【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造的，并且更具體地涉及調(diào)諧晶體管閾值電壓的處理。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件通常是通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上依次沉積絕緣層或電介質(zhì)層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層，并使用光刻技術(shù)對(duì)各種材料層進(jìn)行圖案化，從而在其上形成電路元件和元素。
2、半導(dǎo)體行業(yè)通過(guò)不斷減小最小特征尺寸來(lái)提高各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許在給定面積內(nèi)集成更多元件。然而，隨著最小特征尺寸的減小，也出現(xiàn)了一些新的問(wèn)題，并且這些新的問(wèn)題需要加以解決。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種方法，包括：基于第一半導(dǎo)體區(qū)域的第一部分形成第一源極/漏極區(qū)域；基于第一半導(dǎo)體區(qū)域的第二部分形成第一高k電介質(zhì)層(high-k?dielectric?layer)；在第一高k電介質(zhì)層上形成第一偶極子膜；使用包含氮?dú)夂蜌錃獾墓に嚉怏w對(duì)第一偶極子膜執(zhí)行第一處理工藝；執(zhí)行第一驅(qū)入工藝，以將第一偶極子膜中的第一偶極子摻雜劑驅(qū)入第一高k電介質(zhì)層；以及在第一高k電介質(zhì)層上沉積第一功函數(shù)層。
2、根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種方法，包括：在第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域上形成界面層(interfacial?layer)；在界面層以及第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域上形成第一高k電介質(zhì)層；在第一高k電介質(zhì)層上沉積偶極子膜，其中，偶極子膜包括與第一半導(dǎo)體區(qū)域交疊的第一部分和與第二半導(dǎo)體區(qū)域交疊的第二部分；
3、根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種方法，包括：沉積環(huán)繞半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的高k電介質(zhì)層；沉積環(huán)繞高k電介質(zhì)層的偶極子膜；修整偶極子膜；使用氮?dú)?n2)和氫氣(h2)對(duì)偶極子膜執(zhí)行處理工藝；對(duì)處理過(guò)的偶極子膜執(zhí)行退火工藝；去除偶極子膜；在高k電介質(zhì)層上沉積第二高k電介質(zhì)層；以及在第二高k電介質(zhì)層上形成柵極。
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1.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一驅(qū)入工藝之后去除所述第一偶極子膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在去除所述第一偶極子膜后，在所述第一高k電介質(zhì)層之上沉積第二高k電介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一驅(qū)入工藝之前，修整所述第一偶極子膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一處理工藝包括等離子體處理工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一處理工藝是在不加熱包含所述第一偶極子膜的晶圓的情況下執(zhí)行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一源極/漏極區(qū)域是p型源極/漏極區(qū)域，并且所述方法還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法還包括：使用包含氮?dú)夂蜌錃獾母郊庸に嚉怏w對(duì)所述第二偶極子膜執(zhí)行第二處理工藝，其中，所述第一處理工藝和所述第二處理工藝是獨(dú)立的工藝。
9.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
10.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一驅(qū)入工藝之后去除所述第一偶極子膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在去除所述第一偶極子膜后，在所述第一高k電介質(zhì)層之上沉積第二高k電介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一驅(qū)入工藝之前，修整所述第一偶極子膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一處理工藝包括等離子體處理工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：江淳修，賴蓓盈，侯承浩，徐志安，廖善美，吳宏基，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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