【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、在硅基微顯示產(chǎn)品中，因r/g/b各色光本身波長(zhǎng)差異，導(dǎo)致其需求的陰陽(yáng)極之間的最佳微腔厚度不一。為發(fā)揮各色光的最佳光效，需設(shè)計(jì)r/g/b陰陽(yáng)極間隙不同的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，即強(qiáng)微腔結(jié)構(gòu)。常見(jiàn)的強(qiáng)微腔結(jié)構(gòu)的像素空間(space)間存在陽(yáng)極材料易腐蝕的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極及其制備方法。本專利技術(shù)的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架利用通孔8的氮化鈦和氧化銦錫層4包覆陽(yáng)極層2的側(cè)壁，避免了陽(yáng)極材料的腐蝕。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述專利技術(shù)目的，本專利技術(shù)提供以下技術(shù)方案：
3、本專利技術(shù)提供了一種硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，包括：
4、包括晶圓1和位于所述晶圓1表面的n個(gè)像素區(qū)，其中n≥1，所述像素區(qū)為多個(gè)時(shí)間隔設(shè)置，每個(gè)像素區(qū)包括間隔設(shè)置的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)，每個(gè)像素區(qū)包括層疊設(shè)置的陽(yáng)極層2、透明無(wú)機(jī)層3、氧化銦錫層4、第二氧化硅層5、氮化硅層6和第三氧化硅層7，
5、所述透明無(wú)機(jī)層3內(nèi)具有通孔8；所述透明無(wú)機(jī)層3的側(cè)壁依次包覆氮化鈦和氧化銦錫；
6、所述陽(yáng)極層2的側(cè)壁依次包覆氮化鈦和氧化銦錫；
7、所述陽(yáng)極層2設(shè)于所述晶圓1的上表面；
8、所述像素區(qū)具有像素開(kāi)口。
9、優(yōu)選地，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間通過(guò)像素空間分割間隔
10、優(yōu)選地，
11、優(yōu)選地，所述像素空間底部相鄰兩氧化銦錫層4的內(nèi)間距為d4，所述像素空間底部相鄰兩陽(yáng)極層2的距離為d3，所述d3-d4≥0.1μm。
12、優(yōu)選地，所述透明無(wú)機(jī)層3的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
13、優(yōu)選地，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的透明無(wú)機(jī)層3的厚度均不相同。
14、本專利技術(shù)還提供了上述技術(shù)方案所述的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
15、在所述晶圓1的表面進(jìn)行沉積，依次得到陽(yáng)極層材料和透明無(wú)機(jī)層材料，然后進(jìn)行第一涂布光刻膠和第一曝光顯影，再進(jìn)行第一溝道刻蝕，保留所述第三子像素區(qū)上的透明無(wú)機(jī)層材料，所述第一溝道刻蝕以陽(yáng)極層材料為刻蝕停止層，得到第一陽(yáng)極架構(gòu)；
16、在所述第一陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行沉積，得到透明無(wú)機(jī)層材料，然后進(jìn)行第二涂布光刻膠和第二曝光顯影，再進(jìn)行第二溝道刻蝕，保留所述第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的透明無(wú)機(jī)層材料，所述第二溝道刻蝕以陽(yáng)極層材料為刻蝕停止層，得到第二陽(yáng)極架構(gòu)；
17、在所述第二陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行沉積，得到透明無(wú)機(jī)層材料，然后進(jìn)行第三涂布光刻膠和第三曝光顯影，再進(jìn)行第三溝道刻蝕，保留所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的透明無(wú)機(jī)層材料，所述第三溝道刻蝕以陽(yáng)極層材料為刻蝕停止層，得到第三陽(yáng)極架構(gòu)；
18、在所述第三陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行第四涂布光刻膠和第四曝光顯影，再進(jìn)行第四溝道刻蝕，保留所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)、第三子像素區(qū)上和像素區(qū)的間隔空間的透明無(wú)機(jī)層材料，所述第四溝道刻蝕以陽(yáng)極層材料和晶圓1為刻蝕停止層，得到第四陽(yáng)極架構(gòu)；
19、在所述第四陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行沉積，得到氮化鈦層材料，然后進(jìn)行第四涂布光刻膠和第四曝光顯影，再進(jìn)行第五溝道刻蝕，保留所述通孔8和像素區(qū)的間隔空間的氮化鈦層材料，所述第五溝道刻蝕以透明無(wú)機(jī)層材料和晶圓1為刻蝕停止層，得到第五陽(yáng)極架構(gòu)；
20、在所述第五陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行沉積，得到氧化銦錫層材料，然后進(jìn)行第五涂布光刻膠和第五曝光顯影，再進(jìn)行第六溝道刻蝕，保留所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的氧化銦錫層材料，所述第六溝道刻蝕以晶圓1為刻蝕停止層，得到第六陽(yáng)極架構(gòu)；
21、在所述第六陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行沉積，得到透明無(wú)機(jī)層材料和所述像素區(qū)的間隔空間的無(wú)機(jī)介質(zhì)材料，然后進(jìn)行第六涂布光刻膠和第六曝光顯影，再進(jìn)行第七溝道刻蝕，所述第七溝道刻蝕以氧化銦錫層材料和無(wú)機(jī)介質(zhì)材料為刻蝕停止層，得到第七陽(yáng)極架構(gòu)；
22、在所述第七陽(yáng)極架構(gòu)的表面進(jìn)行沉積，依次得到氧化硅層材料、氮化硅層材料和氧化硅層材料，然后進(jìn)行第七涂布光刻膠和第七曝光顯影，再進(jìn)行第八溝道刻蝕，保留所述像素區(qū)上的第二氧化硅層5的材料、氮化硅層6的材料和第三氧化硅層7的材料，所述第八溝道刻蝕以氧化銦錫層材料為刻蝕停止層，形成像素開(kāi)口，得到所述硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)。
23、優(yōu)選地，
24、優(yōu)選地，所述第七溝道刻蝕時(shí)，
25、優(yōu)選地，
26、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果如下：
27、本專利技術(shù)的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架利用陽(yáng)極層2的側(cè)壁依次包覆氮化鈦和氧化銦錫，避免了陽(yáng)極材料的腐蝕，可顯著降低后續(xù)制程可能造成的對(duì)陽(yáng)極層2金屬的腐蝕；且對(duì)于后續(xù)微腔厚度的選擇自由度更高，具體原理如下：
28、圖2為相關(guān)技術(shù)硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)具有內(nèi)undercutwith?footing結(jié)構(gòu)，因采用化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝路線，因ito刻蝕對(duì)下方膜層sio過(guò)刻較大若此處sio被刻蝕掉接觸到下方陽(yáng)極金屬，會(huì)出現(xiàn)陽(yáng)極金屬被腐蝕的風(fēng)險(xiǎn)，且ito刻蝕也會(huì)采用cl2，cl2接觸陽(yáng)極金屬也會(huì)導(dǎo)致陽(yáng)極金屬的腐蝕，故相關(guān)技術(shù)的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)需限定陽(yáng)極space?cd?d1大于ito?space?cd?d2至少0.1μm，或者需要控制最薄處sio1厚度(見(jiàn)圖3)。
29、而本專利技術(shù)采用tin-ito包覆層2的側(cè)壁，可避免常見(jiàn)強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)中的過(guò)刻ito可能帶來(lái)的陽(yáng)極金屬腐蝕的問(wèn)題，也無(wú)需限定最薄處sio1的厚度thk2(見(jiàn)圖4)，微腔腔長(zhǎng)的選擇更為自由。
30、且本專利技術(shù)可提升陽(yáng)極與像素space斷差至少進(jìn)而可減緩器件的爬坡的畸變，降低漏電，具體原理在實(shí)施例部分進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
31、進(jìn)一步的，常見(jiàn)的強(qiáng)微腔結(jié)構(gòu)采用cmp研磨陽(yáng)極金屬，本專利技術(shù)利用第六溝道刻蝕(金屬溝道刻蝕)搭配第七溝道刻蝕(回刻工藝)，提升了陽(yáng)極層2的平整度，從而降低了el器件蒸鍍時(shí)的畸變，減少了器件的漏電路徑，可顯著改善產(chǎn)品功耗和提升產(chǎn)品穩(wěn)定性，使所述陽(yáng)極層2的上表面的長(zhǎng)度大于表面的長(zhǎng)度。
32、本專利技術(shù)還提供了上述技術(shù)方案所述硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)的制備方法，優(yōu)勢(shì)在于：
33、1、本專利技術(shù)使用相同道數(shù)，避開(kāi)了cmp工藝，大大降低了工藝成本；
34、2、本專利技術(shù)將回刻工藝移至ito工藝(包括ito沉積至將像素space間ito刻蝕掉的工藝)后進(jìn)行，最大程度減少了各種制程對(duì)像素space間的透本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間通過(guò)像素空間分割間隔，由下到上，所述像素空間包括依次層疊設(shè)置的無(wú)機(jī)介質(zhì)層(9)、像素空間氮化硅層(10)和像素空間氧化硅層(11)，所述像素空間氮化硅層(10)與氮化硅層(6)的厚度相同，所述像素空間氧化硅層(11)和第三氧化硅層(7)的厚度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述無(wú)機(jī)介質(zhì)層(9)與氧化銦錫層(4)的表面斷差
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述像素空間底部相鄰兩氧化銦錫層(4)的內(nèi)間距為d4，所述像素空間底部相鄰兩陽(yáng)極層(2)的距離為d3，所述d3-d4≥0.1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述透明無(wú)機(jī)層(3)的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和
7.權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第五溝道刻蝕時(shí)透明無(wú)機(jī)層材料的損失量
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第七溝道刻蝕時(shí)，氧化銦錫層材料和無(wú)機(jī)介質(zhì)材料的表面斷差
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一溝道刻蝕和第二溝道刻蝕時(shí)陽(yáng)極層材料的損失量獨(dú)立地
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間通過(guò)像素空間分割間隔，由下到上，所述像素空間包括依次層疊設(shè)置的無(wú)機(jī)介質(zhì)層(9)、像素空間氮化硅層(10)和像素空間氧化硅層(11)，所述像素空間氮化硅層(10)與氮化硅層(6)的厚度相同，所述像素空間氧化硅層(11)和第三氧化硅層(7)的厚度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述無(wú)機(jī)介質(zhì)層(9)與氧化銦錫層(4)的表面斷差
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基oled強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)，其特征在于，所述像素空間底部相鄰兩氧化銦錫層(4)的內(nèi)間距為d4，所述像素空間底部相鄰兩陽(yáng)極層(2)的距離為d3，所述d3...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李陽(yáng)，王健波，吳迪，李子洋，盧聲皇，楊晟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：湖畔光芯半導(dǎo)體江蘇有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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