技術，加入了本征非晶硅層，該本征非晶硅層起到了對磷推進的緩沖作用，減緩了磷在推進時的速率，該膜層的厚度可提高對背面整體磷摻雜分布的可控性，避免了過摻雜的問題；
26、在該疊層雙鈍化結構下，可以提高整體磷摻雜濃度，改善接觸的同時，可以避免因為高摻雜濃度在高溫推進時磷強烈的向內擴散現象發生，進而可以避免磷在硅體內靠近晶硅表面的地方積累引起的n/n高低結；
27、綜上所述，該poly疊層雙鈍化結構可提高對磷摻雜分布的可控性，進而提高摻雜的均勻性，又可以用高磷摻雜濃度來提高接觸性能的同時避免因為磷摻雜濃度過高引起n/n高低結現象，從而提高電池片的鈍化接觸性能，獲得較高的電池轉換效率。
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1.一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述S2中，在所述硅片背部依次制備隧穿氧化層、緩沖層、阻擋層和N型非晶硅層的具體步驟為：
3.根據權利要求2所述的一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述S2中，所述隧穿氧化阻擋層厚度根據N型非晶硅層中磷的摻雜量調節匹配。
4.根據權利要求1所述的一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述S1中，所述前處理工序依次包括清洗制絨、擴散制結和背面堿拋光。
5.根據權利要求1所述的一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述S3中，在所述疊層雙鈍化結構上制備掩膜層的具體步驟為：
6.根據權利要求1所述的一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述S4中，所述退火時長和溫度與磷的摻雜量以及阻擋層和緩沖層的厚度相匹配。
7.根據權利要求1
8.一種TOPCon電池，采用權利要求1-7任意一條權利要求所述的一種TOPCon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝制得，其特征在于，包括硅基體，所述硅基體的背表面設置有隧穿氧化層，所述隧穿氧化層上設置有疊層雙鈍化結構，所述疊層雙鈍化結構上設置有鈍化膜，所述鈍化膜上設置有銀電極。
9.根據權利要求8所述的一種TOPCon電池，其特征在于，所述疊層雙鈍化結構包括本征非晶硅緩沖層、隧穿氧化阻擋層和N型非晶硅層，所述本征非晶硅緩沖層、隧穿氧化阻擋層和N型非晶硅層沿背離硅基體的背表面方向依次設置。
10.根據權利要求9所述的一種TOPCon電池，其特征在于，所述隧穿氧化阻擋層的厚度小于隧穿氧化層的厚度。
...【技術特征摘要】
1.一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述s2中，在所述硅片背部依次制備隧穿氧化層、緩沖層、阻擋層和n型非晶硅層的具體步驟為：
3.根據權利要求2所述的一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述s2中，所述隧穿氧化阻擋層厚度根據n型非晶硅層中磷的摻雜量調節匹配。
4.根據權利要求1所述的一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述s1中，所述前處理工序依次包括清洗制絨、擴散制結和背面堿拋光。
5.根據權利要求1所述的一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述s3中，在所述疊層雙鈍化結構上制備掩膜層的具體步驟為：
6.根據權利要求1所述的一種topcon電池的poly疊層雙鈍化結構制備工藝，其特征在于，所述s4中...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孟俊杰，孫鵬，劉飛，趙剛，張宇航，豐平，辛國軍，陳實，王佃閣，
申請(專利權)人：中潤新能源徐州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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