一種基于基板式封裝結構的SD NAND制造技術

本申請涉及SD?NAND技術領域，具體公開了一種基于基板式封裝結構的SD?NAND，其包括：基板，其表面具有多排基板手指，其中一排所述基板手指設置在所述基板邊緣；控制器芯片，設置在所述基板上，其焊盤通過焊線與所述基板上的其他所述基板手指電性連接；假片，固定在所述基板上且位于所述控制器芯片的一側；存儲器芯片，固定在所述假片上且位于所述控制器芯片上方，其焊盤通過所述焊線與位于所述基板邊緣的基板手指電性連接；該SD?NAND能夠有效地減少設置在存儲器芯片外圍的基板手指的數量，從而有效地減小SD?NAND的整體封裝面積。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于sd?nand，特別涉及一種基于基板式封裝結構的sdnand。

技術介紹

1、現有的sd?nand通常采用基板式封裝結構進行封裝，即現有的sd?nand將存儲器芯片與控制器芯片疊層鋪放在基板上，具體地，由于控制器芯片的覆蓋面積遠小于存儲器芯片的覆蓋面積，因此控制器芯片放存儲器芯片上，存儲器芯片放在基板上。存儲器芯片和控制器芯片可以分別與基板手指打線，控制器芯片和存儲器芯片的互聯、控制器芯片和pin外接輸出信號的互聯均通過基板內部走線實現。存儲器芯片與控制器芯片也可以采用pad（焊盤）?to?pad打線的方式互聯，控制器芯片和pin外界輸出芯片的互連通過pad與基板手指打線的方式引出。

2、根據sd?nand左右各4個pin外接輸出信號的定義，控制器芯片需要在左右兩側分別設置一排用于接pin外接輸出信號的焊盤和在上下兩側中的任意一側設置一排用于與存儲器芯片互聯的焊盤，即控制器芯片至少包括三排焊盤，nand?芯片包括至少一排焊盤。若存儲器芯片與控制器芯片直接互聯，則基板上位于存儲器芯片外圍的基板手指的數量為兩排；若存儲器芯片與控制器芯片分別與基板手指打線，則基板上位于存儲器芯片外圍的基板手指的數量為四排。由此可見，現有的sd?nand需要在存儲器芯片外圍至少設置兩排焊盤，由于設置在存儲器芯片外圍的焊盤需要額外占用封裝面積，因此現有的sd?nand存在由于需要在存儲器芯片外圍設置至少兩排焊盤而導致額外占用的封裝面積大的問題，從而導致sd?nand的整體封裝面積大。

3、因此，現有技術有待改進和發展。</p>

技術實現思路

1、本申請的目的在于提供了一種基于基板式封裝結構的sd?nand，能夠有效地減少設置在存儲器芯片外圍的基板手指的數量，從而有效地減小sd?nand的整體封裝面積。

2、本申請提供一種基于基板式封裝結構的sd?nand，其包括：

3、基板，其表面具有多排基板手指，其中一排基板手指設置在基板邊緣；

4、控制器芯片，設置在基板上，其焊盤通過焊線與基板上的其他基板手指電性連接；

5、假片，固定在基板上且位于控制器芯片的一側；

6、存儲器芯片，固定在假片上且位于控制器芯片上方，其焊盤通過焊線與位于基板邊緣的基板手指電性連接。

7、本申請提供的一種基于基板式封裝結構的sd?nand，包括設置在基板上的控制器芯片和設置在控制器芯片上的存儲器芯片，由于存儲器芯片的覆蓋面積遠大于控制器芯片的覆蓋面積，而存儲器芯片設置在控制器芯片的上方，因此原本位于存儲器芯片外的用于連接控制器芯片的基板手指可以設置在存儲器芯片的下方，即該sd?nand的存儲器芯片能夠覆蓋與控制器芯片的焊盤電性連接的其他基板手指，也即該sd?nand僅需在存儲器芯片外圍設置一排用于與存儲器芯片的焊盤電性連接的基板手指，因此該sd?nand能夠有效地減少設置在存儲器芯片外圍的基板手指的數量，從而有效地減小sd?nand的整體封裝面積。

8、進一步地，控制器芯片包括橫排焊盤、第一列排焊盤和第二列排焊盤，基板的表面具有第一基板手指、第二基板手指和第三基板手指，橫排焊盤通過焊線與第一基板手指電性連接，第一列排焊盤通過焊線與第二基板手指電性連接，第二列排焊盤通過焊線與第三基板手指電性連接。

9、進一步地，第一基板手指位于橫排焊盤的一側，第二基板手指位于第一列排焊盤的一側，第三基板手指位于第二列排焊盤的一側。

10、該技術方案相當于減小第一基板手指與橫排焊盤之間的距離、第二基板手指與第一列排焊盤之間的距離以及第三基板手指與第二列排焊盤之間的距離，因此該技術方案能夠有效地減少將控制器芯片的焊盤與基板手指電性連接時所需要的焊線長度。

11、進一步地，假片呈長方體結構，假片以第一基板手指和存儲器芯片的邊緣為邊界。

12、該技術方案將假片設置為長方體結構，且假片以第一基板手指和存儲器芯片的邊緣為邊界，因此該技術方案能夠有效地增大假片與存儲器芯片的重疊率，由于假片與存儲器芯片的重疊率越高，假片的支撐面積越大，因此該技術方案還能夠有效地提高假片的支撐效果和sd?nand的整體穩定性。

13、進一步地，存儲器芯片包括第三列排焊盤，基板的表面還具有第四基板手指，第四基板手指設置在基板的邊緣，第三列排焊盤通過焊線與第四基板手指電性連接。

14、進一步地，第四基板手指位于基板靠近第三列排焊盤的邊緣。

15、該技術方案將第四基板手指設置在基板靠近第三列排焊盤的邊緣，即該技術方案相當于減小第四基板手指與第三列排焊盤之間的距離，因此該技術方案能夠有效地減少將存儲器芯片的焊盤與基板手指電性連接時所需要的焊線長度。

16、進一步地，控制器芯片與基板邊緣的最小距離為0.15-0.25mm。

17、進一步地，存儲器芯片與基板邊緣的最小距離為0.05-0.15mm。

18、進一步地，假片包括鋁片。

19、進一步地，假片的厚度大于控制器芯片的厚度與控制器芯片的打線高度的和。

20、由于該技術方案的假片的厚度大于控制器芯片的厚度與控制器芯片的打線高度的和，而假片的高度等于存儲器芯片與基板之間的距離，因此該技術方案能夠有效地避免出現由于存儲器芯片與基板之間的距離過小而導致對控制器芯片的打線造成影響的情況。

21、由上可知，本技術提供的一種基于基板式封裝結構的sd?nand，包括設置在基板上的控制器芯片和設置在控制器芯片上的存儲器芯片，由于存儲器芯片的覆蓋面積遠大于控制器芯片的覆蓋面積，而存儲器芯片設置在控制器芯片的上方，因此原本位于存儲器芯片外的用于連接控制器芯片的基板手指可以設置在存儲器芯片的下方，即該sd?nand的存儲器芯片能夠覆蓋與控制器芯片的焊盤電性連接的其他基板手指，也即該sd?nand僅需在存儲器芯片外圍設置一排用于與存儲器芯片的焊盤電性連接的基板手指，因此該sdnand能夠有效地減少設置在存儲器芯片外圍的基板手指的數量，從而有效地減小sd?nand的整體封裝面積。

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【技術保護點】

1.?一種基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述基于基板式封裝結構的SDNAND包括：

2.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述控制器芯片包括橫排焊盤、第一列排焊盤和第二列排焊盤，所述基板的表面具有第一基板手指、第二基板手指和第三基板手指，所述橫排焊盤通過所述焊線與所述第一基板手指電性連接，所述第一列排焊盤通過所述焊線與所述第二基板手指電性連接，所述第二列排焊盤通過所述焊線與所述第三基板手指電性連接。

3.?根據權利要求2所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述第一基板手指位于所述橫排焊盤的一側，所述第二基板手指位于所述第一列排焊盤的一側，所述第三基板手指位于所述第二列排焊盤的一側。

4.?根據權利要求2所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述假片呈長方體結構，所述假片以所述第一基板手指和所述存儲器芯片的邊緣為邊界。

5.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述存儲器芯片包括第三列排焊盤，所述基板的表面還具有第四基板手指，所述第四基板手指設置在所述基板的邊緣，所述第三列排焊盤通過焊線與所述第四基板手指電性連接。

6.?根據權利要求5所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述第四基板手指位于所述基板靠近所述第三列排焊盤的邊緣。

7.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述控制器芯片與所述基板邊緣的最小距離為0.15-0.25mm。

8.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述存儲器芯片與所述基板邊緣的最小距離為0.05-0.15mm。

9.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述假片包括鋁片。

10.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的SD?NAND，其特征在于，所述假片的厚度大于所述控制器芯片的厚度與所述控制器芯片的打線高度的和。

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【技術特征摘要】

1.?一種基于基板式封裝結構的sd?nand，其特征在于，所述基于基板式封裝結構的sdnand包括：

2.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝結構的sd?nand，其特征在于，所述控制器芯片包括橫排焊盤、第一列排焊盤和第二列排焊盤，所述基板的表面具有第一基板手指、第二基板手指和第三基板手指，所述橫排焊盤通過所述焊線與所述第一基板手指電性連接，所述第一列排焊盤通過所述焊線與所述第二基板手指電性連接，所述第二列排焊盤通過所述焊線與所述第三基板手指電性連接。

3.?根據權利要求2所述的基于基板式封裝結構的sd?nand，其特征在于，所述第一基板手指位于所述橫排焊盤的一側，所述第二基板手指位于所述第一列排焊盤的一側，所述第三基板手指位于所述第二列排焊盤的一側。

4.?根據權利要求2所述的基于基板式封裝結構的sd?nand，其特征在于，所述假片呈長方體結構，所述假片以所述第一基板手指和所述存儲器芯片的邊緣為邊界。

5.?根據權利要求1所述的基于基板式封裝...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭穎穎，艾康林，王駿卿，
申請(專利權)人：芯天下技術股份有限公司，
類型：新型
國別省市：