【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開內(nèi)容的實(shí)施例大體涉及用于處理基板的方法和設(shè)備，并且例如，涉及在遠(yuǎn)端等離子體化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition,cvd)期間使用等離子體調(diào)諧的方法和設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、選擇性沉積處理可有利地減少習(xí)知平板印刷術(shù)中所涉及的步驟數(shù)目及成本，與此同時緊跟器件尺寸縮減的步伐。鈦/硅化鈦介電圖案中的選擇性沉積具有高潛在價值，因為鈦及硅化鈦(tisix)為廣泛用以形成歐姆接觸件并降低晶體管連接的接觸電阻的重要材料。本專利技術(shù)人已發(fā)現(xiàn)，由于ticl4-h2等離子體在遠(yuǎn)端空腔中累積了大量副產(chǎn)物，因此遠(yuǎn)端等離子體選擇性cvd?tisix沉積會遭遇不可控粒子的問題。
2、因此，本專利技術(shù)人已開發(fā)出在遠(yuǎn)端等離子體化學(xué)氣相沉積(cvd)期間使用等離子體調(diào)諧的改良方法和設(shè)備。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本文提供了用于處理基板的方法和設(shè)備。在一些實(shí)施例中，一種用于處理基板的方法包括在蓋加熱器與處理腔室的噴頭之間或該噴頭與基板之間的區(qū)域中形成四氯化鈦(ticl4)、氫(h2)與氬(ar)之間的等離子體反應(yīng)，與此同時以約5khz至約100khz的脈沖頻率及約10％至約20％的占空比(duty?cycle)提供rf功率，及使反應(yīng)產(chǎn)物流至處理腔室中以在基板的硅表面上選擇性地形成鈦材料層。
2、根據(jù)至少一些實(shí)施例，一種非瞬時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)具有存儲于其上的指令，當(dāng)由處理器執(zhí)行時，所述指令執(zhí)行用于處理基板的方法，該方法包括在蓋加熱器與處理腔室的噴頭之間或該噴頭與基板之
3、根據(jù)至少一些實(shí)施例，一種用于處理基板的處理系統(tǒng)包括：處理腔室，其限定設(shè)置在蓋加熱器與噴頭之間的區(qū)域或噴頭與基板之間的區(qū)域中的處理容積；rf電源；氣體面板，其連接至蓋加熱器及噴頭；及控制器，配置成在蓋加熱器與噴頭之間或噴頭與基板之間的區(qū)域中形成四氯化鈦(ticl4)、氫(h2)及氬(ar)之間的等離子體反應(yīng)，與此同時以約5khz至約100khz的脈沖頻率及約10％至約20％的占空比提供rf功率，并使反應(yīng)產(chǎn)物流至處理腔室中以在基板的硅表面上選擇性地形成鈦材料層。
4、以下描述本公開內(nèi)容的其他及另外實(shí)施例。
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1.一種用于處理基板的方法，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述脈沖頻率為約5kHz至約10kHz。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述占空比為約20％至約25％。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述RF功率為約300瓦特至約500瓦特。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，以約350kHz提供所述RF功率。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述等離子體反應(yīng)的持續(xù)時間為約750秒。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間將所述處理腔室加壓至約3托。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間以約40sccm的流動速率提供所述四氯化鈦(TiCl4)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間以20sccm的流動速率提供所述氫(H2)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間以約1.5ksccm的流動速率
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板包括高深寬比特征，并且
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述介電表面包含氧化硅或氮化硅。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鈦材料層沉積至約10埃至約100埃。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鈦材料層包含鈦、硅化鈦或?qū)嵸|(zhì)上純的鈦。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：將硅烷、乙硅烷、氫及氬添加至所述噴頭以接觸所述等離子體反應(yīng)。
16.一種非瞬時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，具有儲存于其上的指令，當(dāng)由處理器執(zhí)行時所述指令執(zhí)行用于處理基板的方法，所述方法包括：
17.如權(quán)利要求16所述的非瞬時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述脈沖頻率為約5kHz至約10kHz。
18.如權(quán)利要求16所述的非瞬時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述占空比為約20％至約25％。
19.如權(quán)利要求16所述的非瞬時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述RF功率為約300瓦特至約500瓦特。
20.一種用于處理基板的處理系統(tǒng)，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種用于處理基板的方法，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述脈沖頻率為約5khz至約10khz。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述占空比為約20％至約25％。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，所述rf功率為約300瓦特至約500瓦特。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述等離子體反應(yīng)時，以約350khz提供所述rf功率。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述等離子體反應(yīng)的持續(xù)時間為約750秒。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間將所述處理腔室加壓至約3托。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間以約40sccm的流動速率提供所述四氯化鈦(ticl4)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間以20sccm的流動速率提供所述氫(h2)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述等離子體反應(yīng)期間以約1.5ksccm的流動速率提供所述氬(ar)。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：萬一揚(yáng)，葉偉峰，張書錨，侯凱中，呂疆，周磊，吳典曄，道格拉斯·龍，阿夫耶里諾斯·V·杰拉托斯，江瑩冰，汪榮軍，唐先敏，哈伯特·沖，
申請(專利權(quán))人：應(yīng)用材料公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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